CAT34RC02
2 - KB I
2
串行EEPROM ，串行存在检测
特点
I
400千赫我
2
C总线兼容*
I
1.7至5.5伏特操作
I
16字节页写缓冲
I
硬件写保护整个内存
I
永久及可逆软件写
I
在SCL和SDA输入施密特触发器
I
低功耗CMOS技术
I
百万编程/擦除周期
I
百年数据保留
I
8引脚TSSOP和TDFN封装
I
工业温度范围
保护低128个字节
描述
该CAT34RC02是一个2 KB的串行EEPROM CMOS
内部组织为256个字，每行8位。催化剂的
先进的CMOS技术实质上减少
设备的电源要求。该CAT34RC02特点
一个16字节页写缓存。该装置通过操作
I
2
C总线串行接口，并采用8引脚TSSOP封装
和TDFN封装。
引脚配置
TDFN封装（ SP2 ， VP2 ）
A0 1
A1 2
A2 3
VSS 4
TSSOP封装（U ， Y， GY ）
A0
A1
A2
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚功能
引脚名称
A
0
, A
1
, A
2
SDA
SCL
WP
V
CC
V
SS
i
D
VSS
c
s
i
t
n
o
8 VCC
7 WP
6 SCL
5 SDA
VCC
WP
SCL
SDA
u
n
功能符号
VCC
d
e
a
P
t
r
SCL
A2, A1, A0
WP
CAT34RC02
SDA
VSS
功能
器件地址输入
串行数据/地址
串行时钟
写保护
1.7 V至5.5 V电源供电
地
* Catalyst半导体是由飞利浦公司获发牌进行的I
2
C总线协议。
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
文档。 1052号，第
1
CAT34RC02
绝对最大额定值*
高温下偏置.................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度........................ -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
............ -2.0 V到V
CC
+ 2.0 V
上的电压
0 ..................................................
-2.0 V至12.0 V
V
CC
相到V
SS ..............................
-2.0 V至7.0 V
可靠性的特点
(2)
符号
N
结束（ * ）
T
DR
(*)
* COMMENT
强调上述“绝对最大额定值”，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
那些在本规范的业务部门所列出的之外不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值长时间
可能影响器件的性能和可靠性。
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
民
1,000,000
100
4000
100
编程/擦除周期
岁月
伏
mA
V
ZAP （ * ）
I
LTH(3)
（ * ）页面模式， VCC = 5V ，25°C
直流工作特性
V
CC
= 1.7 V至5.5 V ，除非另有规定。
符号
I
CC
I
CC
I
SB(4)
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OL2
V
HV
参数
电源电流（读）
电源电流（写）
测试条件
f
SCL
= 100千赫
f
SCL
= 100千赫
待机电流（V
CC
= 5.0 V)
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压（V
CC
= 3.0 V)
输出低电压（V
CC
= 1.7 V)
RSWP设置/清除高速
A
0
高压
电容
T
A
= 25 ° C，F = 400千赫，V
CC
= 5 V
符号
C
I/O(2)
C
IN(2)
Z
WPL
Z
WPH
TEST
条件
V
I / O
= 0 V
V
IN
= 0 V
V
IN
＆ LT ; 0.5 V
V
IN >
V
CC
x 0.7
5
500
民
典型值
最大
8
6
70
单位
pF
pF
k
k
输入/输出电容（ SDA ）
输入电容（其他引脚）
WP输入阻抗
WP输入阻抗
i
D
c
s
i
t
n
o
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
u
n
d
e
民
–1
7
a
P
最大
1
3
1
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1.0
0.4
0.5
10
单位
t
r
单位
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
典型值
V
CC
x 0.7
I
OL
= 3毫安
I
OL
= 1.5毫安
V
HV
- V
CC
> 4.8 V
注意：
（ 1 ）在任何引脚的直流输入电压不应低于V低于-0.5 V或更高
CC
+ 0.5V的转换过程中，在任何引脚上的电压
可能下冲，以不低于-2.0伏或过冲，以不超过VCC + 2.0伏，对于小于20毫微秒周期。最大直流
电压的地址引脚上的
0
为12.0 V.
（ 2 ）这些参数，并初步设计或过程的变化影响，根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后，
和JEDEC测试方法。
提供（ 3 ）闩锁保护的压力高达100毫安的I / O引脚从-1.0 V到V
CC
+ 1.0 V.
（ 4 ）待机电流，I
SB
= 10
A
最大的扩展级温度范围。
文档。 1052号，第
2
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
CAT34RC02
交流特性
V
CC
= 1.7 V至5.5 V ，除非另有规定。
阅读&写周期极限
符号
参数
1.7 V - 5.5 V
民
F
SCL
T
I(1)
t
AA
t
BUF(1)
t
高清： STA
t
低
t
高
t
SU ： STA
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
R(1)
t
F(1)
t
苏： STO
t
DH
时钟频率
噪声抑制时间
恒定在SCL， SDA输入
SCL低到SDA数据输出
和ACK出
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
START条件保持时间
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
（对于重复启动条件）
数据保持时间
数据建立时间
4.7
4
4.7
4
4.7
最大
100
100
3.5
1.3
0.6
2.5 V - 5.5 V
民
最大
400
100
单位
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
停止条件的建立时间
数据输出保持时间
上电时序
(1)(2)
符号
t
PUR
t
PUW
写周期极限
符号
t
WR
i
D
上电到读操作
上电到写操作
c
s
参数
i
t
n
o
u
n
0
250
4
100
1
d
e
1.3
0.6
0.6
0
100
0.6
100
典型值
a
P
0.3
300
最大
1
1
0.9
t
r
ns
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
ns
s
ns
千赫
300
民
单位
ms
ms
参数
写周期时间
民
典型值
最大
5
单位
ms
写周期时间之间的经过时间
停止命令（以下写指令）和
内部写周期完成。在内部
写周期， SDA被释放的奴隶和设备
不承认外部命令。
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
(2) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
3
文档编号1052版本
CAT34RC02
I
2
C总线协议
在我
2
C总线由两个'线'， SCL和SDA 。该
两个'丝'被连接到所述电源（V
CC
）通过拉
电阻器。 Master和Slave设备连接到总线
通过各自的SCL和SDA引脚。发射
器件拉低SDA线，以'发射' ，'0'和
它发布到'发射' '1' 。
当总线（ 1 ）数据传输，可以只启动
不忙（见交流特性） 。
（ 2 ）在数据传输，数据线必须保持
只要稳定在SCL线为高。一个SDA
过渡而SCL为高电平将被解释为一个
启动或停止条件。
启动条件
起始条件之前的所有命令。它由
一个由高到低的转变对SDA的当SCL为高电平。
START条件作为一个'唤醒'呼吁
从设备。一个从不会响应命令
除非主设备产生一个起始条件。
停止条件
停止条件完成的所有命令。它由
从低到高的跳变的SDA ，SCL为高电平。
当停止条件启动内部写周期，
下一个写命令和发送到从站
待机模式下，下面的READ命令时。
设备寻址
法师通过创建一个START启动数据传输
条件的总线上。然后，主播放器8
位串行从机地址。的四个最显著位
从机地址（ “序言” ）是固定的1010
（阿） ，对于正常的读/写操作和0110 （ 6小时），用于
软件写保护（ SWP ）的操作（图5） 。该
接下来的三位，A
2
, A
1
AND A
0
选择的八个可能1
从设备。最后位， R / W，用于指定是否一
读（1）或写（0）的操作将被执行。
应答
图4.确认时间
图5.从地址位
i
D
数据输出
来自发射机
c
s
1
0
从SCL
主
i
t
n
o
1
开始
u
n
处理从站地址后，从机响应
有一个确认（ ACK）通过拉低SDA
9时线
th
时钟周期。从机将aslo
确认的8位字节的地址和每一个数据字节
呈现在写入模式。在读模式下，从
移出8位数据，然后“释放”的SDA
durng的9号线
th
时钟周期。如果主承认
在9
th
时钟周期（拉低SDA线） ，然后
从站继续传递。当数据传输是
完成后，法师与诺亚克响应（它
不承认最后一个数据字节）和从站
发射并等待一个停止条件。
d
e
8
a
P
9
t
r
数据输出
来自接收机
应答
0
1
0
A2
A1
A0
读/写
正常的读写
设备地址
1
1
0
A2
A1
A0
读/写
编程写入
保护寄存器
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
5
文档编号1052版本
QQ：2881677436 复制
