CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ，

CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS183C

1998年2月 - 修订2004年5月

高速CMOS逻辑八路D型触发器，

三态上升沿触发

描述

在“ HC374 ” HCT374 ， “ HC574和” HCT574是八进制D型

双稳态多谐振荡器具有三态输出，以驱动15的能力

LSTTL负载。八个边沿触发的触发器输入数据转换成

他们登记在低时钟（ CP ）的高电平跳变。该

输出使能（ OE ）控制的三态输出，并

独立的寄存器操作。当OE为高电平，则

输出处于高阻抗状态。在374和574顷

在它们的引脚安排只有在完全相同的功能和区别。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC374

,

CD74

HCT37

4,

CD74

HC574

,

CD74

HCT57

通用三态输出使能控制

三态输出

公交线路驱动能力

典型传播延迟（时钟到Q） = 15ns的时

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载

宽工作温度范围。 。 。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2 V至6 V的操作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5 V至5.5 V的操作

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值） ，V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC374F3A

CD54HC574F3A

CD54HCT374F3A

CD54HCT574F3A

CD74HC374E

CD74HC374M

CD74HC374M96

CD74HC574E

CD74HC574M

CD74HC574M96

CD74HCT374E

CD74HCT374M

CD74HCT374M96

CD74HCT574E

CD74HCT574M

CD74HCT574M96

CD74HCT574PWR

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

包

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的TSSOP

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES

96和R表示磁带和卷轴。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2004年，德州仪器

1

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

引脚配置

CD54HC374 ， CD54HCT374

（ CERDIP ）

CD74HC374 ， CD74HCT374

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE

Q0

D0

D1

Q1

Q2

D2

D3

Q3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q7

18 D7

17 D6

16 Q6

15 Q5

14 D5

13 D4

12 Q4

11 CP

CD54HC574 ， CD54HCT574

（ CERDIP ）

CD74HC574

（ PDIP ， SOIC ）

CD74HCT574

（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）

顶视图

OE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q0

18 Q1

17 Q2

16 Q3

15 Q4

14 Q5

13 Q6

12 Q7

11 CP

GND 10

GND 10

工作原理图

D

0

D

1

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

D

7

D

CP Q

CP

D

CP Q

D

CP

Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

OE

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

Q

6

Q

7

真值表

输入

OE

L

L

L

H

CP

↑

↑

L

X

Dn

H

L

X

X

产量

Qn

H

L

Q0

Z

H =高电平（稳态）

L =低电平（稳态）

X =无关

↑=

到高电平的过渡，从低

Q0 = Q的表示稳态输入前的水平

条件成立

Z =高阻抗状态

2

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ） 。

. . . . . . . . . . . . . . . . θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58

PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83

最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150

o

C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V

HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）

4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）

6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

I

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

OH

V

IH

或V

IL

-0.02

-0.02

-0.02

-

-6

-7.8

0.02

0.02

0.02

-

6

7.8

-

2

4.5

6

-

4.5

6

2

4.5

6

-

4.5

6

6

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.98

5.48

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.26

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.84

5.34

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.33

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.7

5.2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.4

0.4

±1

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（MA ）

V

CC

(V)

25

o

C

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

最大

民

最大

单位

3

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

符号

I

CC

V

I

(V)

V

CC

or

GND

I

O

（MA ）

0

-

25

o

C

民

-

-

典型值

-

-

最大

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

-

-

最大

80

±5.0

民

-

-

最大

160

±10

单位

A

A

V

CC

(V)

6

6

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

或GND

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

I

I

CC

V

CC

和

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

-

V

IH

或V

IL

-

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

-

-

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

V

V

-6

4.5

3.98

-

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

0

-

-

5.5

5.5

6

4.5

5.5

-

-

-

-

-

-

100

±0.1

8

±0.5

360

-

-

-

-

±1

80

±5.0

450

-

-

-

-

±1

160

±10

490

A

A

A

A

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

当前

或GND

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

I

CC

（注2 ）

V

CC

-2.1

2.对于双电源系统，理论上最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

HCT输入负载表

单位负载

输入

D0 - D7

CP

OE

HCT374

0.3

0.9

1.3

HCT574

0.4

0.75

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络

表，例如， 360μA最大值。在25

o

C.

4

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

用于交换特定网络阳离子前提条件

25

o

C

参数

HC类型

最大时钟

频率

f

最大

2

4.5

6

时钟脉冲宽度

t

W

2

4.5

6

建立时间

数据时钟

t

SU

2

4.5

6

保持时间

数据时钟

t

H

2

4.5

6

HCT类型

最大时钟

频率

时钟脉冲宽度

建立时间

数据时钟

保持时间

数据时钟

f

最大

t

W

t

SU

t

H

4.5

30

-

-

25

-

-

20

-

-

兆赫

6

30

35

80

16

14

60

12

10

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

5

25

29

100

20

17

75

15

13

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

4

20

23

120

24

20

90

18

15

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

符号

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

典型值

最大

-55

o

C至125

o

C

民

典型值

最大

单位

4.5

4.5

16

12

-

-

-

-

20

15

-

-

-

-

24

18

-

-

-

-

ns

ns

4.5

5

-

-

5

-

-

5

-

-

ns

交换特定网络阳离子

C

L

= 50pF的，输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C到

85

o

C

民

最大

-55

o

C到

125

o

C

民

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟

时钟到输出

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

15

-

-

-

11

-

165

33

-

28

135

27

-

23

-

-

-

-

-

-

-

-

205

41

-

35

170

34

-

29

-

-

-

-

-

-

-

-

250

50

-

43

205

41

-

35

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

输出禁止向Q

t

PLZ

, t

PHZ

C

L

= 50pF的

5

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ，

CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS183C

1998年2月 - 修订2004年5月

高速CMOS逻辑八路D型触发器，

三态上升沿触发

描述

在“ HC374 ” HCT374 ， “ HC574和” HCT574是八进制D型

双稳态多谐振荡器具有三态输出，以驱动15的能力

LSTTL负载。八个边沿触发的触发器输入数据转换成

他们登记在低时钟（ CP ）的高电平跳变。该

输出使能（ OE ）控制的三态输出，并

独立的寄存器操作。当OE为高电平，则

输出处于高阻抗状态。在374和574顷

在它们的引脚安排只有在完全相同的功能和区别。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC374

,

CD74

HCT37

4,

CD74

HC574

,

CD74

HCT57

通用三态输出使能控制

三态输出

公交线路驱动能力

典型传播延迟（时钟到Q） = 15ns的时

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载

宽工作温度范围。 。 。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2 V至6 V的操作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5 V至5.5 V的操作

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值） ，V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC374F3A

CD54HC574F3A

CD54HCT374F3A

CD54HCT574F3A

CD74HC374E

CD74HC374M

CD74HC374M96

CD74HC574E

CD74HC574M

CD74HC574M96

CD74HCT374E

CD74HCT374M

CD74HCT374M96

CD74HCT574E

CD74HCT574M

CD74HCT574M96

CD74HCT574PWR

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

包

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的TSSOP

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES

96和R表示磁带和卷轴。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2004年，德州仪器

1

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

引脚配置

CD54HC374 ， CD54HCT374

（ CERDIP ）

CD74HC374 ， CD74HCT374

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE

Q0

D0

D1

Q1

Q2

D2

D3

Q3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q7

18 D7

17 D6

16 Q6

15 Q5

14 D5

13 D4

12 Q4

11 CP

CD54HC574 ， CD54HCT574

（ CERDIP ）

CD74HC574

（ PDIP ， SOIC ）

CD74HCT574

（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）

顶视图

OE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q0

18 Q1

17 Q2

16 Q3

15 Q4

14 Q5

13 Q6

12 Q7

11 CP

GND 10

GND 10

工作原理图

D

0

D

1

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

D

7

D

CP Q

CP

D

CP Q

D

CP

Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

OE

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

Q

6

Q

7

真值表

输入

OE

L

L

L

H

CP

↑

↑

L

X

Dn

H

L

X

X

产量

Qn

H

L

Q0

Z

H =高电平（稳态）

L =低电平（稳态）

X =无关

↑=

到高电平的过渡，从低

Q0 = Q的表示稳态输入前的水平

条件成立

Z =高阻抗状态

2

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ） 。

. . . . . . . . . . . . . . . . θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58

PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83

最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150

o

C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V

HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）

4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）

6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

I

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

OH

V

IH

或V

IL

-0.02

-0.02

-0.02

-

-6

-7.8

0.02

0.02

0.02

-

6

7.8

-

2

4.5

6

-

4.5

6

2

4.5

6

-

4.5

6

6

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.98

5.48

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.26

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.84

5.34

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.33

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.7

5.2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.4

0.4

±1

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（MA ）

V

CC

(V)

25

o

C

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

最大

民

最大

单位

3

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

符号

I

CC

V

I

(V)

V

CC

or

GND

I

O

（MA ）

0

-

25

o

C

民

-

-

典型值

-

-

最大

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

-

-

最大

80

±5.0

民

-

-

最大

160

±10

单位

A

A

V

CC

(V)

6

6

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

或GND

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

I

I

CC

V

CC

和

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

-

V

IH

或V

IL

-

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

-

-

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

V

V

-6

4.5

3.98

-

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

0

-

-

5.5

5.5

6

4.5

5.5

-

-

-

-

-

-

100

±0.1

8

±0.5

360

-

-

-

-

±1

80

±5.0

450

-

-

-

-

±1

160

±10

490

A

A

A

A

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

当前

或GND

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

I

CC

（注2 ）

V

CC

-2.1

2.对于双电源系统，理论上最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

HCT输入负载表

单位负载

输入

D0 - D7

CP

OE

HCT374

0.3

0.9

1.3

HCT574

0.4

0.75

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络

表，例如， 360μA最大值。在25

o

C.

4

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

用于交换特定网络阳离子前提条件

25

o

C

参数

HC类型

最大时钟

频率

f

最大

2

4.5

6

时钟脉冲宽度

t

W

2

4.5

6

建立时间

数据时钟

t

SU

2

4.5

6

保持时间

数据时钟

t

H

2

4.5

6

HCT类型

最大时钟

频率

时钟脉冲宽度

建立时间

数据时钟

保持时间

数据时钟

f

最大

t

W

t

SU

t

H

4.5

30

-

-

25

-

-

20

-

-

兆赫

6

30

35

80

16

14

60

12

10

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

5

25

29

100

20

17

75

15

13

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

4

20

23

120

24

20

90

18

15

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

符号

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

典型值

最大

-55

o

C至125

o

C

民

典型值

最大

单位

4.5

4.5

16

12

-

-

-

-

20

15

-

-

-

-

24

18

-

-

-

-

ns

ns

4.5

5

-

-

5

-

-

5

-

-

ns

交换特定网络阳离子

C

L

= 50pF的，输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C到

85

o

C

民

最大

-55

o

C到

125

o

C

民

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟

时钟到输出

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

15

-

-

-

11

-

165

33

-

28

135

27

-

23

-

-

-

-

-

-

-

-

205

41

-

35

170

34

-

29

-

-

-

-

-

-

-

-

250

50

-

43

205

41

-

35

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

输出禁止向Q

t

PLZ

, t

PHZ

C

L

= 50pF的

5

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ，

CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS183B

1998年2月 - 修订2003年5月

高速CMOS逻辑八路D型触发器，

三态上升沿触发

描述

在“ HC374 ” HCT374 ， “ HC574和” HCT574是八进制D型

双稳态多谐振荡器具有三态输出，以驱动15的能力

LSTTL负载。八个边沿触发的触发器输入数据转换成

他们登记在低时钟（ CP ）的高电平跳变。该

输出使能（ OE ）控制的三态输出，并

独立的寄存器操作。当OE为高电平，则

输出IIN高阻抗状态。在374和574顷

在它们的引脚安排只有在完全相同的功能和区别。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC374

,

CD74

HCT37

4,

CD74

HC574

,

CD74

HCT57

通用三态输出使能控制

三态输出

公交线路驱动能力

典型传播延迟（时钟到Q） = 15ns的时

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载

宽工作温度范围。 。 。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值） ，V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC374F3A

CD54HC574F3A

CD54HCT374F3A

CD54HCT574F3A

CD74HC374E

CD74HC374M

CD74HC374M96

CD74HC574E

CD74HC574M

CD74HC574M96

CD74HCT374E

CD74HCT374M

CD74HCT374M96

CD74HCT574E

CD74HCT574M

CD74HCT574M96

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

包

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

引脚配置

CD54HC374 ， CD54HCT374

（ CERDIP ）

CD74HC374 ， CD74HCT374

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE

Q0

D0

D1

Q1

Q2

D2

D3

Q3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q7

18 D7

17 D6

16 Q6

15 Q5

14 D5

13 D4

12 Q4

11 CP

CD54HC574 ， CD54HCT574

（ CERDIP ）

CD74HC574 ， CD74HCT574

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q0

18 Q1

17 Q2

16 Q3

15 Q4

14 Q5

13 Q6

12 Q7

11 CP

GND 10

GND 10

工作原理图

D

0

D

1

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

D

7

D

CP Q

CP

D

CP Q

D

CP

Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

OE

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

Q

6

Q

7

真值表

输入

OE

L

L

L

H

CP

↑

↑

L

X

Dn

H

L

X

X

产量

Qn

H

L

Q0

Z

H =高电平（稳态）

L =低电平（稳态）

X =无关

↑=

到高电平的过渡，从低

Q0 = Q的表示稳态输入前的水平

条件成立

Z =高阻抗状态

2

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ） 。

. . . . . . . . . . . . . . . . θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58

最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150

o

C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V

HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）

4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）

6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

I

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

OH

V

IH

或V

IL

-0.02

-0.02

-0.02

-

-6

-7.8

0.02

0.02

0.02

-

6

7.8

-

2

4.5

6

-

4.5

6

2

4.5

6

-

4.5

6

6

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.98

5.48

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.26

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.84

5.34

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.33

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.7

5.2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.4

0.4

±1

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（MA ）

V

CC

(V)

25

o

C

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

最大

民

最大

单位

3

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

符号

I

CC

V

I

(V)

V

CC

or

GND

I

O

（MA ）

0

-

25

o

C

民

-

-

典型值

-

-

最大

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

-

-

最大

80

±5.0

民

-

-

最大

160

±10

单位

A

A

V

CC

(V)

6

6

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

或GND

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

I

I

CC

V

CC

和

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

-

V

IH

或V

IL

-

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

-

-

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

V

V

-6

4.5

3.98

-

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

0

-

-

5.5

5.5

6

4.5

5.5

-

-

-

-

-

-

100

±0.1

8

±0.5

360

-

-

-

-

±1

80

±5.0

450

-

-

-

-

±1

160

±10

490

A

A

A

A

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

当前

或GND

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

I

CC

（注2 ）

V

CC

-2.1

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

HCT输入负载表

单位负载

输入

D0 - D7

CP

OE

HCT374

0.3

0.9

1.3

HCT574

0.4

0.75

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络

表，例如， 360μA最大值。在25

o

C.

4

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

用于交换特定网络阳离子前提条件

25

o

C

参数

HC类型

最大时钟

频率

f

最大

2

4.5

6

时钟脉冲宽度

t

W

2

4.5

6

建立时间

数据时钟

t

SU

2

4.5

6

保持时间

数据时钟

t

H

2

4.5

6

HCT类型

最大时钟

频率

时钟脉冲宽度

建立时间

数据时钟

保持时间

数据时钟

f

最大

t

W

t

SU

t

H

4.5

30

-

-

25

-

-

20

-

-

兆赫

6

30

35

80

16

14

60

12

10

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

5

25

29

100

20

17

75

15

13

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

4

20

23

120

24

20

90

18

15

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

符号

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

典型值

最大

-55

o

C至125

o

C

民

典型值

最大

单位

4.5

4.5

16

12

-

-

-

-

20

15

-

-

-

-

24

18

-

-

-

-

ns

ns

4.5

5

-

-

5

-

-

5

-

-

ns

交换特定网络阳离子

C

L

= 50pF的，输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C到

85

o

C

民

最大

-55

o

C到

125

o

C

民

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟

时钟到输出

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

15

-

-

-

11

-

165

33

-

28

135

27

-

23

-

-

-

-

-

-

-

-

205

41

-

35

170

34

-

29

-

-

-

-

-

-

-

-

250

50

-

43

205

41

-

35

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

输出禁止向Q

t

PLZ

, t

PHZ

C

L

= 50pF的

5

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ，

CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS183C

1998年2月 - 修订2004年5月

高速CMOS逻辑八路D型触发器，

三态上升沿触发

描述

在“ HC374 ” HCT374 ， “ HC574和” HCT574是八进制D型

双稳态多谐振荡器具有三态输出，以驱动15的能力

LSTTL负载。八个边沿触发的触发器输入数据转换成

他们登记在低时钟（ CP ）的高电平跳变。该

输出使能（ OE ）控制的三态输出，并

独立的寄存器操作。当OE为高电平，则

输出处于高阻抗状态。在374和574顷

在它们的引脚安排只有在完全相同的功能和区别。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC374

,

CD74

HCT37

4,

CD74

HC574

,

CD74

HCT57

通用三态输出使能控制

三态输出

公交线路驱动能力

典型传播延迟（时钟到Q） = 15ns的时

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载

宽工作温度范围。 。 。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2 V至6 V的操作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5 V至5.5 V的操作

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值） ，V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC374F3A

CD54HC574F3A

CD54HCT374F3A

CD54HCT574F3A

CD74HC374E

CD74HC374M

CD74HC374M96

CD74HC574E

CD74HC574M

CD74HC574M96

CD74HCT374E

CD74HCT374M

CD74HCT374M96

CD74HCT574E

CD74HCT574M

CD74HCT574M96

CD74HCT574PWR

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

包

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的TSSOP

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES

96和R表示磁带和卷轴。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2004年，德州仪器

1

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

引脚配置

CD54HC374 ， CD54HCT374

（ CERDIP ）

CD74HC374 ， CD74HCT374

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE

Q0

D0

D1

Q1

Q2

D2

D3

Q3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q7

18 D7

17 D6

16 Q6

15 Q5

14 D5

13 D4

12 Q4

11 CP

CD54HC574 ， CD54HCT574

（ CERDIP ）

CD74HC574

（ PDIP ， SOIC ）

CD74HCT574

（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）

顶视图

OE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q0

18 Q1

17 Q2

16 Q3

15 Q4

14 Q5

13 Q6

12 Q7

11 CP

GND 10

GND 10

工作原理图

D

0

D

1

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

D

7

D

CP Q

CP

D

CP Q

D

CP

Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

OE

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

Q

6

Q

7

真值表

输入

OE

L

L

L

H

CP

↑

↑

L

X

Dn

H

L

X

X

产量

Qn

H

L

Q0

Z

H =高电平（稳态）

L =低电平（稳态）

X =无关

↑=

到高电平的过渡，从低

Q0 = Q的表示稳态输入前的水平

条件成立

Z =高阻抗状态

2

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ） 。

. . . . . . . . . . . . . . . . θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58

PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83

最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150

o

C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V

HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）

4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）

6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

I

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

OH

V

IH

或V

IL

-0.02

-0.02

-0.02

-

-6

-7.8

0.02

0.02

0.02

-

6

7.8

-

2

4.5

6

-

4.5

6

2

4.5

6

-

4.5

6

6

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.98

5.48

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.26

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.84

5.34

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.33

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.7

5.2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.4

0.4

±1

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（MA ）

V

CC

(V)

25

o

C

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

最大

民

最大

单位

3

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

符号

I

CC

V

I

(V)

V

CC

or

GND

I

O

（MA ）

0

-

25

o

C

民

-

-

典型值

-

-

最大

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

-

-

最大

80

±5.0

民

-

-

最大

160

±10

单位

A

A

V

CC

(V)

6

6

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

或GND

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

I

I

CC

V

CC

和

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

-

V

IH

或V

IL

-

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

-

-

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

V

V

-6

4.5

3.98

-

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

0

-

-

5.5

5.5

6

4.5

5.5

-

-

-

-

-

-

100

±0.1

8

±0.5

360

-

-

-

-

±1

80

±5.0

450

-

-

-

-

±1

160

±10

490

A

A

A

A

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

当前

或GND

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

I

CC

（注2 ）

V

CC

-2.1

2.对于双电源系统，理论上最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

HCT输入负载表

单位负载

输入

D0 - D7

CP

OE

HCT374

0.3

0.9

1.3

HCT574

0.4

0.75

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络

表，例如， 360μA最大值。在25

o

C.

4

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

用于交换特定网络阳离子前提条件

25

o

C

参数

HC类型

最大时钟

频率

f

最大

2

4.5

6

时钟脉冲宽度

t

W

2

4.5

6

建立时间

数据时钟

t

SU

2

4.5

6

保持时间

数据时钟

t

H

2

4.5

6

HCT类型

最大时钟

频率

时钟脉冲宽度

建立时间

数据时钟

保持时间

数据时钟

f

最大

t

W

t

SU

t

H

4.5

30

-

-

25

-

-

20

-

-

兆赫

6

30

35

80

16

14

60

12

10

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

5

25

29

100

20

17

75

15

13

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

4

20

23

120

24

20

90

18

15

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

符号

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

典型值

最大

-55

o

C至125

o

C

民

典型值

最大

单位

4.5

4.5

16

12

-

-

-

-

20

15

-

-

-

-

24

18

-

-

-

-

ns

ns

4.5

5

-

-

5

-

-

5

-

-

ns

交换特定网络阳离子

C

L

= 50pF的，输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C到

85

o

C

民

最大

-55

o

C到

125

o

C

民

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟

时钟到输出

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

15

-

-

-

11

-

165

33

-

28

135

27

-

23

-

-

-

-

-

-

-

-

205

41

-

35

170

34

-

29

-

-

-

-

-

-

-

-

250

50

-

43

205

41

-

35

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

输出禁止向Q

t

PLZ

, t

PHZ

C

L

= 50pF的

5

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ，

CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS183C

1998年2月 - 修订2004年5月

高速CMOS逻辑八路D型触发器，

三态上升沿触发

描述

在“ HC374 ” HCT374 ， “ HC574和” HCT574是八进制D型

双稳态多谐振荡器具有三态输出，以驱动15的能力

LSTTL负载。八个边沿触发的触发器输入数据转换成

他们登记在低时钟（ CP ）的高电平跳变。该

输出使能（ OE ）控制的三态输出，并

独立的寄存器操作。当OE为高电平，则

输出处于高阻抗状态。在374和574顷

在它们的引脚安排只有在完全相同的功能和区别。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC374

,

CD74

HCT37

4,

CD74

HC574

,

CD74

HCT57

通用三态输出使能控制

三态输出

公交线路驱动能力

典型传播延迟（时钟到Q） = 15ns的时

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载

宽工作温度范围。 。 。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2 V至6 V的操作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5 V至5.5 V的操作

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值） ，V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC374F3A

CD54HC574F3A

CD54HCT374F3A

CD54HCT574F3A

CD74HC374E

CD74HC374M

CD74HC374M96

CD74HC574E

CD74HC574M

CD74HC574M96

CD74HCT374E

CD74HCT374M

CD74HCT374M96

CD74HCT574E

CD74HCT574M

CD74HCT574M96

CD74HCT574PWR

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

包

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的TSSOP

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES

96和R表示磁带和卷轴。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2004年，德州仪器

1

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

引脚配置

CD54HC374 ， CD54HCT374

（ CERDIP ）

CD74HC374 ， CD74HCT374

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE

Q0

D0

D1

Q1

Q2

D2

D3

Q3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q7

18 D7

17 D6

16 Q6

15 Q5

14 D5

13 D4

12 Q4

11 CP

CD54HC574 ， CD54HCT574

（ CERDIP ）

CD74HC574

（ PDIP ， SOIC ）

CD74HCT574

（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）

顶视图

OE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q0

18 Q1

17 Q2

16 Q3

15 Q4

14 Q5

13 Q6

12 Q7

11 CP

GND 10

GND 10

工作原理图

D

0

D

1

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

D

7

D

CP Q

CP

D

CP Q

D

CP

Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

OE

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

Q

6

Q

7

真值表

输入

OE

L

L

L

H

CP

↑

↑

L

X

Dn

H

L

X

X

产量

Qn

H

L

Q0

Z

H =高电平（稳态）

L =低电平（稳态）

X =无关

↑=

到高电平的过渡，从低

Q0 = Q的表示稳态输入前的水平

条件成立

Z =高阻抗状态

2

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ） 。

. . . . . . . . . . . . . . . . θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58

PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83

最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150

o

C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V

HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）

4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）

6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

I

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

OH

V

IH

或V

IL

-0.02

-0.02

-0.02

-

-6

-7.8

0.02

0.02

0.02

-

6

7.8

-

2

4.5

6

-

4.5

6

2

4.5

6

-

4.5

6

6

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.98

5.48

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.26

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.84

5.34

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.33

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.7

5.2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.4

0.4

±1

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（MA ）

V

CC

(V)

25

o

C

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

最大

民

最大

单位

3

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

符号

I

CC

V

I

(V)

V

CC

or

GND

I

O

（MA ）

0

-

25

o

C

民

-

-

典型值

-

-

最大

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

-

-

最大

80

±5.0

民

-

-

最大

160

±10

单位

A

A

V

CC

(V)

6

6

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

或GND

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

I

I

CC

V

CC

和

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

-

V

IH

或V

IL

-

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

-

-

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

V

V

-6

4.5

3.98

-

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

0

-

-

5.5

5.5

6

4.5

5.5

-

-

-

-

-

-

100

±0.1

8

±0.5

360

-

-

-

-

±1

80

±5.0

450

-

-

-

-

±1

160

±10

490

A

A

A

A

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

当前

或GND

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

I

CC

（注2 ）

V

CC

-2.1

2.对于双电源系统，理论上最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

HCT输入负载表

单位负载

输入

D0 - D7

CP

OE

HCT374

0.3

0.9

1.3

HCT574

0.4

0.75

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络

表，例如， 360μA最大值。在25

o

C.

4

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

用于交换特定网络阳离子前提条件

25

o

C

参数

HC类型

最大时钟

频率

f

最大

2

4.5

6

时钟脉冲宽度

t

W

2

4.5

6

建立时间

数据时钟

t

SU

2

4.5

6

保持时间

数据时钟

t

H

2

4.5

6

HCT类型

最大时钟

频率

时钟脉冲宽度

建立时间

数据时钟

保持时间

数据时钟

f

最大

t

W

t

SU

t

H

4.5

30

-

-

25

-

-

20

-

-

兆赫

6

30

35

80

16

14

60

12

10

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

5

25

29

100

20

17

75

15

13

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

4

20

23

120

24

20

90

18

15

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

符号

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

典型值

最大

-55

o

C至125

o

C

民

典型值

最大

单位

4.5

4.5

16

12

-

-

-

-

20

15

-

-

-

-

24

18

-

-

-

-

ns

ns

4.5

5

-

-

5

-

-

5

-

-

ns

交换特定网络阳离子

C

L

= 50pF的，输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C到

85

o

C

民

最大

-55

o

C到

125

o

C

民

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟

时钟到输出

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

15

-

-

-

11

-

165

33

-

28

135

27

-

23

-

-

-

-

-

-

-

-

205

41

-

35

170

34

-

29

-

-

-

-

-

-

-

-

250

50

-

43

205

41

-

35

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

输出禁止向Q

t

PLZ

, t

PHZ

C

L

= 50pF的

5

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ，

CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS183C

1998年2月 - 修订2004年5月

高速CMOS逻辑八路D型触发器，

三态上升沿触发

描述

在“ HC374 ” HCT374 ， “ HC574和” HCT574是八进制D型

双稳态多谐振荡器具有三态输出，以驱动15的能力

LSTTL负载。八个边沿触发的触发器输入数据转换成

他们登记在低时钟（ CP ）的高电平跳变。该

输出使能（ OE ）控制的三态输出，并

独立的寄存器操作。当OE为高电平，则

输出处于高阻抗状态。在374和574顷

在它们的引脚安排只有在完全相同的功能和区别。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC374

,

CD74

HCT37

4,

CD74

HC574

,

CD74

HCT57

通用三态输出使能控制

三态输出

公交线路驱动能力

典型传播延迟（时钟到Q） = 15ns的时

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载

宽工作温度范围。 。 。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2 V至6 V的操作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5 V至5.5 V的操作

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值） ，V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC374F3A

CD54HC574F3A

CD54HCT374F3A

CD54HCT574F3A

CD74HC374E

CD74HC374M

CD74HC374M96

CD74HC574E

CD74HC574M

CD74HC574M96

CD74HCT374E

CD74HCT374M

CD74HCT374M96

CD74HCT574E

CD74HCT574M

CD74HCT574M96

CD74HCT574PWR

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

-55至125

包

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的CERDIP

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的SOIC

20 Ld的TSSOP

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES

96和R表示磁带和卷轴。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2004年，德州仪器

1

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

引脚配置

CD54HC374 ， CD54HCT374

（ CERDIP ）

CD74HC374 ， CD74HCT374

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE

Q0

D0

D1

Q1

Q2

D2

D3

Q3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q7

18 D7

17 D6

16 Q6

15 Q5

14 D5

13 D4

12 Q4

11 CP

CD54HC574 ， CD54HCT574

（ CERDIP ）

CD74HC574

（ PDIP ， SOIC ）

CD74HCT574

（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）

顶视图

OE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 Q0

18 Q1

17 Q2

16 Q3

15 Q4

14 Q5

13 Q6

12 Q7

11 CP

GND 10

GND 10

工作原理图

D

0

D

1

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

D

7

D

CP Q

CP

D

CP Q

D

CP

Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

D

CP Q

OE

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

Q

6

Q

7

真值表

输入

OE

L

L

L

H

CP

↑

↑

L

X

Dn

H

L

X

X

产量

Qn

H

L

Q0

Z

H =高电平（稳态）

L =低电平（稳态）

X =无关

↑=

到高电平的过渡，从低

Q0 = Q的表示稳态输入前的水平

条件成立

Z =高阻抗状态

2

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ） 。

. . . . . . . . . . . . . . . . θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58

PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83

最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150

o

C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V

HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）

4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）

6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

I

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

OH

V

IH

或V

IL

-0.02

-0.02

-0.02

-

-6

-7.8

0.02

0.02

0.02

-

6

7.8

-

2

4.5

6

-

4.5

6

2

4.5

6

-

4.5

6

6

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.98

5.48

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.26

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.84

5.34

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.33

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

-

-

1.9

4.4

5.9

-

3.7

5.2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

1.35

1.8

-

-

-

-

-

-

0.1

0.1

0.1

-

0.4

0.4

±1

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（MA ）

V

CC

(V)

25

o

C

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

最大

民

最大

单位

3

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

符号

I

CC

V

I

(V)

V

CC

or

GND

I

O

（MA ）

0

-

25

o

C

民

-

-

典型值

-

-

最大

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

-

-

最大

80

±5.0

民

-

-

最大

160

±10

单位

A

A

V

CC

(V)

6

6

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

或GND

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

I

I

CC

V

CC

和

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

-

V

IH

或V

IL

-

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

-

-

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

V

V

-6

4.5

3.98

-

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

0

-

-

5.5

5.5

6

4.5

5.5

-

-

-

-

-

-

100

±0.1

8

±0.5

360

-

-

-

-

±1

80

±5.0

450

-

-

-

-

±1

160

±10

490

A

A

A

A

三态泄漏V

IL

或V

IH

V

O

= V

CC

当前

或GND

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

I

CC

（注2 ）

V

CC

-2.1

2.对于双电源系统，理论上最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

HCT输入负载表

单位负载

输入

D0 - D7

CP

OE

HCT374

0.3

0.9

1.3

HCT574

0.4

0.75

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络

表，例如， 360μA最大值。在25

o

C.

4

CD54 / 74HC374 ， CD54 / 74HCT374 ， CD54 / 74HC574 ， CD54 / 74HCT574

用于交换特定网络阳离子前提条件

25

o

C

参数

HC类型

最大时钟

频率

f

最大

2

4.5

6

时钟脉冲宽度

t

W

2

4.5

6

建立时间

数据时钟

t

SU

2

4.5

6

保持时间

数据时钟

t

H

2

4.5

6

HCT类型

最大时钟

频率

时钟脉冲宽度

建立时间

数据时钟

保持时间

数据时钟

f

最大

t

W

t

SU

t

H

4.5

30

-

-

25

-

-

20

-

-

兆赫

6

30

35

80

16

14

60

12

10

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

5

25

29

100

20

17

75

15

13

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

4

20

23

120

24

20

90

18

15

5

5

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

符号

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

典型值

最大

-55

o

C至125

o

C

民

典型值

最大

单位

4.5

4.5

16

12

-

-

-

-

20

15

-

-

-

-

24

18

-

-

-

-

ns

ns

4.5

5

-

-

5

-

-

5

-

-

ns

交换特定网络阳离子

C

L

= 50pF的，输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C到

85

o

C

民

最大

-55

o

C到

125

o

C

民

最大

单位