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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第269页 > CD74HC366
CD74HC365 , CD74HCT365 ,
CD74HC366 , CD74HCT366
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS180
1997年11月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器,
三态非反相和反相
描述
哈里斯CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 ,并
CD74HCT366硅栅CMOS三态缓冲器
通用高速非反相和反相
缓冲区。它们具有高驱动电流输出这使
驾驶大型客车,即使高速运转
电容。这些电路具有低功率
功耗CMOS电路,但有速度媲美
低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
该CD74HC365和CD74HCT365都是非反相缓冲器,
而CD74HC366和CD74HCT366是一个反相
缓冲区。这些器件具有两个三态控制输入( OE1
和OE2 ),这是接异,共同控制所有的6门。
该CD74HCT365和CD74HCT366逻辑系列是速度,
功能和引脚与标准74LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC365
,
CD74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
CD74
HCT36
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
订购信息
产品型号
CD74HC365E
CD74HCT365E
CD74HC366E
CD74HC365M
CD74HCT365M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE1 1
1A 2
(1Y) 1Y 3
2A 4
(2Y) 2Y 5
3A 6
(3Y) 3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y (6Y)
12 5A
11 5Y (5Y)
10 4A
9 4Y (4Y)
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1539.1
1
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
功能图
CD74HC365 , CD75HCT365
CD74HC366 , CD75HCT366
1
OE1
1
16
V
CC
OE1
16
V
CC
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1Y
1Y
2A
4
13
6Y
2A
4
13
6Y
2Y
5
6
12
5A
2Y
5
6
12
5A
3A
7
11
10
5Y
3A
7
11
10
5Y
3Y
4A
9
3Y
4A
9
GND
8
4Y
GND
8
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
X
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC/HCT366
H
L
Z
Ζ
输入
OE1
L
L
X
H
OE2
L
L
H
X
注意:
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态(OFF)
2
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
(注)
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
2A
5
2Y
13
6Y
注:逆变器不包括在HC / HCT365 。
图1.逻辑框图中的HC / HCT365和HC / HCT366 (输出, HC / HCT365是补充
所示的那些,即, 1Y , 2Y等)
3
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
(注4 )
三态泄漏
当前
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±5.0
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
V
O
=
V
CC
or
GND
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
交换特定网络连接的阳离子 - HC / HCT365
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
数据输出
HC/HCT365
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
22
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
5
5
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 ,
CD54/74HC366
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS180C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器,
三态非反相和反相
低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC365和' HCT365都是非反相缓冲器,而
的“ HC366是一个反相缓冲器。这些装置具有两个
三态控制输入( OE1和OE2 ),这是接异
共同控制所有六个门。
在“ HCT365逻辑系列是速度快,功能和引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC365
,
CD74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
CD74
HCT36
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC365F3A
CD54HC366F3A
CD54HCT365F3A
CD74HC365E
CD74HC365M
CD74HC365MT
CD74HC365M96
CD74HC366E
CD74HC366M
CD74HC366M96
CD74HCT365E
CD74HCT365M
CD74HCT365MT
CD74HCT365M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的“ HC365 , ' HCT365和” HC366硅栅CMOS三
态缓冲器是通用的高速非反相
和反相缓冲器。它们具有高驱动电流输出
这使高速运转,即使开车时大
总线电容。这些电路具有低功率
功耗CMOS电路,但有速度媲美
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和真实的。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC365 , CD54HCT365 , CD54HC366
( CERDIP )
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE1 1
1A 2
(1Y) 1Y 3
2A 4
(2Y) 2Y 5
3A 6
(3Y) 3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y (6Y)
12 5A
11 5Y (5Y)
10 4A
9 4Y (4Y)
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
功能图
HC365 , HCT365
1
HC366
OE1
1
16
V
CC
OE1
16
V
CC
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1Y
1Y
2A
4
13
6Y
2A
4
13
6Y
2Y
5
6
12
5A
2Y
5
6
12
5A
3A
7
11
10
5Y
3A
7
11
10
5Y
3Y
4A
9
3Y
4A
9
GND
8
4Y
GND
8
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
X
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC366
H
L
Z
Ζ
输入
OE1
L
L
X
H
OE2
L
L
H
X
注意:
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态(OFF)
2
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
(注)
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
2A
5
2Y
13
6Y
注:逆变器不包括在HC / HCT365 。
图1.逻辑框图中的HC / HCT365和HC366 (产出HC / HCT365是衡量这些补充
示,即, 1Y , 2Y等)
3
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
(注2 )
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±5.0
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
V
O
=
V
CC
or
GND
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
交换特定网络连接的阳离子 - HC / HCT365
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
数据输出
HC/HCT365
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
22
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
5
5
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 ,
CD54/74HC366
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS180C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器,
三态非反相和反相
低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC365和' HCT365都是非反相缓冲器,而
的“ HC366是一个反相缓冲器。这些装置具有两个
三态控制输入( OE1和OE2 ),这是接异
共同控制所有六个门。
在“ HCT365逻辑系列是速度快,功能和引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC365
,
CD74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
CD74
HCT36
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC365F3A
CD54HC366F3A
CD54HCT365F3A
CD74HC365E
CD74HC365M
CD74HC365MT
CD74HC365M96
CD74HC366E
CD74HC366M
CD74HC366M96
CD74HCT365E
CD74HCT365M
CD74HCT365MT
CD74HCT365M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的“ HC365 , ' HCT365和” HC366硅栅CMOS三
态缓冲器是通用的高速非反相
和反相缓冲器。它们具有高驱动电流输出
这使高速运转,即使开车时大
总线电容。这些电路具有低功率
功耗CMOS电路,但有速度媲美
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和真实的。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC365 , CD54HCT365 , CD54HC366
( CERDIP )
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE1 1
1A 2
(1Y) 1Y 3
2A 4
(2Y) 2Y 5
3A 6
(3Y) 3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y (6Y)
12 5A
11 5Y (5Y)
10 4A
9 4Y (4Y)
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
功能图
HC365 , HCT365
1
HC366
OE1
1
16
V
CC
OE1
16
V
CC
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1Y
1Y
2A
4
13
6Y
2A
4
13
6Y
2Y
5
6
12
5A
2Y
5
6
12
5A
3A
7
11
10
5Y
3A
7
11
10
5Y
3Y
4A
9
3Y
4A
9
GND
8
4Y
GND
8
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
X
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC366
H
L
Z
Ζ
输入
OE1
L
L
X
H
OE2
L
L
H
X
注意:
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态(OFF)
2
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
(注)
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
2A
5
2Y
13
6Y
注:逆变器不包括在HC / HCT365 。
图1.逻辑框图中的HC / HCT365和HC366 (产出HC / HCT365是衡量这些补充
示,即, 1Y , 2Y等)
3
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
(注2 )
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±5.0
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
V
O
=
V
CC
or
GND
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
交换特定网络连接的阳离子 - HC / HCT365
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
数据输出
HC/HCT365
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
22
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
5
5
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 ,
CD54/74HC366
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS180C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器,
三态非反相和反相
低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC365和' HCT365都是非反相缓冲器,而
的“ HC366是一个反相缓冲器。这些装置具有两个
三态控制输入( OE1和OE2 ),这是接异
共同控制所有六个门。
在“ HCT365逻辑系列是速度快,功能和引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC365
,
CD74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
CD74
HCT36
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC365F3A
CD54HC366F3A
CD54HCT365F3A
CD74HC365E
CD74HC365M
CD74HC365MT
CD74HC365M96
CD74HC366E
CD74HC366M
CD74HC366M96
CD74HCT365E
CD74HCT365M
CD74HCT365MT
CD74HCT365M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的“ HC365 , ' HCT365和” HC366硅栅CMOS三
态缓冲器是通用的高速非反相
和反相缓冲器。它们具有高驱动电流输出
这使高速运转,即使开车时大
总线电容。这些电路具有低功率
功耗CMOS电路,但有速度媲美
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和真实的。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC365 , CD54HCT365 , CD54HC366
( CERDIP )
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE1 1
1A 2
(1Y) 1Y 3
2A 4
(2Y) 2Y 5
3A 6
(3Y) 3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y (6Y)
12 5A
11 5Y (5Y)
10 4A
9 4Y (4Y)
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
功能图
HC365 , HCT365
1
HC366
OE1
1
16
V
CC
OE1
16
V
CC
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1Y
1Y
2A
4
13
6Y
2A
4
13
6Y
2Y
5
6
12
5A
2Y
5
6
12
5A
3A
7
11
10
5Y
3A
7
11
10
5Y
3Y
4A
9
3Y
4A
9
GND
8
4Y
GND
8
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
X
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC366
H
L
Z
Ζ
输入
OE1
L
L
X
H
OE2
L
L
H
X
注意:
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态(OFF)
2
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
(注)
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
2A
5
2Y
13
6Y
注:逆变器不包括在HC / HCT365 。
图1.逻辑框图中的HC / HCT365和HC366 (产出HC / HCT365是衡量这些补充
示,即, 1Y , 2Y等)
3
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD54 / 74HC365 , CD54 / 74HCT365 , CD54 / 74HC366
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
(注2 )
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±5.0
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
V
O
=
V
CC
or
GND
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
交换特定网络连接的阳离子 - HC / HCT365
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
数据输出
HC/HCT365
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
22
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
5
5
CD74HC365 , CD74HCT365 ,
CD74HC366 , CD74HCT366
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS180
1997年11月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器,
三态非反相和反相
描述
哈里斯CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 ,并
CD74HCT366硅栅CMOS三态缓冲器
通用高速非反相和反相
缓冲区。它们具有高驱动电流输出这使
驾驶大型客车,即使高速运转
电容。这些电路具有低功率
功耗CMOS电路,但有速度媲美
低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
该CD74HC365和CD74HCT365都是非反相缓冲器,
而CD74HC366和CD74HCT366是一个反相
缓冲区。这些器件具有两个三态控制输入( OE1
和OE2 ),这是接异,共同控制所有的6门。
该CD74HCT365和CD74HCT366逻辑系列是速度,
功能和引脚与标准74LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC365
,
CD74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
CD74
HCT36
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
订购信息
产品型号
CD74HC365E
CD74HCT365E
CD74HC366E
CD74HC365M
CD74HCT365M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE1 1
1A 2
(1Y) 1Y 3
2A 4
(2Y) 2Y 5
3A 6
(3Y) 3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y (6Y)
12 5A
11 5Y (5Y)
10 4A
9 4Y (4Y)
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1539.1
1
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
功能图
CD74HC365 , CD75HCT365
CD74HC366 , CD75HCT366
1
OE1
1
16
V
CC
OE1
16
V
CC
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1Y
1Y
2A
4
13
6Y
2A
4
13
6Y
2Y
5
6
12
5A
2Y
5
6
12
5A
3A
7
11
10
5Y
3A
7
11
10
5Y
3Y
4A
9
3Y
4A
9
GND
8
4Y
GND
8
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
X
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC/HCT366
H
L
Z
Ζ
输入
OE1
L
L
X
H
OE2
L
L
H
X
注意:
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态(OFF)
2
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
(注)
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
2A
5
2Y
13
6Y
注:逆变器不包括在HC / HCT365 。
图1.逻辑框图中的HC / HCT365和HC / HCT366 (输出, HC / HCT365是补充
所示的那些,即, 1Y , 2Y等)
3
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD74HC365 , CD74HCT365 , CD74HC366 , CD74HCT366
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
(注4 )
三态泄漏
当前
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±5.0
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
V
O
=
V
CC
or
GND
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
交换特定网络连接的阳离子 - HC / HCT365
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
数据输出
HC/HCT365
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
22
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
5
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC366
    -
    -
    -
    -
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CD74HC366
√ 欧美㊣品
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9632
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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