CAT24C01B
1K位串行EEPROM
特点
I
2线串行接口
I
1.8 6.0Volt操作
I
低功耗CMOS技术
I
4字节页写缓冲
I
自定时写周期自动清零
I
百万编程/擦除周期
I
百年数据保留
I
8引脚DIP , 8引脚SOIC , 8引脚TSSOP封装或8引脚MSOP
I
商用,工业和汽车
温度范围
I
可用"Green"封装选项
描述
该CAT24C01B是1K位串行EEPROM CMOS
内部组织为每个8位128个字。催化剂的
先进的CMOS技术实质上减少DE-
副电源的要求。该CAT24C01B有
4字节页写缓存。该装置通过一个2-工作
线串行接口,并提供8引脚DIP , 8引脚
SOIC , 8引脚TSSOP封装或8引脚MSOP封装。
引脚配置
DIP封装( P,L , GL )
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
TEST
SCL
SDA
SOIC封装(J ,W , GW)
NC
NC
NC
VSS
MSOP封装( R, Z, GZ )
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC NC
测试NC
SCL
NC
SDA VSS
TSSOP封装(U , Y, GY )
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚功能
引脚名称
NC
SDA
SCL
V
CC
V
SS
i
D
c
s
i
t
n
o
3
4
6
5
1
2
8
7
VCC
TEST
SCL
SDA
u
n
VCC
VSS
SDA
框图
外部负载
d
e
a
P
XDEC
t
r
DOUT
确认
检测放大器
移位寄存器
字地址
缓冲器
COLUMN
解码器
START / STOP
逻辑
VCC
TEST
SCL
SDA
E
2
舞会
EEPROM
控制
逻辑
存储数据
功能
无连接
串行数据/地址
SCL
状态计数器
高电压/
定时控制
串行时钟
+ 1.8V至+ 6.0V电源
地
测试输入( GND ,V
CC
or
浮动)
TEST
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1
文档。 1081号,英文内容
CAT24C01B
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力( TA = 25 ℃) ................................. 1.0W
引线焊接温度( 10秒) ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
民
1,000,000
100
2000
100
最大
* COMMENT
注意,超出上述绝对最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
基准测试方法
MIL - STD-883标准,测试方法1033
直流工作特性
V
CC
= + 1.8V至+ 6.0V ,除非另有规定。
符号
I
CC
I
SB(5)
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OL2
参数
电源电流
待机电流(V
CC
= 5.0V)
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
电容
T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
CC
= 5V
符号
C
I/O(3)
C
IN(3)
TEST
最大
8
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
输入/输出电容( SDA )
输入电容( A0,A1, A2 ,SCL,可湿性粉剂)
注意:
(1 )最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中,输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ,这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
(2)输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
( 3 )这些参数都和最初设计或工艺变更影响,根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后,
和JEDEC测试方法。
提供( 4 )闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
( 5 )最大待机电流(I
SB
) = 10μA的汽车和扩展汽车温度范围内。
i
D
输入高电压
输出低电压(V
CC
= 3.0V)
输出低电压(V
CC
= 1.8V)
c
s
i
t
n
o
民
–1
u
n
范围
典型值
d
e
最大
3
1
10
10
0.4
0.5
MIL - STD-883标准,测试方法1008
MIL - STD-883标准,测试方法3015
JEDEC标准17
a
P
t
r
单位
mA
A
A
A
V
V
V
V
测试条件
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
V
CC
x 0.7
I
OL
= 3毫安
I
OL
= 1.5毫安
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2
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CAT24C01B
交流特性
V
CC
= + 1.8V至+ 6.0V ,C
L
= 1TTL门和100pF电容(除非另有说明) 。
阅读&写周期极限
符号
参数
1.8V, 2.5V
民
F
SCL
T
I(1)
t
AA
t
BUF(1)
t
高清: STA
t
低
t
高
t
SU : STA
t
高清: DAT
t
苏: DAT
t
R(1)
t
F(1)
t
苏: STO
t
DH
时钟频率
噪声抑制时间
恒定在SCL, SDA输入
SCL低到SDA数据输出
和ACK出
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
START条件保持时间
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
(对于重复启动条件)
数据保持时间
数据建立时间
4.7
4
4.7
4
最大
100
100
3.5
1.2
4.5V-5.5V
民
最大
400
100
单位
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
停止条件的建立时间
数据输出保持时间
上电时序
(1)(2)
符号
t
PUR
t
PUW
写周期极限
符号
t
WR
写周期时间是从一个有效的停止时间
写过程的到内部的结束条件
编程/擦除周期。在写周期期间,在总线
i
D
c
s
上电到读操作
上电到写操作
i
t
n
o
参数
u
n
0
250
4.7
100
4.7
1
d
e
1.2
0.6
0.6
0
100
0.6
100
最大
1
1
0.6
a
P
1
0.3
300
t
r
千赫
ns
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
ns
s
ns
300
单位
ms
ms
参数
民
典型值
最大
10
单位
ms
写周期时间
接口电路都被禁止, SDA被允许留
高,并且该设备不响应其输入。
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
(2) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的,直到指定的操作可以启动。
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文档。 1081号,英文内容
CAT24C01B
启动条件
在启动条件之前的所有命令的
装置中,并且被定义为一高到低的转变
SDA在SCL为高电平。该CAT24C01B监控
SDA和SCL线,将不会响应此之前,
条件被满足。
停止条件
从低到高的SDA的过渡,当SCL为高电平
决定停止条件。所有操作必须结束
一个停止条件。
应答
一个成功的数据传输后,每个接收设备是
需要产生一个应答。在其它确认
荷兰国际集团的设备在第九个时钟拉低SDA线
周期,这表明它收到的8位数据。
该CAT24C01B响应一个应答
接收起始条件和从机地址。如果
装置已经随着写操作选择
它接收的每个8位后的确认响应
位字节。
当CAT24C01B处于读模式将其发送
8位数据,释放SDA线,并监视
行确认。一旦它接收到该应答响应
边缘时, CAT24C01B将继续发送数据。如果
不承认是法师,设备发送
终止数据发送,并等待一个停止
条件。
(用R / W位设置为0)到从设备。后
从器件产生一个应答,在主机发送
字节地址是要被写入到该地址指针
的CAT24C01B 。接到另一个应答响应后
从奴隶沿,主设备发送的
数据字节被写入到被寻址的存储器
位置。该CAT24C01B确认一次,并
主机产生停止条件,此时
该装置开始其内部编程周期
非易失性存储器。虽然这种内部循环中
进展,该设备将不能够从任何请求作出响应
主设备。
页写
写操作
字节写
在字节写模式下,主设备发送
起始条件和从地址信息
图4.确认时间
i
D
c
s
从SCL
主
i
t
n
o
1
开始
u
n
该CAT24C01B写入最多4个字节的数据在一个单一的
写周期,使用页写操作。页面
以相同的方式与被启动的写入操作
字节写操作,但是,而不是结束
最初的字发送后,法师被允许
发送最多3个附加字节。每个字节后一直
传输的CAT24C01B将一个应答响应
知识,并在内部增加了低位AD-
一个打扮位。高序位保持非
改变了。
如果主机发送多于4个字节发送之前
在停止状态时,地址计数器“环绕”
和以前发送的数据将被覆盖。
当所有4个字节接收和停止条件
已发送的法师,内部编程
周期开始。在这一点上的所有接收到的数据写入到
在CAT24C01B在一个写周期。
d
e
a
P
t
r
注: Catalyst半导体做节目的所有"1"数据
成之前,航运对整个存储器阵列我们
EEPROM产品。
8
9
数据输出
来自发射机
数据输出
来自接收机
应答
5020 FHD F06
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文档。 1081号,英文内容