CD63__15A
Powerex公司，公司，希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
POW - R- BLOK
双可控硅隔离模块
截至160安培& 1600伏
TM
外形绘图
A
D
E
F
F
描述：
POWEREX双SCR模块是
设计用于在应用程序中使用
需要相位控制和隔离
包装。该模块是分离的
易于安装与其他
部件上的一个共同的散热片。
TM
POW - R- BLOK
经测试，
由包销商认可
实验室。
CD63__15A
双可控硅隔离
TM
POW - R- BLOK模块
截至160安培& 1600伏
7
6
B
G
S
1
2
3
5
M
4
"J" （3）
R
F "K" （2）
N
C
H
P
Q
产品特点：
T
T
T
T
T
电气隔离散热
DBC氧化铝（Al
2
O
3
）绝缘子
玻璃钝化芯片
金属基板
低热阻
为提高电流能力
T
快速连接栅极端子
并准备在键位配合
PLUG
T
UL认证（ E78240 ）
4
5
3
6
7
接线图
-
2
+
~
1
CD63_15A外形尺寸
维
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
P
Q
R
S
英寸
3.70
1.38
1.18
3.15
0.67
0.91
0.57
0.35
M6
0.26
.020
0.28
1.10
1.14
0.03
0.11
MILLIMETERS
94
35
30
80
17
23
14.5
9
M6
6.5
5
7
28
29
0.8
2.8
好处：
T
没有额外的绝缘
组件所需
T
易于安装
T
没有夹紧元件
需要
T
减少工程时间
订购信息
:
例如：选择完整的9
从数字模块部件号
在下表中。
例如： CD631615A是1600Volt ，
150安培双可控硅隔离
TM
POW - R- BLOK
模块
应用范围：
T
T
T
T
T
T
T
T
桥电路
AC &直流马达驱动器
电池供应
电源
大IGBT电路前端
照明控制
热&温度控制
焊工
TYPE
CD63
电压
伏
(x100)
08
12
14
16
当前
安培
(x 10)
15
16
注：尺寸仅供参考。
05/09/2000
CD63__ 15A
Powerex公司，公司，希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
POW - R- BLOK
双可控硅隔离模块
截至160安培& 1600伏
TM
绝对最大额定值
特征
重复峰值正向和反向阻断
电压
非重复性峰值反向阻断电压
（T < 5毫秒）
RMS正向电流
平均正向电流
峰值一个周期浪涌电流，不重复
180
°
导通，T
C
=85
°
C
180
°
导通，T
C
=85
°
C（ AC开关）
180
°
导通，T
C
=85
°
C
180
°
导通，T
C
=90
°
C
60赫兹， 100 ％V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
60赫兹，无V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
50赫兹， 100 ％的V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
50赫兹，无V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
高峰三周期浪涌电流，不重复
60赫兹， 100 ％V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
50赫兹， 100 ％的V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
山顶十周期浪涌电流，不重复
我吨熔断一个周期
2
条件
符号
V
DRM
＆放大器; V
RRM
V
RSM
I
T（ RMS ）
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
TSM
I
TSM
I
TSM
I
TSM
I
TSM
I
TSM
I
TSM
It
It
It
It
的di / dt
2
2
2
2
单位
高达1600
V
RRM
+ 100
250
355
160
150
4300
5100
4100
4870
3250
3150
2650
2550
76,700
108,000
84,000
119,000
300
2
2
2
2
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
几秒钟之内
几秒钟之内
几秒钟之内
几秒钟之内
A/
m
s
60赫兹， 100 ％V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
50赫兹， 100 ％的V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
8.3毫秒， 100 ％V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
8.3毫秒，无V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
10毫秒， 100 ％V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
10毫秒，无V
RRM
重新申请，T
j
=125
°
C
最大速率-的高层通态电流，
不重复
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
工作温度
储存温度
马克斯。安装扭矩， M6安装螺丝上
码头
马克斯。安装扭矩，模块到散热器
模块重量，典型的
V绝缘@ 25℃
T
j
=125
°
C,
V
D
= V
DRM （额定）
I
TM
=400A ,
I
G
= 0.5 A ，T
r
＆ LT ; 0.25
m
S，T
p
> 6
m
s
T
p
< 5毫秒，T
j
= 125C
F = 50 Hz时，T
j
= 125C
T
p
< 5毫秒，T
j
= 125C
T
p
< 5毫秒，T
j
= 125C
P
GM
P
G（ AV ）
I
GFM
V
GRM
T
J
T
英镑
12
3
3
10
-40到+125
-40到+150
35 - 50
4-6
35 - 50
4-6
200
7.1
W
W
A
V
°
C
°
C
英寸- Lb的
Nm
英寸- Lb的
Nm
g
盎司
V
V
RMS
3500
05/09/2000
CD63__15A
Powerex公司，公司，希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
POW - R- BLOK
双可控硅隔离模块
截至160安培& 1600伏
TM
电特性，T
J
=25
°
C除非另有说明
特征
重复峰值正向漏电流
重复峰值反向漏电流
峰值通态电压
阈值电压，低级别
斜率电阻，低级别
阈值电压，高层次的
斜率电阻，高层次
V
TM
系数，品种齐全
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
(TO)1
r
T1
V
(TO)2
r
T2
测试条件
高达1600V ，T
J
=125
°
C
高达1600V ，T
J
=125
°
C
I
TM
=500A
T
J
= 125
°
C， I = 16.7 ％×
π
I
T（ AV ）
to
π
I
T（ AV ）
T
J
= 125
°
C， I =
π
I
T（ AV ）
到我
TSM
T
J
= 125
°
C，I = 15％ ×1
T（ AV ）
到我
TSM
V
TM
= A + B LN I + C I + D的Sqrt我
最小的dV / dt
导通时间（典型）
关断时间（典型）
dv / dt的
t
on
t
关闭
指数为2/3 V
DRM
T
j
=125
°
C，门打开
I
TM
= 300A ，V
D
= 2/3 V
DRM
DIG / DT = 1A /
m
s
A=
B=
C=
D=
1000
3
（典型值）
（典型值）
分钟。
马克斯。
50
50
1.54
0.80
1.67
0.98
1.38
0.5926
-1.10E-03
1.03E-03
0.0241
V/
m
s
m
s
m
s
单位
mA
mA
V
V
m
V
m
门极触发电流
I
GT
50 - 200
T
J
= 125
°
C，我
T
= 300A ，R
gk
= 100
V
r
= 50V ， -dI / DT = 15 A /
m
s
重新应用的dV / dt = 20V /
m
s,
线性2/3 V
DRM
T
j
= -40
°
C，V
D
= 6V ，R
a
=1
，阻性负载
T
j
= 25
°
C，V
D
= 6V ，R
a
=1
，阻性负载
T
j
=125
°
C，V
D
= 6V ，R
a
=1
，阻性负载
270
150
80
4.0
2.5
1.7
0.30
10
mA
mA
mA
伏
伏
伏
伏
mA
门极触发电压
V
GT
T
j
= -40
°
C，V
D
= 6V ，R
a
=1
，阻性负载
T
j
= 25
°
C，V
D
= 6V ，R
a
=1
，阻性负载
T
j
=125
°
C，V
D
= 6V ，R
a
=1
，阻性负载
非触发栅极电压
非触发栅极电流
V
GDM
I
GDM
T
j
=125
°
C，V
D
=V
DRM
T
j
=125
°
C，V
D
=V
DRM
热特性
特征
热阻，结到外壳
直流操作
热阻抗系数
（每个路口）
符号
R
Θ
J-
Z
Q
J-
每个模块，无论是进行
每个路口，无论是进行
Z
Q
J-
= K
1
(1-exp(-t/
t
1
))
+ K
2
(1-exp(-t/
t
2
))
+ K
3
(1-exp(-t/
t
3
))
热电阻，案件散热器润滑
R
Θ
C-S
+ K
4
(1-exp(-t/
t
4
))
每个模块
马克斯。
0.08
0.16
K
1
=5.45334E-3
t
1
=4.511E-5
K
2
=3.8509E+1
t
2
=1.3558E-1
K
3
= -3.5154E+1
t
3
=1.3311E-1
K
4
= -3.20
t
4
=1.5936E-1
0.05
°
C / W
单位
°
C / W
°
C / W
05/09/2000
CD63__15A
Powerex公司，公司，希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
双可控硅模块
截至160安培& 1600伏
最大通态正向电压下降
（ TJ = 125°C ）
最大瞬态热阻抗
（结点到外壳）
0.180
0.160
5
导通电压 - Vtm所 - 伏
热阻抗 - RJC - ° C / W
10
100
1000
10000
4
0.140
0.120
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
3
2
1
0
瞬时通态电流 - ITM - 安培
0.000
0.01
0.1
1
10
时间 - 吨 - 秒
最大通态功耗
（正弦波）
240
220
120°
90°
60°
15°
30°
180°
最大允许外壳温度
（正弦波）
125
马克斯。功耗每SCR - Watts_
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
马克斯。外壳温度 - 温度上限 - ° C_
200
120
115
110
105
100
95
90
85
15°
30°
60°
90°
120°
180°
0
180
360
导通角
0
180
360
导通角
100
120
140
160
180
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
平均通态电流 - IT（ AV ） - 安培
平均通态电流 - IT（ AV ） - 安培
最大通态功耗
（方波）
320
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
最大允许外壳温度
（方波）
125
270°
360°
120
马克斯。功耗每SCR - Watts_
180°
120°
90°
60°
15°
30°
马克斯。外壳温度 - 温度上限 - ° C_
115
110
105
100
95
90
85
80
75
15°
0
导通角
180
360
30°
60°
90°
120°
180°
270°
360°
0
60
80
100
120
140
导通角
180
200
220
240
260
180
360
160
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
220 240 260
平均通态电流 - IT（ AV ） - 安培
平均通态电流 - IT（ AV ） - 安培
05/09/2000
QQ：2881677436 复制
