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CD54HC139 , CD74HC139 ,
CD54HCT139 , CD74HCT139
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS148D
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双2-4线译码器/多路解复用器
描述
在“ HC139和” HCT139器件包含两个独立的
二,以每4解码器之一,一个低电平有效
使能输入(1E或2E) 。在选择输入数据( 1A0和
1A1和2A0和2A1 )事业的四个常高的一个
输出变为低电平。
如果使能输入为高电平所有四个输出维持在高位。为
多路分解器的操作使能输入为输入的数据。
使能输入功能的芯片选择,当这些
装置进行级联。该装置在功能上是相同的
作为CD4556B是引脚兼容。
这些器件的输出可以驱动10低功耗
肖特基TTL等效负载。在HCT逻辑家族
在功能上,以及等同于LS逻辑系列引脚。
特点
[ /标题
(CD74
HC139
,
CD74
HCT13
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
2-to-4
LINE
DECOD
多功能能力
- 二进制的4解码器,以1或1到4号线
多路解复用器
低电平有效互斥输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
内存解码,数据路由,代码转换
订购信息
产品型号
CD54HC139F3A
CD54HCT139F3A
CD74HC139E
CD74HC139M
CD74HC139MT
CD74HC139M96
CD74HCT139E
CD74HCT139M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC139 , CD54HCT139
( CERDIP )
CD74HC139 , CD74HCT139
( PDIP , SOIC )
顶视图
1E 1
1A0 2
1A1 3
1Y0 4
1Y1 5
1Y2 6
1Y3 7
GND 8
16 V
CC
15 2E
14 2A0
13 2A1
12 2Y0
11 2Y1
10 2Y2
9 2Y3
CD74HCT139MT
CD74HCT139M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
工作原理图
4 (12)
2 (14)
A0
3 (13)
A1
5 (11)
Y1
6 (10)
Y2
7 (9)
1 (15)
E
Y3
Y0
真值表
输入特性使其能够选择
E
0
0
0
0
1
A1
0
0
1
1
X
A0
0
1
0
1
X
Y3
1
1
1
0
1
输出
Y2
1
1
0
1
1
Y1
1
0
1
1
1
Y0
0
1
1
1
1
X =无所谓,逻辑1 =高,逻辑0 =低
逻辑图
4 (12)
Y0
5 (11)
Y1
3 (13)
A1
6 (10)
Y2
7 (9)
Y3
2 (14)
A0
1 (15)
E
2
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
A0,A1到输出
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
11
145
29
25
135
27
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
36
31
170
34
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
38
205
41
35
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
E至输出
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
选择输出
使能到输出
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
5
5
4
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
55
-
最大
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
-
10
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
最大
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
pF
pF
参数
符号
TEST
条件
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间(图1 )T
TLH
, t
THL
功耗
电容(注3,4)
输入电容
HCT类型
传播延迟
A0,A1到输出
E至输出
选择输出
使能到输出
输出转换时间
(图2)
功耗
电容(注3,4)
输入电容
注意事项:
C
PD
C
IN
-
-
5
-
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
PD
C
IN
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
4.5
5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
14
-
59
-
34
34
-
-
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
43
43
-
-
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
51
51
-
-
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个解码器/多路解复用器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
)其中:f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC139 , CD74HC139 ,
CD54HCT139 , CD74HCT139
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS148D
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双2-4线译码器/多路解复用器
描述
在“ HC139和” HCT139器件包含两个独立的
二,以每4解码器之一,一个低电平有效
使能输入(1E或2E) 。在选择输入数据( 1A0和
1A1和2A0和2A1 )事业的四个常高的一个
输出变为低电平。
如果使能输入为高电平所有四个输出维持在高位。为
多路分解器的操作使能输入为输入的数据。
使能输入功能的芯片选择,当这些
装置进行级联。该装置在功能上是相同的
作为CD4556B是引脚兼容。
这些器件的输出可以驱动10低功耗
肖特基TTL等效负载。在HCT逻辑家族
在功能上,以及等同于LS逻辑系列引脚。
特点
[ /标题
(CD74
HC139
,
CD74
HCT13
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
2-to-4
LINE
DECOD
多功能能力
- 二进制的4解码器,以1或1到4号线
多路解复用器
低电平有效互斥输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
内存解码,数据路由,代码转换
订购信息
产品型号
CD54HC139F3A
CD54HCT139F3A
CD74HC139E
CD74HC139M
CD74HC139MT
CD74HC139M96
CD74HCT139E
CD74HCT139M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC139 , CD54HCT139
( CERDIP )
CD74HC139 , CD74HCT139
( PDIP , SOIC )
顶视图
1E 1
1A0 2
1A1 3
1Y0 4
1Y1 5
1Y2 6
1Y3 7
GND 8
16 V
CC
15 2E
14 2A0
13 2A1
12 2Y0
11 2Y1
10 2Y2
9 2Y3
CD74HCT139MT
CD74HCT139M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
工作原理图
4 (12)
2 (14)
A0
3 (13)
A1
5 (11)
Y1
6 (10)
Y2
7 (9)
1 (15)
E
Y3
Y0
真值表
输入特性使其能够选择
E
0
0
0
0
1
A1
0
0
1
1
X
A0
0
1
0
1
X
Y3
1
1
1
0
1
输出
Y2
1
1
0
1
1
Y1
1
0
1
1
1
Y0
0
1
1
1
1
X =无所谓,逻辑1 =高,逻辑0 =低
逻辑图
4 (12)
Y0
5 (11)
Y1
3 (13)
A1
6 (10)
Y2
7 (9)
Y3
2 (14)
A0
1 (15)
E
2
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
A0,A1到输出
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
11
145
29
25
135
27
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
36
31
170
34
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
38
205
41
35
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
E至输出
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
选择输出
使能到输出
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
5
5
4
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
55
-
最大
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
-
10
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
最大
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
pF
pF
参数
符号
TEST
条件
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间(图1 )T
TLH
, t
THL
功耗
电容(注3,4)
输入电容
HCT类型
传播延迟
A0,A1到输出
E至输出
选择输出
使能到输出
输出转换时间
(图2)
功耗
电容(注3,4)
输入电容
注意事项:
C
PD
C
IN
-
-
5
-
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
PD
C
IN
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
4.5
5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
14
-
59
-
34
34
-
-
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
43
43
-
-
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
51
51
-
-
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个解码器/多路解复用器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
)其中:f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC139 , CD74HC139 ,
CD54HCT139 , CD74HCT139
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS148D
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双2-4线译码器/多路解复用器
描述
在“ HC139和” HCT139器件包含两个独立的
二,以每4解码器之一,一个低电平有效
使能输入(1E或2E) 。在选择输入数据( 1A0和
1A1和2A0和2A1 )事业的四个常高的一个
输出变为低电平。
如果使能输入为高电平所有四个输出维持在高位。为
多路分解器的操作使能输入为输入的数据。
使能输入功能的芯片选择,当这些
装置进行级联。该装置在功能上是相同的
作为CD4556B是引脚兼容。
这些器件的输出可以驱动10低功耗
肖特基TTL等效负载。在HCT逻辑家族
在功能上,以及等同于LS逻辑系列引脚。
特点
[ /标题
(CD74
HC139
,
CD74
HCT13
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
2-to-4
LINE
DECOD
多功能能力
- 二进制的4解码器,以1或1到4号线
多路解复用器
低电平有效互斥输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
内存解码,数据路由,代码转换
订购信息
产品型号
CD54HC139F3A
CD54HCT139F3A
CD74HC139E
CD74HC139M
CD74HC139MT
CD74HC139M96
CD74HCT139E
CD74HCT139M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC139 , CD54HCT139
( CERDIP )
CD74HC139 , CD74HCT139
( PDIP , SOIC )
顶视图
1E 1
1A0 2
1A1 3
1Y0 4
1Y1 5
1Y2 6
1Y3 7
GND 8
16 V
CC
15 2E
14 2A0
13 2A1
12 2Y0
11 2Y1
10 2Y2
9 2Y3
CD74HCT139MT
CD74HCT139M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
工作原理图
4 (12)
2 (14)
A0
3 (13)
A1
5 (11)
Y1
6 (10)
Y2
7 (9)
1 (15)
E
Y3
Y0
真值表
输入特性使其能够选择
E
0
0
0
0
1
A1
0
0
1
1
X
A0
0
1
0
1
X
Y3
1
1
1
0
1
输出
Y2
1
1
0
1
1
Y1
1
0
1
1
1
Y0
0
1
1
1
1
X =无所谓,逻辑1 =高,逻辑0 =低
逻辑图
4 (12)
Y0
5 (11)
Y1
3 (13)
A1
6 (10)
Y2
7 (9)
Y3
2 (14)
A0
1 (15)
E
2
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
A0,A1到输出
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
11
145
29
25
135
27
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
36
31
170
34
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
38
205
41
35
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
E至输出
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
选择输出
使能到输出
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
5
5
4
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
55
-
最大
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
-
10
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
最大
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
pF
pF
参数
符号
TEST
条件
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间(图1 )T
TLH
, t
THL
功耗
电容(注3,4)
输入电容
HCT类型
传播延迟
A0,A1到输出
E至输出
选择输出
使能到输出
输出转换时间
(图2)
功耗
电容(注3,4)
输入电容
注意事项:
C
PD
C
IN
-
-
5
-
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
PD
C
IN
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
4.5
5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
14
-
59
-
34
34
-
-
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
43
43
-
-
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
51
51
-
-
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个解码器/多路解复用器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
)其中:f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC139 , CD74HC139 ,
CD54HCT139 , CD74HCT139
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS148D
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双2-4线译码器/多路解复用器
描述
在“ HC139和” HCT139器件包含两个独立的
二,以每4解码器之一,一个低电平有效
使能输入(1E或2E) 。在选择输入数据( 1A0和
1A1和2A0和2A1 )事业的四个常高的一个
输出变为低电平。
如果使能输入为高电平所有四个输出维持在高位。为
多路分解器的操作使能输入为输入的数据。
使能输入功能的芯片选择,当这些
装置进行级联。该装置在功能上是相同的
作为CD4556B是引脚兼容。
这些器件的输出可以驱动10低功耗
肖特基TTL等效负载。在HCT逻辑家族
在功能上,以及等同于LS逻辑系列引脚。
特点
[ /标题
(CD74
HC139
,
CD74
HCT13
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
2-to-4
LINE
DECOD
多功能能力
- 二进制的4解码器,以1或1到4号线
多路解复用器
低电平有效互斥输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
内存解码,数据路由,代码转换
订购信息
产品型号
CD54HC139F3A
CD54HCT139F3A
CD74HC139E
CD74HC139M
CD74HC139MT
CD74HC139M96
CD74HCT139E
CD74HCT139M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC139 , CD54HCT139
( CERDIP )
CD74HC139 , CD74HCT139
( PDIP , SOIC )
顶视图
1E 1
1A0 2
1A1 3
1Y0 4
1Y1 5
1Y2 6
1Y3 7
GND 8
16 V
CC
15 2E
14 2A0
13 2A1
12 2Y0
11 2Y1
10 2Y2
9 2Y3
CD74HCT139MT
CD74HCT139M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
工作原理图
4 (12)
2 (14)
A0
3 (13)
A1
5 (11)
Y1
6 (10)
Y2
7 (9)
1 (15)
E
Y3
Y0
真值表
输入特性使其能够选择
E
0
0
0
0
1
A1
0
0
1
1
X
A0
0
1
0
1
X
Y3
1
1
1
0
1
输出
Y2
1
1
0
1
1
Y1
1
0
1
1
1
Y0
0
1
1
1
1
X =无所谓,逻辑1 =高,逻辑0 =低
逻辑图
4 (12)
Y0
5 (11)
Y1
3 (13)
A1
6 (10)
Y2
7 (9)
Y3
2 (14)
A0
1 (15)
E
2
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
A0,A1到输出
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
11
145
29
25
135
27
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
36
31
170
34
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
38
205
41
35
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
E至输出
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
选择输出
使能到输出
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
5
5
4
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
55
-
最大
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
-
10
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
最大
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
pF
pF
参数
符号
TEST
条件
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间(图1 )T
TLH
, t
THL
功耗
电容(注3,4)
输入电容
HCT类型
传播延迟
A0,A1到输出
E至输出
选择输出
使能到输出
输出转换时间
(图2)
功耗
电容(注3,4)
输入电容
注意事项:
C
PD
C
IN
-
-
5
-
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
PD
C
IN
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
4.5
5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
14
-
59
-
34
34
-
-
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
43
43
-
-
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
51
51
-
-
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个解码器/多路解复用器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
)其中:f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC139 , CD74HC139 ,
CD54HCT139 , CD74HCT139
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS148D
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双2-4线译码器/多路解复用器
描述
在“ HC139和” HCT139器件包含两个独立的
二,以每4解码器之一,一个低电平有效
使能输入(1E或2E) 。在选择输入数据( 1A0和
1A1和2A0和2A1 )事业的四个常高的一个
输出变为低电平。
如果使能输入为高电平所有四个输出维持在高位。为
多路分解器的操作使能输入为输入的数据。
使能输入功能的芯片选择,当这些
装置进行级联。该装置在功能上是相同的
作为CD4556B是引脚兼容。
这些器件的输出可以驱动10低功耗
肖特基TTL等效负载。在HCT逻辑家族
在功能上,以及等同于LS逻辑系列引脚。
特点
[ /标题
(CD74
HC139
,
CD74
HCT13
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
2-to-4
LINE
DECOD
多功能能力
- 二进制的4解码器,以1或1到4号线
多路解复用器
低电平有效互斥输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
内存解码,数据路由,代码转换
订购信息
产品型号
CD54HC139F3A
CD54HCT139F3A
CD74HC139E
CD74HC139M
CD74HC139MT
CD74HC139M96
CD74HCT139E
CD74HCT139M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC139 , CD54HCT139
( CERDIP )
CD74HC139 , CD74HCT139
( PDIP , SOIC )
顶视图
1E 1
1A0 2
1A1 3
1Y0 4
1Y1 5
1Y2 6
1Y3 7
GND 8
16 V
CC
15 2E
14 2A0
13 2A1
12 2Y0
11 2Y1
10 2Y2
9 2Y3
CD74HCT139MT
CD74HCT139M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
工作原理图
4 (12)
2 (14)
A0
3 (13)
A1
5 (11)
Y1
6 (10)
Y2
7 (9)
1 (15)
E
Y3
Y0
真值表
输入特性使其能够选择
E
0
0
0
0
1
A1
0
0
1
1
X
A0
0
1
0
1
X
Y3
1
1
1
0
1
输出
Y2
1
1
0
1
1
Y1
1
0
1
1
1
Y0
0
1
1
1
1
X =无所谓,逻辑1 =高,逻辑0 =低
逻辑图
4 (12)
Y0
5 (11)
Y1
3 (13)
A1
6 (10)
Y2
7 (9)
Y3
2 (14)
A0
1 (15)
E
2
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
A0,A1到输出
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
11
145
29
25
135
27
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
36
31
170
34
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
38
205
41
35
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
E至输出
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
选择输出
使能到输出
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
5
5
4
CD54HC139 , CD74HC139 , CD54HCT139 , CD74HCT139
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
55
-
最大
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
-
10
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
最大
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
pF
pF
参数
符号
TEST
条件
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间(图1 )T
TLH
, t
THL
功耗
电容(注3,4)
输入电容
HCT类型
传播延迟
A0,A1到输出
E至输出
选择输出
使能到输出
输出转换时间
(图2)
功耗
电容(注3,4)
输入电容
注意事项:
C
PD
C
IN
-
-
5
-
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
PLH ,
t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
PD
C
IN
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
4.5
5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
14
-
59
-
34
34
-
-
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
43
43
-
-
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
51
51
-
-
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个解码器/多路解复用器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
)其中:f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
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