1CY 7C14 0
传真号： 5200
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
1K ×8双端口静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元允许simulta-
neous读取相同的内存位置
1K ×8的组织
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 15纳秒
低工作功耗：我
CC
= 90毫安（最大）
完全异步操作
自动断电
主CY7C130 / CY7C131轻松扩展数据总线
利用从属CY7C140 / CY7C141宽度为16位或更多位
对CY7C130 / CY7C131 BUSY输出标志; BUSY输入
在CY7C140 / CY7C141
INT标志的端口到端口的通信
提供48引脚DIP （ CY7C130 / 140 ） ， 52引脚PLCC和
52引脚TQFP
引脚兼容和功能上等同于
IDT7130/IDT7140
功能说明
该CY7C130 / CY7C131 / CY7C140和CY7C141是
高速CMOS 1K ×8双端口静态RAM 。两个端口
而设置允许独立访问的任何位置中
内存。该CY7C130 / CY7C131可以用作任一
独立的8位双口静态RAM或作为主双端口
的RAM中与CY7C140 / CY7C141从属一起笃
需要16位或更高的人字端口器件的系统
宽度。它是解决应用程序设置要求共享或
缓冲的数据，如高速缓冲存储器的DSP ，位片，或
多处理器设计。
每个端口都有独立的控制引脚;片选（ CE ） ，
写使能（ R / W） ，并输出使能（OE ） 。两个标志
提供每个端口， BUSY和INT上。 BUSY信号的
端口正试图访问相同的位置，目前正在AC-
通过另一端口cessed 。 INT是中断标志，指示
数据已被放置在一个独特的位置（ 3FF为左端口
和3FE为正确的端口） 。自动断电功能
由芯片独立地控制每一个端口上启用
（ CE）引脚。
该CY7C130和CY7C140是48引脚DIP 。该
CY7C131和CY7C141提供52引脚PLCC和
PQFP 。
逻辑框图
读/写
L
CE
L
OE
L
读/写
R
CE
R
OE
R
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
CE
L
读/写
L
忙
L
INT
L
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
48
1
47
2
46
3
45
4
44
5
43
6
42
7
41
8
40
9
39
10
38
11
12 7C130 37
13 7C140 36
14
35
15
34
16
33
17
32
18
31
30
19
20
29
28
21
22
27
23
26
24
25
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
C130-2
I / O
7L
I / O
0L
[1]
忙
L
A
9L
A
0L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
7R
I / O
0R
忙
R
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
解码器
A
9R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
逻辑
（ 7C130 / 7C131 ONLY）
和
中断逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
INT
R
[2]
INT
L
[2]
C130-1
注意事项：
1. CY7C130 / CY7C131 （硕士） ： BUSY为开漏输出，需要上拉电阻
CY7C140 / CY7C141 （从） ： BUSY输入。
2.开漏输出：需要上拉电阻
s
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1989年5月 - 修订1997年3月27日
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
引脚配置
（待续
)
PLCC
顶视图
PQFP
顶视图
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
7C131
40
7C141
39
38
37
36
35
34
2122 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
52 5150 49 48 47 4645 44 43 42 41 40
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
39
38
37
36
35
34
7C131
33
7C141
32
31
30
29
28
27
1415 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
C130-4
C130-3
选购指南
7C131-15
[3,4]
7C131-25
[3]
7C141-15
7C141-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最长待机
电流（mA ）
Com'l /工业
军事
Com'l /工业
军事
75
65
65
15
190
25
170
7C130-30
7C131-30
7C140-30
7C141-30
30
170
7C130-35
7C131-35
7C140-35
7C141-35
35
120
170
45
65
7C130-45
7C131-45
7C140-45
7C141-45
45
90
120
35
45
7C130-55
7C131-55
7C140-55
7C141-55
55
90
120
35
45
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+150
°
C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚48至引脚24） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
注意事项：
3. 15和25 ns的版本只适用于PLCC / PQFP封装。
4.阴影区域中包含的初步信息。
5. T
A
区分温度“上的即时”
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
[5]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
2
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
电气特性
在整个工作范围
[6]
7C131-15
[3,4]
7C141-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[8, 9]
V
CC
操作
电源电流
待机电流
两个端口，
TTL输入
待机电流
一个端口，
TTL输入
待机电流
两个端口，
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
CE = V
IL
,
输出打开，
f = f
MAX[10]
CE
L
和CE
R
＆ GT ;
V
IH
, f = f
MAX[10]
Com'l
米尔
Com'l
米尔
135
115
75
65
–5
–5
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 4.0毫安
I
OL
= 16.0
mA
[7]
2.2
0.8
+5
+5
–350
190
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
–350
170
–5
–5
马克斯。
7C130-30
[3]
7C131-25,30
7C140-30
7C141-25,30
分钟。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
–350
120
170
45
65
90
115
15
15
15
15
–5
–5
马克斯。
7C130-35
7C131-35
7C140-35
7C141-35
分钟。马克斯。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
–350
90
120
35
45
75
90
15
15
mA
mA
mA
7C130-45,55
7C131-45,55
7C140-45,55
7C141-45,55
分钟。
2.4
0.4
0.5
V
V
A
A
mA
mA
MAX 。 UNIT
V
V
I
SB1
I
SB2
CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
IH
， Com'l
有源输出端口
米尔
把开放，
f = f
MAX[10]
两个端口CE
L
Com'l
和CE
R
＆ GT ; V
CC
- 米尔
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
一个端口CE
L
or
Com'l
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，MIL
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
有源端口输出
开放的，
f = f
MAX[10]
I
SB3
I
SB4
待机电流
一个端口，
CMOS输入
125
105
85
105
70
85
mA
注意事项：
6.参见本规范为A组分组测试信息的最后一页。
仅7 BUSY和INT引脚。
短路8.持续时间不得超过30秒钟。
9.此参数是保证，但未经测试。
10.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环以1 /吨的读周期的最大频率
RC
使用AC测试波形GND的输入电平为3V 。
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
]
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
15
10
单位
pF
pF
3
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
相当于：
产量
R2
347
R1 893
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
347
忙
OR
INT
R1 893
5V
281
30
pF
(b)
3.0V
GND
10%
C130-5
(a)
戴维南等效
250
1.40V
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
BUSY输出负载
（ CY7C130 / CY7C131 ONLY）
C130-6
≤
5纳秒
≤5ns
开关特性
在整个工作范围
[6,11]
7C131-15
[3,4]
7C141-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
[12]
7C130-25
[3]
7C131-25
7C140-25
7C141-25
分钟。
25
马克斯。
7C130-30
7C131-30
7C140-30
7C141-30
分钟。
30
马克斯。
单位
ns
30
0
30
20
3
15
5
15
0
25
30
25
25
2
0
25
15
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
0
ns
ns
描述
分钟。
15
马克斯。
15
0
15
10
3
10
3
10
0
[9]
25
0
25
15
3
15
5
15
0
25
25
20
20
2
0
15
15
0
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
[12]
OE低到DATA有效
OE低到低
[12]
Z
[9,13, 14]
OE高到高Z
[9,13, 14]
CE低到低Z
[9,13, 14]
CE高到高阻
[9,13, 14]
CE为低电平
上电
[9]
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
R / W脉宽
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
[14]
R / W高到低Z
[14]
0
15
15
12
12
2
0
12
10
0
10
0
写周期
[15]
15
注意事项：
11.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V指定的输出负载
I
OL
/I
OH ，
和30 pF负载电容。
12. AC测试条件使用V
OH
= 1.6V和V
OL
= 1.4V.
13.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
14. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZOE
, t
LZOE
, t
HZCE
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
存储器15内写入时间由CS低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平以启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的上升沿终止写
4
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
开关特性
在整个工作范围
[6,11]
（续）
7C131-15
[3,4]
7C141-15
参数
忙/中断时序
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB[17]
t
WH
t
BDD
t
DDD
t
WDD
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
[16]
端口设置为优先
后BUSY LOW R / W低
R / W后， BUSY高高
繁忙的有效数据
写数据有效读取数据有效
写脉冲数据延迟
5
0
13
15
记
18
记
18
15
15
15
15
15
15
[16]
7C130-25
[3]
7C131-25
7C140-25
7C141-25
分钟。
马克斯。
20
20
20
20
5
0
20
25
记
18
记
18
25
25
25
25
25
25
7C130-30
7C131-30
7C140-30
7C141-30
分钟。
马克斯。
20
20
20
20
5
0
30
30
记
18
记
18
25
25
25
25
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
15
15
15
15
中断时序
t
WINS
t
EINS
t
插件
t
OINR
t
EINR
t
INR
R / W中断设置时间
CE中断设置时间
地址，中断设置时间
OE中断复位时间
[16]
CE中断复位时间
地址
[16]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
中断复位时间
[16]
注意事项：
16.这些参数是从所述输入信号变化的测量，直到在输出引脚变为高阻抗状态。
17. CY7C140 / CY7C141只。
18.端口A ，其中端口A的优先级写操作，叶端口B的输出不受干扰，直到执行下列操作之一后，一个访问时间的数据：
忙对端口B变为高电平。
端口B的地址切换。
CE端口B被触发。
端口B R / W在有效读取被触发。
开关特性
在整个工作范围
[6,11]
7C130-35
7C131-35
7C140-35
7C141-35
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
[12]
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
[12]
7C130-45
7C131-45
7C140-45
7C141-45
分钟。
45
马克斯。
7C130-55
7C131-55
7C140-55
7C141-55
分钟。
55
马克斯。
单位
ns
55
0
55
25
3
25
5
25
0
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
35
马克斯。
35
0
35
20
3
20
5
20
0
35
0
5
3
0
45
45
25
20
20
35
OE低到DATA有效
[12]
OE低到低Z
[9,13, 14]
OE高到高Z
[9,13, 14]
CE低到低
Z
[9,13, 14]
Z
[9,13, 14]
CE高来高
CE为低电时
[9]
CE高到掉电
[9]
5
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
1K ×8双端口静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元允许simulta-
neous读取相同的内存位置
1K ×8的组织
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 15纳秒
低工作功耗：我
CC
= 110毫安（最大）
完全异步操作
自动断电
主CY7C130 / CY7C131轻松扩展数据总线
利用从属CY7C140 / CY7C141宽度为16位或更多位
在CY7C130 / CY7C131 BUSY输出标志; BUSY输入
在CY7C140 / CY7C141
INT标志的端口到端口的通信
提供48引脚DIP （ CY7C130 / 140 ） ， 52引脚PLCC ，
52引脚TQFP封装。
无铅封装
功能说明
该CY7C130 / CY7C131 / CY7C140和CY7C141是
高速CMOS 1K ×8双端口静态RAM 。两个端口
而设置允许独立访问的任何位置中
内存。该CY7C130 / CY7C131可以用作任一
独立的8位双口静态RAM或作为主双端口
内存在结合CY7C140 / CY7C141从属
需要16位或更大的字双端口设备中的系统
宽度。它是解决应用程序设置要求共享或
缓冲的数据，如高速缓冲存储器的DSP ，位片，或
多处理器设计。
每个端口都有独立的控制引脚;片选（ CE ） ，
写使能（ R / W） ，并输出使能（OE ） 。两个标志
提供每个端口， BUSY和INT上。 BUSY信号的
端口正试图访问相同的位置，目前正在
通过其他端口进行访问。 INT是中断标志，指示
该数据已被放置在一个独特的位置（ 3FF用于左
港口和3FE为正确的端口） 。自动断电
功能由芯片独立地控制每一个端口上
使能（ CE）引脚。
该CY7C130和CY7C140是48引脚DIP 。该
CY7C131和CY7C141提供52引脚PLCC ， 52引脚
无铅PLCC ， 52引脚PQFP和52引脚无铅PQFP 。
逻辑框图
读/写
L
CE
L
OE
L
读/写
R
CE
R
OE
R
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
CE
L
读/写
L
忙
L
INT
L
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
48
1
47
2
46
3
45
4
44
5
43
6
42
7
41
8
40
9
39
10
38
11
12 7C130 37
13 7C140 36
14
35
15
34
16
33
17
32
18
31
30
19
20
29
28
21
22
27
23
26
24
25
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
I / O
7L
I / O
0L
忙
L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
7R
I / O
0R
忙
R
[1]
A
9L
A
0L
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
解码器
A
9R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
INT
L
仲裁
逻辑
（ 7C130 / 7C131 ONLY）
和
中断逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
INT
R
[2]
[2]
注意：
1. CY7C130 / CY7C131 （硕士） ： BUSY为开漏输出，需要上拉电阻
CY7C140 / CY7C141 （从） ： BUSY输入。
2.开漏输出：需要上拉电阻。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06002牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2005年8月29日
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
引脚配置
（待续
)
PLCC
顶视图
忙
R
INTR
NC
BUSYL
读/写
L
CEL
VCC
CER
读/写
R
A0L
OEL
NC
INT
L
A0L
OEL
NC
INT
L
PQFP
顶视图
忙
R
INTR
NC
BUSYL
读/写
L
CEL
VCC
CER
读/写
R
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
7C131
40
7C141
39
38
37
36
35
34
2122 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
I/O0R
I/O1R
I/O2R
I/O3R
I/O4R
I/O5R
I/O6R
I/O4L
I/O5L
I/O6L
I/O7L
NC
GND
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
52 5150 49 48 47 4645 44 43 42 41 40
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
7C131
7C141
1415 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26
NC
GND
I/O0R
I/O1R
引脚德网络nitions
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
–A
11/12L
I / O
0L
-I / O
15/17L
INT
L
忙
L
V
CC
GND
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
–A
11/12R
I / O
0R
-I / O
15/17R
INT
R
忙
R
正确的端口
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据总线输入/输出
中断标志
忙标志
动力
地
描述
选购指南
7C131-15
[3]
7C141-15
最大访问时间
最大工作Com'l /工业
当前
军事
最长待机
当前
Com'l /工业
军事
15
190
75
7C131-25
[3]
7C141-25
25
170
65
7C130-30
7C131-30
7C140-30
7C141-30
30
170
65
7C130-35
7C131-35
7C140-35
7C141-35
35
120
170
45
65
7C130-45
7C131-45
7C140-45
7C141-45
45
120
170
45
65
7C130-55
7C131-55
7C140-55
7C141-55
55
110
120
35
45
mA
I/O2R
I/O3R
I/O4R
I/O5R
I/O6R
I/O4L
I/O5L
I/O6L
I/O7L
单位
ns
mA
阴影区域包含的初步信息。
注意：
3. 15和25 ns的版本只适用于PLCC / PQFP封装。
文件编号： 38-06002牧师* D
第19 2
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
最大额定值
[4]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+150
°
C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚48至引脚24） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
[5]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
[6]
7C131-15
[3]
7C141-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
–5
–5
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 4.0毫安
I
OL
= 16.0毫安
[7]
2.2
0.8
+5
+5
–350
Com'l
米尔
Com'l
米尔
135
115
75
65
190
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
–350
170
–5
–5
马克斯。
7C130-30
[3]
7C131-25,30
7C140-30
7C141-25,30
分钟。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
–350
120
170
45
65
90
115
15
15
15
15
–5
–5
马克斯。
7C130-35,45
7C131-35,45
7C140-35,45
7C141-35,45
分钟。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
马克斯。
7C130-55
7C131-55
7C140-55
7C141-55
分钟。
2.4
0.4
0.5
V
V
A
A
MAX 。 UNIT
V
V
输出短路
V
CC
=最大，
短路电流
[8, 9]
V
OUT
= GND
V
CC
操作
电源电流
待机电流
两个端口，
TTL输入
待机电流
一个端口，
TTL输入
待机电流
两个端口，
CMOS输入
CE = V
IL
,
输出打开，
f = f
MAX[10]
CE
L
和CE
R
＆ GT ;
V
IH
, f = f
MAX[10]
= 350毫安
110
120
35
45
75
90
15
15
mA
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
IH
， Com'l
有源端口输出
米尔
开放的，
f = f
MAX[10]
两个端口CE
L
和Com'l
CE
R
＆ GT ;
米尔
V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
I
SB3
阴影区域包含的初步信息。
注意：
4.对任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
5. T
A
区分温度“上的即时”
6.参见本规范为A组分组测试信息的最后一页。
仅7 BUSY和INT引脚。
短路8.持续时间不得超过30秒钟。
9.此参数是保证，但未经测试。
10.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环以1 /吨的读周期的最大频率
RC
使用AC测试波形GND的输入电平为3V 。
文件编号： 38-06002牧师* D
第19 3
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
电气特性
在整个工作范围
[6]
（续）
7C131-15
[3]
7C141-15
参数
I
SB4
描述
待机电流
一个端口，
CMOS输入
测试条件
一个端口CE
L
or
Com'l
CE
R
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
米尔
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
有源端口输出
开放的，
f = f
MAX[10]
分钟。
马克斯。
125
7C130-30
[3]
7C131-25,30
7C140-30
7C141-25,30
分钟。
马克斯。
105
7C130-35,45
7C131-35,45
7C140-35,45
7C141-35,45
分钟。
马克斯。
85
105
7C130-55
7C131-55
7C140-55
7C141-55
分钟。
MAX 。 UNIT
70
85
mA
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
15
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
相当于：
产量
R2
347
(a)
戴维南等效
250
1.40V
R1 893
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
347
(b)
3.0V
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤5ns
忙
OR
INT
R1 893
5V
281
30
pF
BUSY输出负载
（ CY7C130 / CY7C131 ONLY）
≤
5纳秒
文件编号： 38-06002牧师* D
第19 4
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
开关特性
在整个工作范围
[6, 11]
7C131-15
[3]
7C141-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
[12]
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
[12]
OE低到DATA有效
[12]
7C130-25
[3]
7C131-25
7C140-25
7C141-25
分钟。
25
马克斯。
7C130-30
7C131-30
7C140-30
7C141-30
分钟。
30
马克斯。
单位
ns
30
0
30
20
3
15
5
15
0
25
30
25
25
2
0
25
15
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
0
ns
ns
描述
分钟。
15
马克斯。
15
0
15
10
3
10
3
10
0
15
15
12
12
2
0
12
10
0
10
0
0
25
20
20
2
0
15
15
0
0
5
3
0
25
25
15
15
15
25
OE低到低Z
[9, 13, 14]
OE高到高Z
[9, 13, 14]
CE低到低Z
[9, 13, 14]
CE高到高阻
[9, 13, 14]
CE为低电时
[9]
CE高到掉电
[9]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
R / W脉宽
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
[14]
R / W高到低Z
[14]
写周期
[15]
15
阴影区域包含的初步信息。
注意：
11.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V指定的输出负载
I
OL
/I
OH ，
和30 pF负载电容。
12. AC测试条件使用V
OH
= 1.6V和V
OL
= 1.4V.
13.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
14. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZOE
, t
LZOE
, t
HZCE
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
存储器15内写入时间由CS低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平以启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-06002牧师* D
第19 5
1CY 7C14 0
传真号： 5200
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
1K ×8双端口静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元允许simulta-
neous读取相同的内存位置
1K ×8的组织
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 15纳秒
低工作功耗：我
CC
= 90毫安（最大）
完全异步操作
自动断电
主CY7C130 / CY7C131轻松扩展数据总线
利用从属CY7C140 / CY7C141宽度为16位或更多位
对CY7C130 / CY7C131 BUSY输出标志; BUSY输入
在CY7C140 / CY7C141
INT标志的端口到端口的通信
提供48引脚DIP （ CY7C130 / 140 ） ， 52引脚PLCC和
52引脚TQFP
引脚兼容和功能上等同于
IDT7130/IDT7140
功能说明
该CY7C130 / CY7C131 / CY7C140和CY7C141是
高速CMOS 1K ×8双端口静态RAM 。两个端口
而设置允许独立访问的任何位置中
内存。该CY7C130 / CY7C131可以用作任一
独立的8位双口静态RAM或作为主双端口
的RAM中与CY7C140 / CY7C141从属一起笃
需要16位或更高的人字端口器件的系统
宽度。它是解决应用程序设置要求共享或
缓冲的数据，如高速缓冲存储器的DSP ，位片，或
多处理器设计。
每个端口都有独立的控制引脚;片选（ CE ） ，
写使能（ R / W） ，并输出使能（OE ） 。两个标志
提供每个端口， BUSY和INT上。 BUSY信号的
端口正试图访问相同的位置，目前正在AC-
通过另一端口cessed 。 INT是中断标志，指示
数据已被放置在一个独特的位置（ 3FF为左端口
和3FE为正确的端口） 。自动断电功能
由芯片独立地控制每一个端口上启用
（ CE）引脚。
该CY7C130和CY7C140是48引脚DIP 。该
CY7C131和CY7C141提供52引脚PLCC和
PQFP 。
逻辑框图
读/写
L
CE
L
OE
L
读/写
R
CE
R
OE
R
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
CE
L
读/写
L
忙
L
INT
L
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
48
1
47
2
46
3
45
4
44
5
43
6
42
7
41
8
40
9
39
10
38
11
12 7C130 37
13 7C140 36
14
35
15
34
16
33
17
32
18
31
30
19
20
29
28
21
22
27
23
26
24
25
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
C130-2
I / O
7L
I / O
0L
[1]
忙
L
A
9L
A
0L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
7R
I / O
0R
忙
R
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
解码器
A
9R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
逻辑
（ 7C130 / 7C131 ONLY）
和
中断逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
INT
R
[2]
INT
L
[2]
C130-1
注意事项：
1. CY7C130 / CY7C131 （硕士） ： BUSY为开漏输出，需要上拉电阻
CY7C140 / CY7C141 （从） ： BUSY输入。
2.开漏输出：需要上拉电阻
s
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1989年5月 - 修订1997年3月27日
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
引脚配置
（待续
)
PLCC
顶视图
PQFP
顶视图
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
7C131
40
7C141
39
38
37
36
35
34
2122 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
52 5150 49 48 47 4645 44 43 42 41 40
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
39
38
37
36
35
34
7C131
33
7C141
32
31
30
29
28
27
1415 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
C130-4
C130-3
选购指南
7C131-15
[3,4]
7C131-25
[3]
7C141-15
7C141-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最长待机
电流（mA ）
Com'l /工业
军事
Com'l /工业
军事
75
65
65
15
190
25
170
7C130-30
7C131-30
7C140-30
7C141-30
30
170
7C130-35
7C131-35
7C140-35
7C141-35
35
120
170
45
65
7C130-45
7C131-45
7C140-45
7C141-45
45
90
120
35
45
7C130-55
7C131-55
7C140-55
7C141-55
55
90
120
35
45
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+150
°
C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚48至引脚24） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
注意事项：
3. 15和25 ns的版本只适用于PLCC / PQFP封装。
4.阴影区域中包含的初步信息。
5. T
A
区分温度“上的即时”
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
[5]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
2
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
电气特性
在整个工作范围
[6]
7C131-15
[3,4]
7C141-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[8, 9]
V
CC
操作
电源电流
待机电流
两个端口，
TTL输入
待机电流
一个端口，
TTL输入
待机电流
两个端口，
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
CE = V
IL
,
输出打开，
f = f
MAX[10]
CE
L
和CE
R
＆ GT ;
V
IH
, f = f
MAX[10]
Com'l
米尔
Com'l
米尔
135
115
75
65
–5
–5
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 4.0毫安
I
OL
= 16.0
mA
[7]
2.2
0.8
+5
+5
–350
190
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
–350
170
–5
–5
马克斯。
7C130-30
[3]
7C131-25,30
7C140-30
7C141-25,30
分钟。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
–350
120
170
45
65
90
115
15
15
15
15
–5
–5
马克斯。
7C130-35
7C131-35
7C140-35
7C141-35
分钟。马克斯。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
–350
90
120
35
45
75
90
15
15
mA
mA
mA
7C130-45,55
7C131-45,55
7C140-45,55
7C141-45,55
分钟。
2.4
0.4
0.5
V
V
A
A
mA
mA
MAX 。 UNIT
V
V
I
SB1
I
SB2
CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
IH
， Com'l
有源输出端口
米尔
把开放，
f = f
MAX[10]
两个端口CE
L
Com'l
和CE
R
＆ GT ; V
CC
- 米尔
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
一个端口CE
L
or
Com'l
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，MIL
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
有源端口输出
开放的，
f = f
MAX[10]
I
SB3
I
SB4
待机电流
一个端口，
CMOS输入
125
105
85
105
70
85
mA
注意事项：
6.参见本规范为A组分组测试信息的最后一页。
仅7 BUSY和INT引脚。
短路8.持续时间不得超过30秒钟。
9.此参数是保证，但未经测试。
10.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环以1 /吨的读周期的最大频率
RC
使用AC测试波形GND的输入电平为3V 。
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
]
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
15
10
单位
pF
pF
3
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
相当于：
产量
R2
347
R1 893
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
347
忙
OR
INT
R1 893
5V
281
30
pF
(b)
3.0V
GND
10%
C130-5
(a)
戴维南等效
250
1.40V
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
BUSY输出负载
（ CY7C130 / CY7C131 ONLY）
C130-6
≤
5纳秒
≤5ns
开关特性
在整个工作范围
[6,11]
7C131-15
[3,4]
7C141-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
[12]
7C130-25
[3]
7C131-25
7C140-25
7C141-25
分钟。
25
马克斯。
7C130-30
7C131-30
7C140-30
7C141-30
分钟。
30
马克斯。
单位
ns
30
0
30
20
3
15
5
15
0
25
30
25
25
2
0
25
15
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
0
ns
ns
描述
分钟。
15
马克斯。
15
0
15
10
3
10
3
10
0
[9]
25
0
25
15
3
15
5
15
0
25
25
20
20
2
0
15
15
0
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
[12]
OE低到DATA有效
OE低到低
[12]
Z
[9,13, 14]
OE高到高Z
[9,13, 14]
CE低到低Z
[9,13, 14]
CE高到高阻
[9,13, 14]
CE为低电平
上电
[9]
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
R / W脉宽
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
[14]
R / W高到低Z
[14]
0
15
15
12
12
2
0
12
10
0
10
0
写周期
[15]
15
注意事项：
11.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V指定的输出负载
I
OL
/I
OH ，
和30 pF负载电容。
12. AC测试条件使用V
OH
= 1.6V和V
OL
= 1.4V.
13.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
14. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZOE
, t
LZOE
, t
HZCE
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
存储器15内写入时间由CS低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平以启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的上升沿终止写
4
CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
开关特性
在整个工作范围
[6,11]
（续）
7C131-15
[3,4]
7C141-15
参数
忙/中断时序
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB[17]
t
WH
t
BDD
t
DDD
t
WDD
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
[16]
端口设置为优先
后BUSY LOW R / W低
R / W后， BUSY高高
繁忙的有效数据
写数据有效读取数据有效
写脉冲数据延迟
5
0
13
15
记
18
记
18
15
15
15
15
15
15
[16]
7C130-25
[3]
7C131-25
7C140-25
7C141-25
分钟。
马克斯。
20
20
20
20
5
0
20
25
记
18
记
18
25
25
25
25
25
25
7C130-30
7C131-30
7C140-30
7C141-30
分钟。
马克斯。
20
20
20
20
5
0
30
30
记
18
记
18
25
25
25
25
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
15
15
15
15
中断时序
t
WINS
t
EINS
t
插件
t
OINR
t
EINR
t
INR
R / W中断设置时间
CE中断设置时间
地址，中断设置时间
OE中断复位时间
[16]
CE中断复位时间
地址
[16]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
中断复位时间
[16]
注意事项：
16.这些参数是从所述输入信号变化的测量，直到在输出引脚变为高阻抗状态。
17. CY7C140 / CY7C141只。
18.端口A ，其中端口A的优先级写操作，叶端口B的输出不受干扰，直到执行下列操作之一后，一个访问时间的数据：
忙对端口B变为高电平。
端口B的地址切换。
CE端口B被触发。
端口B R / W在有效读取被触发。
开关特性
在整个工作范围
[6,11]
7C130-35
7C131-35
7C140-35
7C141-35
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
[12]
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
[12]
7C130-45
7C131-45
7C140-45
7C141-45
分钟。
45
马克斯。
7C130-55
7C131-55
7C140-55
7C141-55
分钟。
55
马克斯。
单位
ns
55
0
55
25
3
25
5
25
0
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
35
马克斯。
35
0
35
20
3
20
5
20
0
35
0
5
3
0
45
45
25
20
20
35
OE低到DATA有效
[12]
OE低到低Z
[9,13, 14]
OE高到高Z
[9,13, 14]
CE低到低
Z
[9,13, 14]
Z
[9,13, 14]
CE高来高
CE为低电时
[9]
CE高到掉电
[9]
5
QQ：2881677436 复制
