【2004年1月 UC牛逼ê Pro产品LE牛逼TEOBSOST I T ü（E S） UB 3 0 】,IC型号CA3096C,CA3096C PDF资料,CA3096C经销商,ic,电子元器件-51电子网

2004年1月

UC牛逼

ê Pro产品

LE牛逼

TE

OBSO

ST I T ü

（E S） UB 3 0 9 6

BL

HFA

possi

CA3096 ， CA3096A ，

CA3096C

NPN / PNP晶体管阵列

描述

该CA3096C ， CA3096和CA3096A是通用

高压硅晶体管阵列。每个阵列由

网络已经独立的晶体管（双PNP和NPN 3种）

在公共衬底上，其中有一个单独的连接。

每个晶体管证马克西独立连接

妈妈的灵活性在电路设计。

类型CA3096A ， CA3096 ，和CA3096C是相同的，

除了CA3096A规格参数包括：

匹配和我更大的紧缩

CBO

, I

首席执行官

和

V

CE

（ SAT ）。该CA3096C是一个轻松的版本CA3096的。

应用

五独立的晶体管

- 三和NPN

- 两个PNP

差分放大器

直流放大器

检测放大器

电平转换器

- 定时器

灯和继电器驱动器

晶闸管电路射击

温度补偿放大器

运算放大器

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

本质差异

特征

V

（ BR ） CEO

（ V）（分钟）

CA3096A

CA3096

CA3096C

产品编号信息

产品型号

（品牌）

CA3096AE

CA3096AM

(3096A)

CA3096AM96

(3096A)

CA3096CE

CA3096E

CA3096M

(3096)

CA3096M96

(3096)

温度。

RANGE （

o

C)

-55至125

包

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的SOIC胶带

和卷轴

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的SOIC胶带

和卷轴

PKG 。

号

E16.3

M16.15

E16.3

M16.15

NPN

PNP

V

（ BR ） CBO

（ V）（分钟）

NPN

PNP

h

FE

在1mA时

NPN

PNP

h

FE

AT 100μA

PNP

I

CBO

（ nA的）（最大）

NPN

PNP

35

-40

35

-40

24

-24

45

-40

45

-40

30

-24

150-500

20-200

150-500

20-200

100-670

15-200

40-250

30-300

引脚

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

1

2

Q

1

3

4

5

6

7

8

Q

3

Q

2

Q

4

Q

5

14

13

12

11

10

9

16

15

基板

40

-40

100

-100

100

-100

I

首席执行官

（ nA的）（最大）

NPN

PNP

V

CE坐

（Ⅴ）（最大）

NPN

|V

IO

| （MV ）（最大）

NPN

PNP

|I

IO

| （ μA ）（最大值）

NPN

PNP

0.6

0.25

-

5

-

0.5

0.7

100

-100

1000

-1000

1000

-1000

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

1

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

FN595.5

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

绝对最大额定值

NPN

PNP

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 35V

-40V

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 24V

-24V

集电极 - 基极电压，V

CBO

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 45V

-40V

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30V

-24V

集电极 - 衬底电压，V

CIO

（注1 ）

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 45V

-

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30V

-

发射极 - 衬底电压，V

EIO

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -

-40V

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -

-24V

发射极 - 基极电压，V

EBO

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6V

-40V

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6V

-24V

-10mA

集电极电流，I

C

（所有类型）。。。。。。。。。。。。 50毫安

温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至125

o

C

工作条件

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

110

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

120

最大功率耗散（每个晶体管，注3 ）。。。。。 200mW的

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意事项：

1. CA3096的每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板（端子16 ）必须

连接到最负点在外围电路的晶体管之间保持隔离，并为普通晶体管

采取行动。

2.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

3.必须小心，以避免超过最大结温。使用的总功率耗散（所有晶体管）和热

电阻来计算结温。

电气规格

对于设备的设计，在T

A

= 25

o

C

CA3096

民

典型值

最大

民

CA3096A

典型值

最大

民

CA3096C

典型值

最大

单位

参数

TEST

条件

直流特性FOR EACH NPN晶体管

I

CBO

I

首席执行官

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ）首席信息官

V

（ BR ） EBO

V

Z

V

CE坐

V

BE

（注4 ）

h

FE

（注4 ）

|V

BE

/ ΔT | （注4 ）

V

CB

= 10V,

I

E

= 0

V

CE

= 10V,

I

B

= 0

I

C

= 1mA时，我

B

=

0

I

C

= 10A,

I

E

= 0

I

CI

= 10A,

I

B

= I

E

= 0

I

E

= 10A,

I

C

= 0

I

Z

= 10A

l

C

= 10毫安，

I

B

= 1毫安

I

C

= 1mA时，

V

CE

= 5V

I

C

= 1mA时，

V

CE

= 5V

-

35

45

6

-

0.6

150

-

0.001

0.006

50

100

8

7.9

0.24

0.69

390

1.9

100

1000

-

9.8

0.7

0.78

500

-

35

45

6

-

0.6

150

-

0.001

0.006

50

100

8

7.9

0.24

0.69

390

1.9

40

100

-

9.8

0.5

0.78

500

-

24

30

6

-

0.6

100

-

0.001

0.006

35

80

8

7.9

0.24

0.69

390

1.9

100

1000

-

9.8

0.7

0.78

670

-

毫伏/

o

C

nA

V

直流特性FOR EACH PNP晶体管

I

CBO

V

CB

= -10V,

I

E

= 0

-

-0.06

-100

-

-0.006

-40

-

-0.06

-100

nA

2

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

电气规格

对于设备的设计，在T

A

= 25

o

C

（续）

CA3096

民

-

-40

40

-

-0.5

40

20

-

典型值

-0.12

-75

-80

-100

100

-0.16

-0.6

85

47

2.2

最大

-1000

-

-0.4

-0.7

250

200

-

民

-

-40

40

-

-0.5

40

20

-

V

Z

V

CE坐

V

BE

h

FE

CA3096A

典型值

-0.12

-75

-80

-100

100

-0.16

-0.6

85

47

2.2

最大

-100

-

-0.4

-0.7

250

200

-

民

-

-24

24

-

-0.5

30

15

-

CA3096C

典型值

-0.12

-30

-60

-80

80

-0.16

-0.6

85

47

2.2

最大

-1000

-

-0.4

-0.7

300

200

-

毫伏/

o

C

单位

nA

V

参数

I

首席执行官

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

（ BR ） ELO

V

CE坐

V

BE

（注4 ）

h

FE

（注4 ）

TEST

条件

V

CE

= -10V,

I

B

= 0

I

C

= -100A,

I

B

= 0

I

C

= -10A,

I

E

= 0

I

E

= -10A,

I

C

= 0

I

EI

= 10A,

I

B

= I

C

= 0

I

C

= -1mA ，

I

B

= -100A

I

C

= -100A,

V

CE

= -5V

I

C

= -100A,

V

CE

= -5V

I

C

= -1mA ，

V

CE

= -5V

|V

BE

/ ΔT | （注4 ）

I

CBO

I

首席执行官

I

C

= -100A,

V

CE

= -5V

集电极截止电流

发射极 - 基齐纳电压

集电极 - 发射极饱和电压

基极 - 发射极电压

直流正向电流传输比

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ）首席信息官

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

注意：

4.实际迫使电流通过发射器，用于此试验。

|V

BE

/ ΔT |温度系数的幅度：

（对于每个晶体管）

电气规格

对于设备设计在T

A

= 25

o

C（ CA3096A只）

CA3096A

参数

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

FOR晶体管Q1

1

和Q

2

（为差分放大器ER）

绝对的输入失调电压

绝对的输入失调电流

绝对的输入失调电压

温度COEF网络cient

|比奥|

|I

IO

|

V

IO

-----------------

-

T

V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

-

0.3

0.07

1.1

5

0.6

-

mV

A

V/

o

C

FOR晶体管Q1

4

和Q

5

（为差分放大器ER）

绝对的输入失调电压

绝对的输入失调电流

绝对的输入失调电压

温度COEF网络cient

|V

IO

|

|I

IO

|

V

IO

-----------------

-

T

V

CE

= -5V ，我

C

= -100A

R

S

= 0

-

0.15

2

0.54

5

250

-

mV

nA

V/

o

C

3

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

电气规格

参数

仅供设计参考当T典型值

A

= 25

o

C

典型

值

符号

测试条件

单位

动态特性FOR EACH NPN晶体管

噪声图（低频）

低频，输入电阻

低频输出电阻

纳特点

正向转移导纳

y

FE

输入导纳

y

IE

输出导纳

y

OE

增益带宽积

f

T

g

FE

b

FE

g

IE

b

IE

g

OE

b

OE

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 1.0毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 5毫安

发射极 - 基极电容

集电极 - 基极电容

集电极 - 衬底电容

C

EB

C

CB

C

CI

V

EB

= 3V

V

CB

= 3V

V

CI

= 3V

7.5

-j13

2.2

j3.1

0.76

j2.4

280

335

0.75

0.46

3.2

mS

兆赫

pF

NF

R

I

R

O

F = 1kHz时，V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安，R

S

= 1k

F = 1.0kHz ，V

CE

= 5V I

C

= 1毫安

F = 1.0kHz ，V

CE

= 5V I

C

= 1毫安

2.2

10

80

dB

k

动态特性FOR EACH PNP晶体管

噪声图（低频）

低频输入电阻

低频输出电阻

增益带宽积

发射极 - 基极电容

集电极 - 基极电容

碱与底物的电容

NF

R

I

R

O

f

T

C

EB

C

CB

C

BI

F = 1kHz时，我

C

= 100μA ，R

S

= 1k

F = 1kHz时，V

CE

= 5V ，我

C

= 100A

F = 1kHz时，V

CE

= 5V ，我

C

= 100A

V

CE

= 5V ，我

C

= 100A

V

EB

= -3V

V

CB

= -3V

V

BI

= 3V

3

27

680

6.8

0.85

2.25

3.05

dB

k

兆赫

pF

典型应用

（基板）

2

f

1

500

0.1F

3

1k

V+ = 10V

13

1k

0.1F

f

2

500

5

4

注：F

1

或f

2

< 10kHz的

6

Q

2

7

44003

8

0

-20

-10

f

2

- f

1

> 0

0

f

1

= f

2

10

f

1

- f

2

> 0

20

9

产量

1

15

14

Q

5

11

3k

10

Q

4

输出电压（V）

1

3k

12

1F

16

9

中心频率： 1kHz时

8

7

6

5

4

3

2

频率偏差（千赫）

图1.频率比较使用CA3096

图2.频率比较特性

4

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

典型应用

（续）

3

NTC

传感器

2

+

120V

AC

1

R

P

6.8k

2W

7

Q

3

8

9

16

5.1k

Q

1

100F

12V

-

11

Q

4

12

10

10k

13

Q

5

15

5

10k

14

6

Q

2

4

10k

5.1k

1k

G

MT

1

T2300B

MT

2

负载

图3线式液位开关使用CA3096A或CA3096

+6V

13

Q

5

14

40841

MOSFET

20k

5k

产量

15

11

10

Q

4

12

1k

1

Q

1

Q

2

50M

5F

4

5

3

6

20k

8

7

3.9k

10k

9

Q

3

1k

时延变化

±7%

电源电压的变化

±10%

16

图4.一分钟定时器使用CA3096A和MOSFET

5

CA3096 ， CA3096A ，

CA3096C

1997年12月

NPN / PNP晶体管阵列

描述

该CA3096C ， CA3096和CA3096A是通用

高压硅晶体管阵列。每个阵列由

网络已经独立的晶体管（双PNP和NPN 3种）

在公共衬底上，其中有一个单独的连接。

每个晶体管证马克西独立连接

妈妈的灵活性在电路设计。

类型CA3096A ， CA3096 ，和CA3096C是相同的，除了

该CA3096A特定连接的阳离子包括参数匹配

而在我更大的紧缩

CBO

, I

首席执行官

和V

CE

（ SAT ）。该

CA3096C是一个轻松的版本CA3096的。

应用

五独立的晶体管

- 三和NPN

- 两个PNP

差分放大器器

直流放大器器

检测放大器器

电平转换器

- 定时器

灯和继电器驱动器

晶闸管电路射击

温度补偿放大器器

运算放大器连接器

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

本质差异

特征

V

（ BR ） CEO

（ V）（分钟）

CA3096A

CA3096

CA3096C

订购信息

产品型号

（品牌）

CA3096AE

CA3096AM

(3096A)

CA3096AM96

(3096A)

CA3096CE

CA3096E

CA3096M

(3096)

CA3096M96

(3096)

温度。

RANGE （

o

C)

-55至125

包

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的SOIC胶带

和卷轴

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的SOIC胶带

和卷轴

PKG 。

号

E16.3

M16.15

E16.3

M16.15

NPN

PNP

V

（ BR ） CBO

（ V）（分钟）

NPN

PNP

h

FE

在1mA时

NPN

PNP

h

FE

AT 100μA

PNP

I

CBO

（ nA的）（最大）

NPN

PNP

35

-40

35

-40

24

-24

45

-40

45

-40

30

-24

150-500

20-200

150-500

20-200

100-670

15-200

40-250

30-300

引脚

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

1

2

Q

1

3

4

5

6

7

8

Q

3

Q

2

Q

4

Q

5

14

13

12

11

10

9

16

15

基板

40

-40

100

-100

100

-100

I

首席执行官

（ nA的）（最大）

NPN

PNP

V

CE坐

（Ⅴ）（最大）

NPN

|V

IO

| （MV ）（最大）

NPN

PNP

|I

IO

| （ μA ）（最大值）

NPN

PNP

0.6

0.25

-

5

-

0.5

0.7

100

-100

1000

-1000

1000

-1000

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

网络文件编号

595.4

1

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

绝对最大额定值

NPN

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 35V

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 24V

集电极 - 基极电压，V

CBO

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 45V

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30V

集电极 - 衬底电压，V

CIO

（注1 ）

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 45V

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30V

发射极 - 衬底电压，V

EIO

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -

发射极 - 基极电压，V

EBO

CA3096 ， CA3096A 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6V

CA3096C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6V

集电极电流，I

C

（所有类型）。。。。。。。。。。。。 50毫安

PNP

-40V

-24V

-40V

-24V

-

-40V

-24V

-40V

-24V

-10mA

工作条件

温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至125

o

C

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

90

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

125

最大功率耗散（每个晶体管，注3 ）。。。。。 200mW的

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意事项：

1. CA3096的每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板（端子16 ）必须

连接到最负点在外围电路的晶体管之间保持隔离，并为普通晶体管

采取行动。

2.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

3.必须小心，以避免超过最大结温。使用的总功率耗散（所有晶体管）和热

电阻来计算结温。

电气连接特定的阳离子

对于设备的设计，在T

A

= 25

o

C

CA3096

民

典型值

最大

民

CA3096A

典型值

最大

民

CA3096C

典型值

最大

单位

参数

TEST

条件

直流特性FOR EACH NPN晶体管

I

CBO

I

首席执行官

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ）首席信息官

V

（ BR ） EBO

V

Z

V

CE坐

V

BE

（注4 ）

h

FE

（注4 ）

|V

BE

/ ΔT | （注4 ）

V

CB

= 10V,

I

E

= 0

V

CE

= 10V,

I

B

= 0

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

I

C

= 10A,

I

E

= 0

I

CI

= 10A,

I

B

= I

E

= 0

I

E

= 10A,

I

C

= 0

I

Z

= 10A

l

C

= 10毫安，

I

B

= 1毫安

I

C

= 1mA时，

V

CE

= 5V

I

C

= 1mA时，

V

CE

= 5V

-

35

45

6

-

0.6

150

-

0.001

0.006

50

100

8

7.9

0.24

0.69

390

1.9

100

1000

-

9.8

0.7

0.78

500

-

35

45

6

-

0.6

150

-

0.001

0.006

50

100

8

7.9

0.24

0.69

390

1.9

40

100

-

9.8

0.5

0.78

500

-

24

30

6

-

0.6

100

-

0.001

0.006

35

80

8

7.9

0.24

0.69

390

1.9

100

1000

-

9.8

0.7

0.78

670

-

毫伏/

o

C

nA

V

直流特性FOR EACH PNP晶体管

I

CBO

V

CB

= -10V,

I

E

= 0

-

-0.06

-100

-

-0.006

-40

-

-0.06

-100

nA

2

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

电气连接特定的阳离子

对于设备的设计，在T

A

= 25

o

C

（续）

CA3096

民

-

-40

40

-

-0.5

40

20

-

典型值

-0.12

-75

-80

-100

100

-0.16

-0.6

85

47

2.2

最大

-1000

-

-0.4

-0.7

250

200

-

民

-

-40

40

-

-0.5

40

20

-

V

Z

V

CE坐

V

BE

h

FE

CA3096A

典型值

-0.12

-75

-80

-100

100

-0.16

-0.6

85

47

2.2

最大

-100

-

-0.4

-0.7

250

200

-

民

-

-24

24

-

-0.5

30

15

-

CA3096C

典型值

-0.12

-30

-60

-80

80

-0.16

-0.6

85

47

2.2

最大

-1000

-

-0.4

-0.7

300

200

-

毫伏/

o

C

单位

nA

V

参数

I

首席执行官

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

（ BR ） ELO

V

CE坐

V

BE

（注4 ）

h

FE

（注4 ）

TEST

条件

V

CE

= -10V,

I

B

= 0

I

C

= -100A,

I

B

= 0

I

C

= -10A,

I

E

= 0

I

E

= -10A,

I

C

= 0

I

EI

= 10A,

I

B

= I

C

= 0

I

C

= -1mA ，

I

B

= -100A

I

C

= -100A,

V

CE

= -5V

I

C

= -100A,

V

CE

= -5V

I

C

= -1mA ，

V

CE

= -5V

|V

BE

/ ΔT | （注4 ）

I

CBO

I

首席执行官

I

C

= -100A,

V

CE

= -5V

集电极截止电流

发射极 - 基齐纳电压

集电极 - 发射极饱和电压

基极 - 发射极电压

直流正向电流传输比

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ）首席信息官

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

注意：

4.实际迫使电流通过发射器，用于此试验。

|V

BE

/ ΔT |温度系数的幅度：

（对于每个晶体管）

电气连接特定的阳离子

对于设备设计在T

A

= 25

o

C（ CA3096A只）

CA3096A

参数

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

FOR晶体管Q1

1

和Q

2

（为差分放大器ER）

绝对的输入失调电压

绝对的输入失调电流

绝对的输入失调电压

温度COEF网络cient

|比奥|

|I

IO

|

V

IO

-----------------

-

T

V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

-

0.3

0.07

1.1

5

0.6

-

mV

A

V/

o

C

FOR晶体管Q1

4

和Q

5

（为差分放大器ER）

绝对的输入失调电压

绝对的输入失调电流

绝对的输入失调电压

温度COEF网络cient

|V

IO

|

|I

IO

|

V

IO

-----------------

-

T

V

CE

= -5V ，我

C

= -100A

R

S

= 0

-

0.15

2

0.54

5

250

-

mV

nA

V/

o

C

3

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

电气连接特定的阳离子

参数

仅供设计参考当T典型值

A

= 25

o

C

典型

值

符号

测试条件

单位

动态特性FOR EACH NPN晶体管

噪声图（低频）

低频，输入电阻

低频输出电阻

纳特点

正向转移导纳

y

FE

输入导纳

y

IE

输出导纳

y

OE

增益带宽积

f

T

g

FE

b

FE

g

IE

b

IE

g

OE

b

OE

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

F = 1MHz时， V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 1.0毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 5毫安

发射极 - 基极电容

集电极 - 基极电容

集电极 - 衬底电容

C

EB

C

CB

C

CI

V

EB

= 3V

V

CB

= 3V

V

CI

= 3V

7.5

-j13

2.2

j3.1

0.76

j2.4

280

335

0.75

0.46

3.2

mS

兆赫

pF

NF

R

I

R

O

F = 1kHz时，V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安，R

S

= 1k

F = 1.0kHz ，V

CE

= 5V I

C

= 1毫安

F = 1.0kHz ，V

CE

= 5V I

C

= 1毫安

2.2

10

80

dB

k

动态特性FOR EACH PNP晶体管

噪声图（低频）

低频输入电阻

低频输出电阻

增益带宽积

发射极 - 基极电容

集电极 - 基极电容

碱与底物的电容

NF

R

I

R

O

f

T

C

EB

C

CB

C

BI

F = 1kHz时，我

C

= 100μA ，R

S

= 1k

F = 1kHz时，V

CE

= 5V ，我

C

= 100A

F = 1kHz时，V

CE

= 5V ，我

C

= 100A

V

CE

= 5V ，我

C

= 100A

V

EB

= -3V

V

CB

= -3V

V

BI

= 3V

3

27

680

6.8

0.85

2.25

3.05

dB

k

兆赫

pF

典型应用

（基板）

2

f

1

500

0.1F

3

1k

V+ = 10V

13

1k

0.1F

f

2

500

5

4

注：F

1

或f

2

< 10kHz的

6

Q

2

7

44003

8

0

-20

-10

f

2

- f

1

> 0

0

f

1

= f

2

10

f

1

- f

2

> 0

20

9

产量

1

15

14

Q

5

11

3k

10

Q

4

输出电压（V）

1

3k

12

1F

16

9

中心频率： 1kHz时

8

7

6

5

4

3

2

频率偏差（千赫）

图1.频率比较使用CA3096

图2.频率比较特性

4

CA3096 ， CA3096A ， CA3096C

典型应用

（续）

3

NTC

传感器

2

+

120V

AC

1

R

P

6.8k

2W

7

Q

3

8

9

16

5.1k

Q

1

100F

12V

-

11

Q

4

12

10

10k

13

Q

5

15

5

10k

14

6

Q

2

4

10k

5.1k

1k

G

MT

1

T2300B

MT

2

负载

图3线式液位开关使用CA3096A或CA3096

+6V

13

Q

5

14

40841

MOSFET

20k

5k

产量

15

11

10

Q

4

12

1k

1

Q

1

Q

2

50M

5F

4

5

3

6

20k

8

7

3.9k

10k

9

Q

3

1k

时延变化

±7%

电源电压的变化

±10%

16

图4.一分钟定时器使用CA3096A和MOSFET

V+

36

-

V T，

=

±

--------------

IO RL

如果我

O

= 1毫安和R

L

= 1k

V

T

=

±

36mV

1k

12

10

Q

4

11

15

14

3

V

IN

100

1k

8

Q

3

7

V-

1

Q

1

2

9

I

O

1k

4

Q

5

13

6

Q

2

100

5

E

O

0

t

2k

R

L

1k

E

O

+V

T

V

IN

-V

T

t

图5. CA3096A小信号的零电压检测器HAVING噪声抗扰度

5