CBT3126
四路FET总线开关
牧师03 - 2008年12月9日
产品数据表
1.概述
该CBT3126是独立的线路开关四路FET总线开关。每个开关
禁用时，相关的输出使能（ OE ）输入为低电平。
该CBT3126的特点是操作从
40 °C
+85
°C.
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
标准的“ 126型引脚
多种封装选择
5
两个端口之间的连接开关
TTL兼容的输入电平
通过开关最小的传播延迟
闭锁保护超过每JEDEC标准JESD78 II类A级500毫安
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
包
名字
CBT3126D
CBT3126DB
CBT3126PW
CBT3126DS
SO14
SSOP14
TSSOP14
SSOP16
[1]
描述
塑料小外形封装; 14线索;
体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 14线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米;引线间距0.635毫米
VERSION
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
SOT519-1
类型编号
[1]
也被称为QSOP16 。
恩智浦半导体
CBT3126
四路FET总线开关
4.功能图
2
1
5
4
9
10
12
13
001aaj024
1OE
1A
2OE
2A
3OE
3A
4OE
4A
4B
3B
2B
1B
1A
1OE
2A
2OE
3A
3OE
4A
4OE
001aaj023
3
1B
6
2B
8
3B
11 4B
引脚数都为14引脚封装。
图1 。
逻辑符号
图2 。
逻辑图
5.管脚信息
5.1钢钉
CBT3126
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aaj111
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4B
10 3Oe时
9
8
3A
3B
10E中1
1A 2
1B 3
2OE 4
2A 5
2B 6
7 GND
001aaj025
CBT3126
CBT3126
北卡罗来纳州
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4B
10 3Oe时
9 3A
8 3B
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aaj026
16 V
CC
15如图40E所示
14 4A
13 4B
12 3Oe时
11 3A
10 3B
9
北卡罗来纳州
图3 。
引脚CON组fi guration
SOT108-1 （ SO14 ）
图4 。
引脚CON组fi guration
SOT337-1 （ SSOP14 ）和
SOT402-1 （ TSSOP14 ）
图5 。
引脚CON组fi guration
SOT519-1 （ SSOP16 ）
5.2引脚说明
表2中。
符号
图10E至如图40E所示
1A至4A ，
1B到4B
CBT3126_3
引脚说明
针
SOT108-1 SOT337-1和SOT402-1
1, 4, 10, 13
2, 5, 9, 12
3, 6, 8, 11
SOT519-1
2, 5, 12, 15
3, 6, 11, 14
4, 7, 10, 13
输出使能输入
A输入/输出
B输出/输入
NXP B.V. 2008保留所有权利。
描述
产品数据表
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恩智浦半导体
CBT3126
四路FET总线开关
表2中。
符号
GND
V
CC
北卡罗来纳州
引脚说明
- 续
针
SOT108-1 SOT337-1和SOT402-1
7
14
-
SOT519-1
8
16
1, 9
接地（ 0 V ）
正电源电压
没有连接
描述
6.功能描述
表3中。
功能选择
H =高电压电平; L =低电压电平。
输入
诺埃
L
H
nA至NB断开
nA至NB连接
开关
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
CC
V
I
I
CC
I
IK
T
英镑
P
合计
电源电压
输入电压
电源电流
输入钳位电流
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
SO14封装
SSOP14和SSOP16封装
TSSOP14封装
[1]
[2]
[3]
[4]
[2]
[3]
[4]
[4]
[1]
条件
民
0.5
0.5
-
50
65
-
-
-
最大
+7.0
+7.0
128
-
+150
500
500
500
单位
V
V
mA
mA
°C
mW
mW
mW
连续电流通过每个V
CC
或GND引脚
V
I
＆ LT ; 0 V
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗从JESD51-7计算。
对于SO14封装; P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
对于SSOP14 ， SSOP16和TSSOP14封装; P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上70
°C.
8.推荐工作条件
表5 。
工作条件
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
AMB
CBT3126_3
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
环境温度
条件
民
4.5
2.0
-
最大
5.5
-
0.8
+85
单位
V
V
V
°C
在自由空气中操作
40
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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恩智浦半导体
CBT3126
四路FET总线开关
9.静态特性
表6 。
静态特性
T
AMB
=
40
°
C至+ 85
°
C.
符号
V
IK
V
通
I
I
I
CC
I
CC
参数
输入钳位电压
通电压
输入漏电流
电源电流
额外的电源电流
条件
V
CC
= 4.5 V ;我
I
=
18
mA
V
I
= V
CC
= 5.0 V ;我
O
=
100 A
V
CC
= 5.5 V; V
I
= GND或5.5 V
V
CC
= 5.5 V ;我
O
= 0 mA时;
V
I
= V
CC
或GND
控制引脚;每个输入;
V
CC
= 5.5 V ;一个输入在3.4 V，
其他输入在V
CC
或GND
控制引脚; V
I
= 3 V或0 V
V
O
= 3 V或0 V ; OE = V
CC
V
CC
= 4.0 V
V
I
= 2.4 V ;我
I
= 15毫安
V
CC
= 4.5 V
V
I
= 0 V ;我
I
= 64毫安
V
I
= 0 V ;我
I
= 30毫安
V
I
= 2.4 V ;我
I
= 15毫安
[1]
[2]
[3]
所有典型值是在V测
CC
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
这是供应量的增加电流每路输入是在特定网络版TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测得的由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻是
由两个（ A或B）的终端的最低电压来确定。
[3]
[2]
民
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
3.8
-
-
-
最大
1.2
-
±1
3
2.5
单位
V
V
A
A
mA
C
I
C
io的（OFF）的
R
ON
输入电容
关断状态的输入/输出电容
抗性
-
-
-
-
-
-
1.7
3.4
16
5
5
10
-
-
22
7
7
15
pF
pF
10.动态特性
表7中。
动态特性
T
AMB
=
40
°
C至+ 85
°
℃; V
CC
= 4.5 V至5.5 V ;测试电路见
网络连接gure 8 。
符号
t
pd
t
en
t
DIS
[1]
[2]
参数
传播延迟
启用时间
禁止时间
条件
nA至NB或NB呐;看
图6
OE为Na或NB ;看
图7
OE为Na或NB ;看
图7
[1][2]
[2]
[2]
民
-
1.6
1.0
最大
0.25
4.5
5.4
单位
ns
ns
ns
此参数是必要的，但不是生产测试。传播延迟是基于典型接通的RC时间常数
开关和负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）来驱动的阻力。
t
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
;
t
PZL
和T
PZH
相同吨
en
;
t
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
CBT3126_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
CBT3126
四路FET总线开关
11. AC波形
V
I
输入
0V
t
PHL
V
OH
产量
V
OL
V
M
V
M
001aai367
V
M
V
M
t
PLH
在测量点中给出
表8 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图6 。
输入（NA ， NB）到输出（ NB ， NA）传播延迟时间
V
I
NOE输入
GND
t
PLZ
V
CC
产量
低到关
截止到低
V
OL
t
PHZ
V
OH
产量
高到关
断到高
GND
开关
启用
开关
残
开关
启用
001aaj027
V
M
t
PZL
V
M
V
X
t
PZH
V
Y
V
M
在测量点中给出
表8 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图7 。
表8 。
输入
V
M
1.5 V
启用和禁用时报
测量点
产量
V
M
1.5 V
V
X
V
OL
+ 0.3 V
V
Y
V
OH
0.3 V
CBT3126_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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飞利浦半导体
产品数据
四路FET总线开关
CBT3126
描述
该CBT3126四倍FET总线开关具有独立的行
开关。每个开关处于关闭状态时，相应的输出
启用（ OE ）输入为低。
引脚配置
1OE
1A
1B
1
2
3
4
5
6
7
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4B
10 3Oe时
9
8
3A
3B
特点
标准的“ 126型引出线（D ， DB和PW包）
5
两个端口之间的连接开关
TTL兼容的输入电平
闭锁测试是为了JESDEC标准JESD78这
超过500 mA。
2OE
2A
2B
GND
SA00560
图1. SO14 ， SSOP14和TSSOP14
ESD保护超过每JESD22 - A114 2000 V HBM ，
200 V MM每JESD22- A115和每JESD22 - C101 1000 V CDM
NC
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
CC
15如图40E所示
14 4A
13 4B
12 3Oe时
11 3A
10 3B
9
NC
SA00561
NC - 无内部连接
图2. SSOP （ QSOP ） 16
订购信息
包
14引脚塑料SO
14引脚塑封SSOP
16引脚塑封SSOP （ QSOP ）
14引脚塑料TSSOP
温度范围
-40至+85
°C
-40至+85
°C
-40至+85
°C
-40至+85
°C
订货编号
CBT3126D
CBT3126DB
CBT3126DS
CBT3126PW
包装DWG 。 ＃
SOT108-1
SOT337-1
SOT519-1
SOT402-1
标准包装数量和包装等数据可在www.philipslogic.com/packaging 。
2001年12月12日
2
853-2310 27452
飞利浦半导体
产品数据
四路FET总线开关
CBT3126
逻辑图
1A
2
3
1B
功能表（每个总线开关）
输入
OE
L
功能
断开
A-B
1OE
1
H
6
2B
2A
5
2OE
4
3A
9
8
3B
3OE
10
4A
12
11
4B
4OE
13
SA00559
显示引脚数是14 - pin封装类型。
图3. CBT3126逻辑图（正逻辑）
绝对最大额定值
1
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
符号
V
CC
V
I
I
K
T
英镑
电源电压范围
输入电压范围
连续通道电流
输入钳位电流
存储温度范围
V
I / O
＆ LT ; 0
见注2
参数
条件
分钟。
–0.5
–0.5
—
—
–65
马克斯。
7
7
128
–50
+150
单位
V
V
mA
mA
°C
注意事项：
1.强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
1
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
AMB
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
工作环境温度在自由空气
参数
条件
分钟。
4.5
2
—
–40
0.8
+85
马克斯。
5.5
单位
V
V
V
°C
注意：
该设备的1.所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。
2001年12月12日
3
飞利浦半导体
产品数据
四路FET总线开关
CBT3126
DC电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内，除非另有说明。
符号
V
IK
I
I
I
CC
I
CC
C
I
C
io的（OFF）的
V
P
参数
输入钳位电压
输入漏电流
静态电源电流
每个额外的电源电流
输入引脚（注2 ）
输入电容
关机漏电流
通栅极电压
条件
V
CC
= 4.5 V;
I
I
= -18毫安
V
CC
= 5.5 V;
V
I
= 5.5 V或GND
V
CC
= 5.5 V ;我
O
= 0;
V
I
= V
CC
或GND
控制输入
控制输入
V
CC
= 5.5 V;
一个输入在3.4 V，
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= 3 V或0
V
O
= 3 V或0 ; OE = GND
V
CC
= 5.0 V;
V
I
= 5.0 V
V
CC
= 4 V;
典型的V
CC
= 4 V;
V
I
= 2.4 V ;我
I
= 15毫安
r
on
导通电阻（
（注3）
)
V
CC
= 4.5 V; V
I
= 0 V;
I
I
= 64毫安
V
CC
= 4.5 V; V
I
= 0 V;
I
I
= 30毫安
V
CC
= 4.5 V; V
I
= 2.4 V;
I
I
= 15毫安
分钟。
—
—
—
典型值。
1
—
—
—
马克斯。
–1.2
±1
3
单位
V
A
A
mA
pF
pF
V
—
—
—
—
—
1.7
3.4
3.8
2.5
—
—
—
—
16
22
—
—
—
5
5
10
7
7
15
注意事项：
1.所有典型值是在V
CC
= 5V ，除非另有说明。牛逼
AMB
= 25
°C.
2.这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
3.测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通状态电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。
AC特性
T
AMB
= -40至+85
°C;
C
L
= 50 pF的，除非另有说明。
符号
t
pd
t
en
t
DIS
参数
传播延迟
1
输出使能时间
高低级别
输出禁止时间
从高电平和低电平
从（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
1.6
1
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
最大
0.25
4.5
4.0
ns
ns
ns
单位
注意：
1，这个参数是必要的，但不是生产测试。传播延迟是基于典型的导通状态的RC时间常数
开关的电阻和50 pF的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
2001年12月12日
4
QQ：2881677436 复制
