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CD54HC221 , CD74HC221 ,
CD74HCT221
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS166F
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双单稳多谐振荡器与重置
描述
在“ HC221和CD74HCT221是双单稳态
多谐振荡器与重置。外部电阻器(R
X
)和一个
外部电容(C
X
)控制的定时和准确性
用于电路。的R调整
X
和C
X
提供了一个广泛
输出脉冲的宽度范围从Q和Q端。
脉冲触发的B输入端发生在一个特定的电压
电平,并且不涉及到的上升和下降的触发时间
脉搏。
一旦被触发,该输出是独立的进一步触发
关于A和B的输出脉冲输入可通过一个终止
低电平的复位( R)端子。下降沿触发( A)
和领先的触发提供了用于(B )输入
从输入脉冲边沿触发。上电时,
在IC被复位。如果任一单不使用每个输入(在
未使用的设备),必须终止或高或低。
外部电阻R的最小值
X
,通常是500Ω 。
外部电容C的最小值
X
是0pF 。该
对于脉冲宽度的计算是叔
W
= 0.7 R
X
C
X
在V
CC
= 4.5V.
特点
重写复位终止输出脉冲
[ /标题
(CD74
HC221
,
CD74
HCT22
1)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
MONOS
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发输入B
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC221F3A
CD74HC221E
CD74HC221M
CD74HC221MT
CD74HC221M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC221
( CERDIP )
CD74HC221
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT221
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2C
X
R
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1C
X
R
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
CD74HC221NSR
CD74HC221PW
CD74HC221PWR
CD74HC221PWT
CD74HCT221E
CD74HCT221M
CD74HCT221MT
CD74HCT221M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC221 , CD74HC221 , CD74HCT221
工作原理图
1C
X
14
1C
X
1A
1
1B
2
1R
3
11
9
2A
10
2B
2C
X
6
2C
X
2C
X
R
X
7
V
CC
2R
X
MONO 2
12
2Q
5
2Q
MONO 1
4
1Q
1R
X
V
CC
15
1C
X
R
X
13
1Q
2R
真值表
输入
A
H
X
L
X
L
B
X
L
H
X
H
R
H
H
H
H
L
(注3)
(注3)
L
H
Q
L
L
输出
Q
H
H
H =高电平, L =低电压等级,X =无关,
=从转型
从低到高级别,
=转型从高至低的水平,
=一个高级别
脉冲,
=一个低电平脉冲
注意:
1.对于该组合中的复位输入必须为低电平,并按照下列顺序
必须使用:引脚1(或9 )必须设置为高或引脚2 (或10 )设置为低电平;那么引脚1
(或9 )必须是低引脚2 (或10)为高。现在的复位输入从低
到高和器件将被触发。
2
CD54HC221 , CD74HC221 , CD74HCT221
逻辑图
V
CC
C
16
P
R
X
N
A
1 (9)
2 (10)
B
3 (11)
P
V
CC
R
D
RESET
FF
S
R
Q
V
CC
MIRROR电压
QM
QM
面膜
FF
R
S
FF
Q
N
下拉
FF
D
C
4 (12)
Q
(13) 5
Q
C
R
Q
Q
N
8
R1
R4
PP
R3
C
C
P
OP
AMP
R2
-
+
R
15 (7)
R
X
C
X
C
X
Q
14 (6)
C
X
GND
V
CC
+
-
运算放大器
3
CD54HC221 , CD74HC221 , CD74HCT221
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
在输入A和R
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
输入B上
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限纳秒(最大)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限纳秒(最大)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限纳秒(最大)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC221 , CD74HC221 , CD74HCT221
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
-
0
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
±1
80
-
-
最大
±1
160
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有的输入
单位负载
0.3
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
输入脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
输入脉冲宽度
B
t
WH
2
4.5
6
70
14
12
70
14
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
90
18
15
-
-
-
-
-
-
105
21
18
105
21
18
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
5
CD54HC221 , CD74HC221 ,
CD74HCT221
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS166F
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双单稳多谐振荡器与重置
描述
在“ HC221和CD74HCT221是双单稳态
多谐振荡器与重置。外部电阻器(R
X
)和一个
外部电容(C
X
)控制的定时和准确性
用于电路。的R调整
X
和C
X
提供了一个广泛
输出脉冲的宽度范围从Q和Q端。
脉冲触发的B输入端发生在一个特定的电压
电平,并且不涉及到的上升和下降的触发时间
脉搏。
一旦被触发,该输出是独立的进一步触发
关于A和B的输出脉冲输入可通过一个终止
低电平的复位( R)端子。下降沿触发( A)
和领先的触发提供了用于(B )输入
从输入脉冲边沿触发。上电时,
在IC被复位。如果任一单不使用每个输入(在
未使用的设备),必须终止或高或低。
外部电阻R的最小值
X
,通常是500Ω 。
外部电容C的最小值
X
是0pF 。该
对于脉冲宽度的计算是叔
W
= 0.7 R
X
C
X
在V
CC
= 4.5V.
特点
重写复位终止输出脉冲
[ /标题
(CD74
HC221
,
CD74
HCT22
1)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
MONOS
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发输入B
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC221F3A
CD74HC221E
CD74HC221M
CD74HC221MT
CD74HC221M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC221
( CERDIP )
CD74HC221
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT221
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2C
X
R
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1C
X
R
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
CD74HC221NSR
CD74HC221PW
CD74HC221PWR
CD74HC221PWT
CD74HCT221E
CD74HCT221M
CD74HCT221MT
CD74HCT221M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC221 , CD74HC221 , CD74HCT221
工作原理图
1C
X
14
1C
X
1A
1
1B
2
1R
3
11
9
2A
10
2B
2C
X
6
2C
X
2C
X
R
X
7
V
CC
2R
X
MONO 2
12
2Q
5
2Q
MONO 1
4
1Q
1R
X
V
CC
15
1C
X
R
X
13
1Q
2R
真值表
输入
A
H
X
L
X
L
B
X
L
H
X
H
R
H
H
H
H
L
(注3)
(注3)
L
H
Q
L
L
输出
Q
H
H
H =高电平, L =低电压等级,X =无关,
=从转型
从低到高级别,
=转型从高至低的水平,
=一个高级别
脉冲,
=一个低电平脉冲
注意:
1.对于该组合中的复位输入必须为低电平,并按照下列顺序
必须使用:引脚1(或9 )必须设置为高或引脚2 (或10 )设置为低电平;那么引脚1
(或9 )必须是低引脚2 (或10)为高。现在的复位输入从低
到高和器件将被触发。
2
CD54HC221 , CD74HC221 , CD74HCT221
逻辑图
V
CC
C
16
P
R
X
N
A
1 (9)
2 (10)
B
3 (11)
P
V
CC
R
D
RESET
FF
S
R
Q
V
CC
MIRROR电压
QM
QM
面膜
FF
R
S
FF
Q
N
下拉
FF
D
C
4 (12)
Q
(13) 5
Q
C
R
Q
Q
N
8
R1
R4
PP
R3
C
C
P
OP
AMP
R2
-
+
R
15 (7)
R
X
C
X
C
X
Q
14 (6)
C
X
GND
V
CC
+
-
运算放大器
3
CD54HC221 , CD74HC221 , CD74HCT221
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
在输入A和R
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
输入B上
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限纳秒(最大)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限纳秒(最大)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限纳秒(最大)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC221 , CD74HC221 , CD74HCT221
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
-
0
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
±1
80
-
-
最大
±1
160
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有的输入
单位负载
0.3
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
输入脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
输入脉冲宽度
B
t
WH
2
4.5
6
70
14
12
70
14
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
90
18
15
-
-
-
-
-
-
105
21
18
105
21
18
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
5
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