初步
CM9100
基本的紧凑型高性价比快速充电器
特点
单片线性充电器无需电感，
外部检测电阻或隔离二极管。
很少的外部组件是必需的
4.75V至6.5V的工作输入电压范围。
可编程的充电电流达到
不超载的危险最快的充电速度
适配器
充电电流防止热极限控制
过热
最大1μA的电池漏电流
系统超级充电电流监视器输出
充电状态的愿景
TQFN - 16 ，符合RoHS标准的无铅封装
产品说明
该CM9100是一个集成的线性模式充电器
单节锂离子电池。它专为的COM
协议和成本敏感的手持设备。它提供
编程充电电流，充电状态指示，
高精度快速充电电流和自动
充电电压调节。它无需外部嵌段
ing二极管和电流检测电阻，只需要
一个外部电阻来编程的充电电流。
该CM9100提供了预充电，快速充电（ CON-
恒定电流） ，并且终止（恒定电压）
充电模式。预充电/终止电流
预设为快速充电电流等级为10 /5％ 。一
主机系统可监视实际充电电流在
ISET引脚。
当芯片温度达到140 ℃时， CM9100
进入锁存关断模式，停止充电，直至
芯片温度低于140 ℃，将逐步
充105℃下继续快速充电。当
适配器不存在，则CM9100吸引不到
从电池中的超低功耗漏极电流为1μA
睡眠模式。
该CM9100封装在一个小型16引脚TQFN封装。
它可以在环境温度范围内工作
-40 ° C至85°C 。
应用
手机和智能手机
PDA便携式媒体观众
数字静态照相机
座式充电器
典型用途
VIN
VIN
4.7u
5k
1k
VOUT
4.7u
GND
ISET
VSTB
1u
CM9100
STAT
锂离子电池
电池
VREF
0.1u
2006年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
06/30/06
490 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
l
联系电话： 408.263.3214
l
传真： 408.263.7846
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1
初步
CM9100
封装引脚
PACKAGE /引脚布局图
顶视图
（引脚往下看）
销1
记号
VSTB
VIN
NC
NC
底部视图
（引脚最多查看）
13
14
15
16
15
14
13
NC
GND
NC
VREF
1
12 NC
12
11
10
9
16
1
CM910
000QE
2
3
4
11 VOUT
10 NC
9 STAT
GND
PAD
2
3
4
8
7
6
5 ISET
NC 6
NC 7
CM9100-00QE
16引脚TQFN封装（采用4mm x 4mm ）
注意：该附图是不按比例。
铅（ S）
名字
描述
1
2
3
4
NC
GND
NC
VREF
ISET
无连接。
接地引脚。
无连接。
4.2V ， 2毫安参考输出引脚。
引脚设置在快速充电（ CC ）模式下，最大充电电流。另外，
反映实际充电电流。该引脚与地之间的电阻值决定
充电电流，I
CH
:
R
ISET
= 1000
×
2.5
V
-----------------------------
-
I
CC
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
NC
NC
NC
STAT
NC
VOUT
NC
VSTB
NC
无连接。
无连接。
无连接。
充电状态指示引脚（开漏输出） 。
无连接。
充电器输出引脚
无连接。
4.2V输出端子，连接盖到地，以增加稳定性。
无连接。
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2
NC 8
引脚说明
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CM9100
引脚说明（续）
引脚说明
15
16
NC
VIN
无连接。
正输入电源电压引脚，其权力的充电器。
订购信息
品名信息
无铅完成
引脚
16
包
TQFN
订货型号
1
CM9100-00QE
最热
CM910 000QE
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
ESD保护（ HBM ）
V
IN
到GND
引脚电压
V
OUT
, V
REF
, V
机顶盒
到GND
I
集
STAT到GND
存储温度范围
工作温度范围（环境）
焊接温度（焊接， 10秒）
等级
±2
[ GND - 0.3 ]为+6.5
[ GND - 0.3 ]为+6.5
[ GND - 0.3 ]为+6.5
-65到+150
-40至+85
300
单位
kV
V
V
V
°C
°C
°C
电气运行特性
（见注1 ）
符号
V
IN
I
Q
参数
VIN电源电压
静态电流
条件
V
IN
充电模式， exclud-
荷兰国际集团电流ISET和
STAT引脚。所有输出
在无负载。
V
IN
= 0V （ 100Ω - 电阻器
接地） ，V
BAT
= 4.2V
V
OUT
< 3.2V
0.85 ×1
PR
民
4.75
典型值
2
最大
6.5
单位
V
mA
V
SHDN
电池漏电流
0.5
1
A
充电功能
I
PR
预充电模式电流
250
I
PR
= -----------------------
-
R
SET
(
kΩ
)
3.30
1.14 ×1
PR
mA
T
CC
CC模式的电压阈值
3.20
3.40
V
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规格（续）
电气运行特性
（见注1 ）
符号
I
CC
参数
条件
CC模式充电电流V
OUT
> 3.5V
民
0.92 ×1
CC
典型值
2500
I
CC
= -----------------------
-
R
SET
(
kΩ
)
4.200
100
I
TERM
= -----------------------
-
R
SET
(
kΩ
)
4.100
105
140
1.0
120
4.200
4.200
最大
1.08 x
I
CC
4.210
1.2 x
I
TERM
4.110
125
150
1.1
150
4.210
4.300
0.1
0.5
单位
mA
V
CC
I
TERM
CV模电压阈值
充电终止电流V
OUT
> 4.190V
4.190
0.8 x
I
TERM
4.090
（注2 ）
（注3）
（注4 ）
I
CC
= 500毫安
I
REF
＆ LT ; 1毫安
95
130
0.9
100
4.190
4.100
I
SINK
= 5毫安
I
SINK
= 20mA下
V
mA
V
RCH
充电模式阈值
恒定温
模式，极限
过温保护
化，极限
过电流充电
（ OCP ） ，极限
R
DSON
充电器的MOSFET
稳压电压V
REF
稳压电压V
机顶盒
V
C
C
A
mΩ
V
V
V
V
OTP
OCP
VREF
V
REF
VSTB
V
机顶盒
控制功能
STAT
STAT （漏极开路）输出
低电压
注1 ： V
IN
= 5.0V 。所有输出上。牛逼
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
注2 ：当芯片温度达到105 ℃时， IC内部热限制将减少亲保持这个温度
编程充电电流
注3 ：当芯片温度达到140℃时，IC进入锁存关断模式。停止充电，停止供应
V
OUT
） 。要恢复充电功能，一个V的切换
IN
是必须的。
注4 ：当充电电流达到1.2A时， IC进入关断，只有切换V锁存模式
IN
可能恢复功能。
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典型性能曲线
充电算法
电池模拟器， Cbattery = 30 μF的
R
ISET
= 5 k
Ichg_cc=500mA
CV模式= 4.2V
电池电压
电池电压
充电电流
CC模式= 3.3V
充电电流
Ichg_pr=50mA
Ichg_term=25mA
时间（ 2 ms /格）
时间（ 2 ms /格）
电池电流阈值
电池电压阈值
功能框图
VIN
OCP
当前
极限
CM9100
VSTB
VOUT
OTP
GND
OVER - TEMP
极限
Qc
VREF
LDO
充电器
控制
STAT
ISET
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