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CD54HC4049 , CD74HC4049 ,
CD54HC4050 , CD74HC4050
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS205I
1998年2月 - 修订2005年2月
高速CMOS逻辑器件
六角缓冲器,反相和非反相
描述
在' HC4049和' HC4050均选用高速
硅栅工艺。他们有作案科幻版的输入
保护结构,使这些部位成为usedas
逻辑电平转换器其中高电平逻辑转换为低
在操作过的低级别的逻辑电源电平的逻辑。为
例如, 15 -V的输入脉冲电平可以被下变频为
0 V至5 V的逻辑电平。该莫迪网络版的输入保护
结构免受静电负输入端
放电。这些部件也可以被用作简单的缓冲器
或逆变器无电平转换。在“ HC4049和
' HC4050被增强等效的CMOS类型的版本。
特点
[ /标题
(CD74H
C4049,
CD74H
C4050)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
(十六进制)
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
高到低电压电平转换器,用于高达V
l
= 16V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
引脚
CD54HC4049 , CD54HC4050
( CERDIP )
CD74HC4049 , CD74HC4050
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
4049
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
4050
V
CC
1
1Y 2
1A 3
2Y 4
2A 5
3Y 6
3A 7
GND 8
4050
16 NC
15 6Y
14 6A
13 NC
12 5Y
11 5A
10 4Y
9 4A
4049
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HCT4050MT
CD74HC4049M96
CD74HC4049NSR
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWT
CD74HC4050E
CD74HC4050M
CD74HC4050MT
CD74HC4050M96
CD74HC4050NSR
CD74HC4050PW
CD74HC4050PWR
CD74HC4050PWT
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年,德州仪器
1
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
工作原理图
4050
4049
V
CC
1
2
16
15
4049
NC
6Y
4050
1Y
1Y
3
1A
4
13
14
6Y
6A
2Y
2Y
5
2A
6
12
NC
NC
5Y
11
5A
5Y
3Y
3Y
7
3A
8
GND
10
4Y
9
4A
逻辑图
HC4049
HC4050
A
Y
A
Y
2
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至16V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20mA
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
CC
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
直流输入电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至15V
直流输出电压,V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
电压
关系
最高限额
V
l
+7V
+16V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
15
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
–0.02
–0.02
–0.02
–4
–5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
–40
o
C至85
o
C
最大
–55
o
C到
125
o
C
最大
单位
3
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
2
–40
o
C至85
o
C
-
最大
20
–55
o
C到
125
o
C
-
最大
40
单位
A
V
CC
(V)
6
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
3. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
6
-
-
-
-
35
最大
85
17
14
-
75
15
13
10
-
–40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
95
19
16
10
-
–55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
130
26
22
-
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
HC类型
传播延迟,
nA至纽约HC4049
nA至纽约HC4050
符号
t
PLH ,
t
PHL
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
封装选项附录
www.ti.com
9-Oct-2007
包装信息
订购设备
5962-8681901EA
5962-8682001EA
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
CD74HC4049E
CD74HC4049EE4
CD74HC4049M
CD74HC4049M96
CD74HC4049M96E4
CD74HC4049M96G4
CD74HC4049ME4
CD74HC4049MG4
CD74HC4049MT
CD74HC4049MTE4
CD74HC4049MTG4
CD74HC4049NSR
CD74HC4049NSRE4
CD74HC4049NSRG4
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWE4
CD74HC4049PWG4
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWRE4
CD74HC4049PWRG4
CD74HC4049PWT
CD74HC4049PWTE4
CD74HC4049PWTG4
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
TYPE
CDIP
CDIP
CDIP
CDIP
PDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SO
SO
SO
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
制图
J
J
J
J
N
N
D
D
D
D
D
D
D
D
D
NS
NS
NS
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
引脚封装环保计划
(2)
数量
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
1
1
1
1
25
25
40
待定
待定
待定
待定
无铅
(符合RoHS )
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
铅/焊球涂层
A42 SNPB
A42 SNPB
A42 SNPB
A42 SNPB
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
40
250
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
90
90
90
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
250
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
附录1页
CD54HC4049 , CD74HC4049 ,
CD54HC4050 , CD74HC4050
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS205I
1998年2月 - 修订2005年2月
高速CMOS逻辑器件
六角缓冲器,反相和非反相
描述
在' HC4049和' HC4050均选用高速
硅栅工艺。他们有作案科幻版的输入
保护结构,使这些部位成为usedas
逻辑电平转换器其中高电平逻辑转换为低
在操作过的低级别的逻辑电源电平的逻辑。为
例如, 15 -V的输入脉冲电平可以被下变频为
0 V至5 V的逻辑电平。该莫迪网络版的输入保护
结构免受静电负输入端
放电。这些部件也可以被用作简单的缓冲器
或逆变器无电平转换。在“ HC4049和
' HC4050被增强等效的CMOS类型的版本。
特点
[ /标题
(CD74H
C4049,
CD74H
C4050)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
(十六进制)
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
高到低电压电平转换器,用于高达V
l
= 16V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
引脚
CD54HC4049 , CD54HC4050
( CERDIP )
CD74HC4049 , CD74HC4050
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
4049
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
4050
V
CC
1
1Y 2
1A 3
2Y 4
2A 5
3Y 6
3A 7
GND 8
4050
16 NC
15 6Y
14 6A
13 NC
12 5Y
11 5A
10 4Y
9 4A
4049
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HCT4050MT
CD74HC4049M96
CD74HC4049NSR
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWT
CD74HC4050E
CD74HC4050M
CD74HC4050MT
CD74HC4050M96
CD74HC4050NSR
CD74HC4050PW
CD74HC4050PWR
CD74HC4050PWT
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年,德州仪器
1
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
工作原理图
4050
4049
V
CC
1
2
16
15
4049
NC
6Y
4050
1Y
1Y
3
1A
4
13
14
6Y
6A
2Y
2Y
5
2A
6
12
NC
NC
5Y
11
5A
5Y
3Y
3Y
7
3A
8
GND
10
4Y
9
4A
逻辑图
HC4049
HC4050
A
Y
A
Y
2
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至16V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20mA
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
CC
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
直流输入电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至15V
直流输出电压,V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
电压
关系
最高限额
V
l
+7V
+16V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
15
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
–0.02
–0.02
–0.02
–4
–5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
–40
o
C至85
o
C
最大
–55
o
C到
125
o
C
最大
单位
3
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
2
–40
o
C至85
o
C
-
最大
20
–55
o
C到
125
o
C
-
最大
40
单位
A
V
CC
(V)
6
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
3. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
6
-
-
-
-
35
最大
85
17
14
-
75
15
13
10
-
–40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
95
19
16
10
-
–55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
130
26
22
-
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
HC类型
传播延迟,
nA至纽约HC4049
nA至纽约HC4050
符号
t
PLH ,
t
PHL
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
封装选项附录
www.ti.com
9-Oct-2007
包装信息
订购设备
5962-8681901EA
5962-8682001EA
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
CD74HC4049E
CD74HC4049EE4
CD74HC4049M
CD74HC4049M96
CD74HC4049M96E4
CD74HC4049M96G4
CD74HC4049ME4
CD74HC4049MG4
CD74HC4049MT
CD74HC4049MTE4
CD74HC4049MTG4
CD74HC4049NSR
CD74HC4049NSRE4
CD74HC4049NSRG4
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWE4
CD74HC4049PWG4
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWRE4
CD74HC4049PWRG4
CD74HC4049PWT
CD74HC4049PWTE4
CD74HC4049PWTG4
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
TYPE
CDIP
CDIP
CDIP
CDIP
PDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SO
SO
SO
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
制图
J
J
J
J
N
N
D
D
D
D
D
D
D
D
D
NS
NS
NS
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
引脚封装环保计划
(2)
数量
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
1
1
1
1
25
25
40
待定
待定
待定
待定
无铅
(符合RoHS )
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
铅/焊球涂层
A42 SNPB
A42 SNPB
A42 SNPB
A42 SNPB
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
40
250
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
90
90
90
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
250
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
附录1页
CD54HC4049 , CD74HC4049 ,
CD54HC4050 , CD74HC4050
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS205I
1998年2月 - 修订2005年2月
高速CMOS逻辑器件
六角缓冲器,反相和非反相
描述
在' HC4049和' HC4050均选用高速
硅栅工艺。他们有作案科幻版的输入
保护结构,使这些部位成为usedas
逻辑电平转换器其中高电平逻辑转换为低
在操作过的低级别的逻辑电源电平的逻辑。为
例如, 15 -V的输入脉冲电平可以被下变频为
0 V至5 V的逻辑电平。该莫迪网络版的输入保护
结构免受静电负输入端
放电。这些部件也可以被用作简单的缓冲器
或逆变器无电平转换。在“ HC4049和
' HC4050被增强等效的CMOS类型的版本。
特点
[ /标题
(CD74H
C4049,
CD74H
C4050)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
(十六进制)
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
高到低电压电平转换器,用于高达V
l
= 16V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
引脚
CD54HC4049 , CD54HC4050
( CERDIP )
CD74HC4049 , CD74HC4050
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
4049
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
4050
V
CC
1
1Y 2
1A 3
2Y 4
2A 5
3Y 6
3A 7
GND 8
4050
16 NC
15 6Y
14 6A
13 NC
12 5Y
11 5A
10 4Y
9 4A
4049
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HCT4050MT
CD74HC4049M96
CD74HC4049NSR
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWT
CD74HC4050E
CD74HC4050M
CD74HC4050MT
CD74HC4050M96
CD74HC4050NSR
CD74HC4050PW
CD74HC4050PWR
CD74HC4050PWT
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年,德州仪器
1
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
工作原理图
4050
4049
V
CC
1
2
16
15
4049
NC
6Y
4050
1Y
1Y
3
1A
4
13
14
6Y
6A
2Y
2Y
5
2A
6
12
NC
NC
5Y
11
5A
5Y
3Y
3Y
7
3A
8
GND
10
4Y
9
4A
逻辑图
HC4049
HC4050
A
Y
A
Y
2
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至16V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20mA
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
CC
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
直流输入电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至15V
直流输出电压,V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
电压
关系
最高限额
V
l
+7V
+16V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
15
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
–0.02
–0.02
–0.02
–4
–5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
–40
o
C至85
o
C
最大
–55
o
C到
125
o
C
最大
单位
3
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
2
–40
o
C至85
o
C
-
最大
20
–55
o
C到
125
o
C
-
最大
40
单位
A
V
CC
(V)
6
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
3. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
6
-
-
-
-
35
最大
85
17
14
-
75
15
13
10
-
–40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
95
19
16
10
-
–55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
130
26
22
-
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
HC类型
传播延迟,
nA至纽约HC4049
nA至纽约HC4050
符号
t
PLH ,
t
PHL
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
封装选项附录
www.ti.com
26-Sep-2005
包装信息
订购设备
5962-8681901EA
5962-8682001EA
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HC4049M96
CD74HC4049M96E4
CD74HC4049ME4
CD74HC4049MT
CD74HC4049MTE4
CD74HC4049NSR
CD74HC4049NSRE4
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWE4
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWRE4
CD74HC4049PWT
CD74HC4049PWTE4
CD74HC4050E
CD74HC4050EE4
CD74HC4050M
CD74HC4050M96
CD74HC4050M96E4
CD74HC4050ME4
CD74HC4050MT
CD74HC4050MTE4
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
TYPE
CDIP
CDIP
CDIP
CDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SO
SO
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
PDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
制图
J
J
J
J
N
D
D
D
D
D
D
NS
NS
PW
PW
PW
PW
PW
PW
N
N
D
D
D
D
D
D
引脚封装环保计划
(2)
数量
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
1
1
1
1
25
40
待定
待定
待定
待定
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
铅/焊球涂层
TI打电话
TI打电话
TI打电话
TI打电话
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
90
90
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
250
250
25
25
40
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
无铅
(符合RoHS )
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
附录1页
CD54HC4049 , CD74HC4049 ,
CD54HC4050 , CD74HC4050
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS205I
1998年2月 - 修订2005年2月
高速CMOS逻辑器件
六角缓冲器,反相和非反相
描述
在' HC4049和' HC4050均选用高速
硅栅工艺。他们有作案科幻版的输入
保护结构,使这些部位成为usedas
逻辑电平转换器其中高电平逻辑转换为低
在操作过的低级别的逻辑电源电平的逻辑。为
例如, 15 -V的输入脉冲电平可以被下变频为
0 V至5 V的逻辑电平。该莫迪网络版的输入保护
结构免受静电负输入端
放电。这些部件也可以被用作简单的缓冲器
或逆变器无电平转换。在“ HC4049和
' HC4050被增强等效的CMOS类型的版本。
特点
[ /标题
(CD74H
C4049,
CD74H
C4050)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
(十六进制)
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
高到低电压电平转换器,用于高达V
l
= 16V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
引脚
CD54HC4049 , CD54HC4050
( CERDIP )
CD74HC4049 , CD74HC4050
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
4049
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
4050
V
CC
1
1Y 2
1A 3
2Y 4
2A 5
3Y 6
3A 7
GND 8
4050
16 NC
15 6Y
14 6A
13 NC
12 5Y
11 5A
10 4Y
9 4A
4049
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HCT4050MT
CD74HC4049M96
CD74HC4049NSR
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWT
CD74HC4050E
CD74HC4050M
CD74HC4050MT
CD74HC4050M96
CD74HC4050NSR
CD74HC4050PW
CD74HC4050PWR
CD74HC4050PWT
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年,德州仪器
1
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
工作原理图
4050
4049
V
CC
1
2
16
15
4049
NC
6Y
4050
1Y
1Y
3
1A
4
13
14
6Y
6A
2Y
2Y
5
2A
6
12
NC
NC
5Y
11
5A
5Y
3Y
3Y
7
3A
8
GND
10
4Y
9
4A
逻辑图
HC4049
HC4050
A
Y
A
Y
2
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至16V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20mA
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
CC
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
直流输入电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至15V
直流输出电压,V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
电压
关系
最高限额
V
l
+7V
+16V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
15
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
–0.02
–0.02
–0.02
–4
–5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
–40
o
C至85
o
C
最大
–55
o
C到
125
o
C
最大
单位
3
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
2
–40
o
C至85
o
C
-
最大
20
–55
o
C到
125
o
C
-
最大
40
单位
A
V
CC
(V)
6
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
3. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
6
-
-
-
-
35
最大
85
17
14
-
75
15
13
10
-
–40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
95
19
16
10
-
–55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
130
26
22
-
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
HC类型
传播延迟,
nA至纽约HC4049
nA至纽约HC4050
符号
t
PLH ,
t
PHL
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
封装选项附录
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26-Sep-2005
包装信息
订购设备
5962-8681901EA
5962-8682001EA
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HC4049M96
CD74HC4049M96E4
CD74HC4049ME4
CD74HC4049MT
CD74HC4049MTE4
CD74HC4049NSR
CD74HC4049NSRE4
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWE4
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWRE4
CD74HC4049PWT
CD74HC4049PWTE4
CD74HC4050E
CD74HC4050EE4
CD74HC4050M
CD74HC4050M96
CD74HC4050M96E4
CD74HC4050ME4
CD74HC4050MT
CD74HC4050MTE4
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
TYPE
CDIP
CDIP
CDIP
CDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SO
SO
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
PDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
制图
J
J
J
J
N
D
D
D
D
D
D
NS
NS
PW
PW
PW
PW
PW
PW
N
N
D
D
D
D
D
D
引脚封装环保计划
(2)
数量
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
1
1
1
1
25
40
待定
待定
待定
待定
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
铅/焊球涂层
TI打电话
TI打电话
TI打电话
TI打电话
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
90
90
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
250
250
25
25
40
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
无铅
(符合RoHS )
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC4050NSR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
CD74HC4050NSR
TI
25+
6138
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
CD74HC4050NSR
TI
24+
6400
SOP-16
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
CD74HC4050NSR
TI/德州仪器
23+
23000
SOP-16
全新原装现货 优势库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
CD74HC4050NSR
TI
1844+
9851
SOP-16
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
CD74HC4050NSR
TI
2425+
11280
SOP-16
全新原装!优势现货!
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电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
CD74HC4050NSR
TI
21+
12000
SO (NS)
███全新原装正品,可配单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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16-SO
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地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HC4050NSR
Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HC4050NSR
TI
24+
10000
SOP-16
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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TI/德州仪器
24+
8640
SOP-16
全新原装现货,原厂代理。
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