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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1367页 > CD74HC137E
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146F
CD74HC137 ， CD74HCT137 ，
CD54HC237 ， CD74HC237 ，
CD74HCT237
高速CMOS逻辑， 3-8线
解码器/多路解复用器与地址锁存器
两电路具有三个二进制选择输入端（ A0，A1和A2）的
可以通过活性高锁存锁存使能（ LE）的
信号隔离从选择输入变化的输出。一
“低” LE使输出透明的输入和
电路功能为一体-的- 8的解码器。两个输出
使能输入（ OE
1
和OE
0
）被提供，以简化
级联
和
to
便利
解复用。
该
解复用功能，通过A完成
0
, A
1
,
A
2
输入来选择所期望的输出，并使用所述一个
其他输出使能输入，数据输入的同时按住
其他输出使能输入激活状态。在
CD74HC137和CD74HCT137所选择的输出是一
“低” ;在“ HC237和CD74HCT237所选择的输出是
一个“高” 。
1998年3月 - 修订2003年10月
特点
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高有效的“ HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入，以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的，T
A
= 25
o
C（ CD74HC237 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30％ ，第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC237F3A
CD74HC137E
CD74HC137PW
CD74HC137PWR
CD74HC137PWT
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HC237MT
CD74HC237M96
CD74HC237NSR
CD74HC237PW
CD74HC237PWR
CD74HC237PWT
CD74HCT137E
CD74HCT137MT
CD74HCT137M96
CD74HCT237E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
该
CD74HC137,
CD74HCT137,
’HC237,
和
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路，具有低功耗
通常与CMOS电路有关，但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
引脚
CD54HC237 （ CERDIP ）
CD74HC137 （ PDIP ， TSSOP ）
CD74HCT137 （ PDIP ， SOIC ）
CD74HC237 （ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
CD74HCT237 （ PDIP ）
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
OE
1
OE
0
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
10
9
7
LE
工作原理图
1
2
3
4
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
“ HC137 ” HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
“ HC237 ” HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
3
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
A
n
到LE建立时间
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
A
n
到LE保持时间
t
H
2
4.5
6
25
o
C
民
50
10
9
30
6
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
65
13
11
40
8
7
最大
-
-
-
-
-
-
民
75
15
13
45
9
8
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146
CD74HC137 ， CD74HCT137 ，
CD74HC237 ， CD74HCT237
高速CMOS逻辑， 3至8线译码器
多路解复用器与地址锁存器
1998年3月
特点
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高电平有效的CD74HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入，以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的，T
A
= 25
o
C（ CD74HC237 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30％ ，第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
引脚
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1886.1
1
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
描述
哈里斯CD74HC137 ， CD74HC237和CD74HCT137 ，
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路，具有低功耗
通常与CMOS电路有关，但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
两电路具有三个二进制选择输入端（ A0，A1和A2）的
可以通过一个高电平有效锁存使能（ LE ）显被锁定
最终以隔离选择输入变化的输出。 “低”
LE使输出透明的输入和电路
作为一对- 8的解码器。两个输出使能
输入（ OE
1
和OE
0
）被提供以简化的级联
并便于多路分解。解复用功能
通过使用A完成
0
, A
1
, A
2
输入来选择
期望的输出的另一输出的和使用一个允许
输入作为输入数据的同时保持其它输出
使能输入激活状态。在CD74HC137和
CD74HCT137所选择的输出是一个“低” ;在
CD74HC237和CD74HCT237所选择的输出是一
??高?? 。
订购信息
产品型号
CD74HC137E
CD74HCT137E
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HCT237E
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片这部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
PKG 。
号
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
E16.3
2
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
工作原理图
1
2
3
4
LE
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
10
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
9
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
OE
1
OE
0
CD74HC137 ， CD74HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
CD74HC237 ， CD74HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
3
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
4
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
160
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146
CD74HC137 ， CD74HCT137 ，
CD74HC237 ， CD74HCT237
高速CMOS逻辑， 3至8线译码器
多路解复用器与地址锁存器
1998年3月
特点
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高电平有效的CD74HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入，以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的，T
A
= 25
o
C（ CD74HC237 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30％ ，第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
引脚
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1886.1
1
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
描述
哈里斯CD74HC137 ， CD74HC237和CD74HCT137 ，
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路，具有低功耗
通常与CMOS电路有关，但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
两电路具有三个二进制选择输入端（ A0，A1和A2）的
可以通过一个高电平有效锁存使能（ LE ）显被锁定
最终以隔离选择输入变化的输出。 “低”
LE使输出透明的输入和电路
作为一对- 8的解码器。两个输出使能
输入（ OE
1
和OE
0
）被提供以简化的级联
并便于多路分解。解复用功能
通过使用A完成
0
, A
1
, A
2
输入来选择
期望的输出的另一输出的和使用一个允许
输入作为输入数据的同时保持其它输出
使能输入激活状态。在CD74HC137和
CD74HCT137所选择的输出是一个“低” ;在
CD74HC237和CD74HCT237所选择的输出是一
??高?? 。
订购信息
产品型号
CD74HC137E
CD74HCT137E
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HCT237E
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片这部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
PKG 。
号
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
E16.3
2
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
工作原理图
1
2
3
4
LE
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
10
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
9
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
OE
1
OE
0
CD74HC137 ， CD74HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
CD74HC237 ， CD74HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
3
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
4
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
160
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146F
CD74HC137 ， CD74HCT137 ，
CD54HC237 ， CD74HC237 ，
CD74HCT237
高速CMOS逻辑， 3-8线
解码器/多路解复用器与地址锁存器
两电路具有三个二进制选择输入端（ A0，A1和A2）的
可以通过活性高锁存锁存使能（ LE）的
信号隔离从选择输入变化的输出。一
“低” LE使输出透明的输入和
电路功能为一体-的- 8的解码器。两个输出
使能输入（ OE
1
和OE
0
）被提供，以简化
级联
和
to
便利
解复用。
该
解复用功能，通过A完成
0
, A
1
,
A
2
输入来选择所期望的输出，并使用所述一个
其他输出使能输入，数据输入的同时按住
其他输出使能输入激活状态。在
CD74HC137和CD74HCT137所选择的输出是一
“低” ;在“ HC237和CD74HCT237所选择的输出是
一个“高” 。
1998年3月 - 修订2003年10月
特点
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高有效的“ HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入，以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的，T
A
= 25
o
C（ CD74HC237 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30％ ，第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC237F3A
CD74HC137E
CD74HC137PW
CD74HC137PWR
CD74HC137PWT
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HC237MT
CD74HC237M96
CD74HC237NSR
CD74HC237PW
CD74HC237PWR
CD74HC237PWT
CD74HCT137E
CD74HCT137MT
CD74HCT137M96
CD74HCT237E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
该
CD74HC137,
CD74HCT137,
’HC237,
和
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路，具有低功耗
通常与CMOS电路有关，但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
引脚
CD54HC237 （ CERDIP ）
CD74HC137 （ PDIP ， TSSOP ）
CD74HCT137 （ PDIP ， SOIC ）
CD74HC237 （ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
CD74HCT237 （ PDIP ）
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
OE
1
OE
0
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
10
9
7
LE
工作原理图
1
2
3
4
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
“ HC137 ” HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
“ HC237 ” HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
3
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
A
n
到LE建立时间
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
A
n
到LE保持时间
t
H
2
4.5
6
25
o
C
民
50
10
9
30
6
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
65
13
11
40
8
7
最大
-
-
-
-
-
-
民
75
15
13
45
9
8
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD74HC137 ， CD74HCT137 ，
CD54 / 74HC237 ， CD74HCT237
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146C
1998年3月 - 修订2002年7月
高速CMOS逻辑， 3至8线译码器
多路解复用器与地址锁存器
描述
该
CD74HC137,
CD74HCT137,
’HC237,
和
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路，具有低功耗
通常与CMOS电路有关，但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
两电路具有三个二进制选择输入端（ A0，A1和A2）的
可以通过一个高电平有效锁存使能（ LE ）显被锁定
最终以隔离选择输入变化的输出。 “低”
LE使输出透明的输入和电路
作为一对- 8的解码器。两个输出使能
输入（ OE
1
和OE
0
）被提供以简化的级联
并便于多路分解。解复用功能
通过使用A完成
0
, A
1
, A
2
输入来选择
期望的输出的另一输出的和使用一个允许
输入作为输入数据的同时保持其它输出
使能输入激活状态。在CD74HC137和
CD74HCT137所选择的输出是一个“低” ;在“ HC237
和CD74HCT237所选择的输出是一个“高” 。
特点
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高有效的“ HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入，以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的，T
A
= 25
o
C（ CD74HC237 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30％ ，第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC137E
CD74HCT137E
CD74HCT137M96
CD54HC237F
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
引脚
CD54HC237
（ CERDIP ）
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD74HCT237
（ PDIP ， SOIC ）
CD74HC237
（ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
CD54HC237F3A
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HC237M96
CD74HC237NSR
CD74HC237PWR
CD74HCT237E
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片这部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的TI销售办事处
或客户服务的订购信息。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2002年，德州仪器
1
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54 / 74HC237 ， CD74HCT237
工作原理图
1
2
3
4
LE
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
10
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
9
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
OE
1
OE
0
“ HC137 ” HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
“ HC237 ” HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54 / 74HC237 ， CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
3
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54 / 74HC237 ， CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3 ） ：
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
SOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54 / 74HC237 ， CD74HCT237
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
（注）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注：对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
A
n
到LE建立时间
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
A
n
到LE保持时间
t
H
2
4.5
6
25
o
C
民
50
10
9
30
6
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
65
13
11
40
8
7
最大
-
-
-
-
-
-
民
75
15
13
45
9
8
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146F
CD74HC137 ， CD74HCT137 ，
CD54HC237 ， CD74HC237 ，
CD74HCT237
高速CMOS逻辑， 3-8线
解码器/多路解复用器与地址锁存器
两电路具有三个二进制选择输入端（ A0，A1和A2）的
可以通过活性高锁存锁存使能（ LE）的
信号隔离从选择输入变化的输出。一
“低” LE使输出透明的输入和
电路功能为一体-的- 8的解码器。两个输出
使能输入（ OE
1
和OE
0
）被提供，以简化
级联
和
to
便利
解复用。
该
解复用功能，通过A完成
0
, A
1
,
A
2
输入来选择所期望的输出，并使用所述一个
其他输出使能输入，数据输入的同时按住
其他输出使能输入激活状态。在
CD74HC137和CD74HCT137所选择的输出是一
“低” ;在“ HC237和CD74HCT237所选择的输出是
一个“高” 。
1998年3月 - 修订2003年10月
特点
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高有效的“ HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入，以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的，T
A
= 25
o
C（ CD74HC237 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30％ ，第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC237F3A
CD74HC137E
CD74HC137PW
CD74HC137PWR
CD74HC137PWT
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HC237MT
CD74HC237M96
CD74HC237NSR
CD74HC237PW
CD74HC237PWR
CD74HC237PWT
CD74HCT137E
CD74HCT137MT
CD74HCT137M96
CD74HCT237E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
该
CD74HC137,
CD74HCT137,
’HC237,
和
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路，具有低功耗
通常与CMOS电路有关，但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
引脚
CD54HC237 （ CERDIP ）
CD74HC137 （ PDIP ， TSSOP ）
CD74HCT137 （ PDIP ， SOIC ）
CD74HC237 （ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
CD74HCT237 （ PDIP ）
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
OE
1
OE
0
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
10
9
7
LE
工作原理图
1
2
3
4
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
“ HC137 ” HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
“ HC237 ” HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用，而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
3
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD74HC137 ， CD74HCT137 ， CD54HC237 ， CD74HC237 ， CD74HCT237
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
A
n
到LE建立时间
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
A
n
到LE保持时间
t
H
2
4.5
6
25
o
C
民
50
10
9
30
6
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
65
13
11
40
8
7
最大
-
-
-
-
-
-
民
75
15
13
45
9
8
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
查看更多CD74HC137EPDF信息
推荐型号
CDBV3-00340C-G
CC430F5123
CD74HC4351M96E4
CXA2011-0000-000P00G00E8
C114K102M1BX5CP
CY7C1021B-15ZXC
CRM3A51-20.000
CBT3126PW
CR54NP-5R6MC
C2012X7R2A474KT
CD54HCT377F
CY74FCT163245APACT
CAT1021LI-25
CGS3314M
CTMC1812-R47K
CL150R-CD
CXA1507-0000-000N00F40E8
CIL295
CY7C1464AV33-167BGXI
CB1RLU221560200
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC137E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市力拓辉电子有限公司
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电话：0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人：李
地址：福田区中航路都会B座26楼26U室
CD74HC137E
TI
2021+
3719
NA
主营TI，ST,欢迎来电洽谈
深圳市煦洪科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2891128682 复制

电话：18820154873
联系人：李
地址：华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
CD74HC137E
TI/德州仪器
25+
88280
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电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
CD74HC137E
23+
15600
DIP16
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