LM2727 / LM2737 N沟道FET同步降压稳压器控制器的低输出电压
2003年6月
LM2727/LM2737
N沟道FET同步降压稳压器控制器
对于低输出电压
概述
的LM2727和LM2737是高速，同步
开关稳压器控制器。它们的目的是控制
0.7A的电流20A与高达95 ％的转化率efficien-
资本投资者入境计划。该LM2727采用了输出过压和欠压
电压闭锁。对于应用闭锁不DE-
sired的LM2737可以使用。上电和断电
测序实现了与电源良好标记，可调
软启动和输出使能功能。该LM2737和
LM2737从低电流的5V偏置操作，可以转换
从一个2.2V至16V电源轨。这两款器件采用一个固定
频率，电压模式， PWM控制结构和
开关频率为50kHz至2MHz的可调所
调节的外部电阻器的值。电流限制
通过在导通监测的电压降达到
低侧MOSFET的电阻，从而提高低
占空比工作。广泛经营frequen-
资本投资者入境计划使电源设计人员能够灵活地细
调分量的大小，成本，噪音和效率。该适配
略去，非重叠的MOSFET栅极驱动器和高侧
引导结构有助于进一步提高效率。该
高侧功率FET的漏极电压可以从2.2V至16V
和输出电压是可调低至0.6V 。
特点
n
输入电源从2.2V至16V
n
输出电压可调低至0.6V
n
电源良好标记，可调软启动和输出使能
为便于电源排序
n
输出过压和欠压闭锁
(LM2727)
n
输出过压和欠压标志（ LM2737 ）
n
基准准确度： 1.5 ％ （ 0 °C - 125°C ）
n
无检测电阻限流
n
软启动
n
开关频率从50千赫至2兆赫
n
TSSOP -14封装
应用
n
n
n
n
n
电缆调制解调器
机顶盒/家庭网关
DDR的核心动力
高效率分布式电源
核心力量的地方性法规
典型用途
20049410
2003美国国家半导体公司
DS200494
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LM2727/LM2737
接线图
20049411
14引脚塑封TSSOP
θ
JA
= 155 ° C / W
NS包装数MTC14
引脚说明
BOOT （引脚1 ）
- 电源轨的N沟道MOSFET栅极
驾驶。该电压应为至少一个栅极阈值
以上所述稳压器的输入电压，以正常打开
高端N -FET 。
LG （引脚2 ）
- 栅极驱动为低侧N沟道MOSFET 。
这个信号联锁与HG ，以避免直通
问题。
PGND （引脚3 ， 13 ）
- 接地的FET驱动电路。它应该
被连接到系统地。
SGND （引脚4 ）
- 接地信号电平的电路。它应该是
连接到系统接地。
V
CC
（引脚5 ）
- 电源轨的控制器。
PWGD （引脚6 ）
- 电源良好。这是一个开漏输出。
该引脚被拉低时，芯片处于UVP ， OVP ， UVLO或
模式。在正常操作期间，此引脚连接到V
CC
或通过一个上拉电阻器等的电压源。
ISEN （引脚7 ）
- 电流限制阈值设置。这个来源
固定50μA电流。适当值的电阻应为
连接在这个引脚和低侧的漏极之间
FET 。
EAO （引脚8 ）
- 误差放大器的输出。的电压电平
在这个引脚与内部产生的斜坡进行比较
信号，以确定所述占空比。该引脚是必要的
补偿的控制回路。
SS （引脚9 ）
- 软启动引脚。连接之间的电容
该引脚与地台的速度输出
电压斜坡上升。在较慢的更大的电容值结果
输出电压斜坡也降低浪涌电流。
FB （引脚10 ）
- 这是误差放大器的反相输入端，
其用于感测输出电压和compen-
sating控制回路。
FREQ （引脚11 ）
- 开关频率由连接 - 设置
荷兰国际集团在该引脚与地之间的电阻。
SD （引脚12 ）
- 集成电路逻辑关断。当该引脚被拉低
芯片关断高压侧开关和导通所述低
侧开关。当该引脚为低电平时， IC将不会启动。一
内部20μA上拉了连接该引脚到V
CC
.
HG （引脚14 ）
- 栅极驱动器的高侧的N沟道MOSFET导
FET 。这个信号互锁与LG避免拍摄开启
通过问题。
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2
LM2727/LM2737
绝对最大额定值
（注1 ）
红外线或对流（ 20秒）
ESD额定值
235C
2千伏
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
BOOTV
结温
储存温度
焊接信息
焊接温度
（焊接， 10秒）
260C
7V
21V
150C
-65_C到150_C
工作额定值
电源电压（V
CC
)
结温范围
热阻（ θ
JA
)
4.5V至5.5V
-40 ° C至+ 125°C
155C/W
电气特性
V
CC
= 5V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=T
J
= + 25°C 。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制通过设计保证，
测试，或者进行统计分析。
符号
参数
条件
V
CC
= 4.5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
CC
= 5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
FB_ADJ
FB引脚电压
V
CC
= 5.5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
CC
= 4.5V ， -40°C至+ 125°C
V
CC
= 5V ， -40 ° C至+ 125°C
V
CC
= 5.5V ， -40°C至+ 125°C
V
ON
UVLO门槛值
升起
落下
SD = 5V ， FB = 0.55V
FSW = 600kHz的
SD = 5V ， FB = 0.65V
FSW = 600kHz的
SD = 0V
FB电压上升
FB电压正在下降
SS电压= 2.5V
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
1
0.8
0.15
民
0.591
0.591
0.591
0.589
0.589
0.589
典型值
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
4.2
3.6
1.5
1.7
0.4
6
6
20
8
5
11
11
95
35
28
50
50
65
65
15
15
2
mA
2.2
0.7
mA
s
s
A
A
最大
0.609
0.609
0.609
0.609
0.609
0.609
V
V
单位
I
Q-V5
工作V
CC
当前
SHUTDOWN V
CC
当前
t
PWGD1
t
PWGD2
I
SD
I
SS -ON
PWGD引脚响应时间
PWGD引脚响应时间
SD引脚内部上拉电流
SS引脚源电流
I
SS- OC
SS引脚吸收电流在过SS电压= 2.5V
当前
I
SEN
端子源极电流跳闸
点
误差放大器的单位增益
带宽
误差放大器的直流增益
误差放大器的转换速率
FB引脚偏置电流
EAO引脚电流源和
下沉
误差放大器的最大摆幅
FB = 0.55V
FB = 0.65V
V
EAO
= 2.5 ， FB = 0.55V
V
EAO
= 2.5 ， FB = 0.65V
最低
最大
0
0
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
A
A
I
SEN- TH
误差放大器器
GBW
G
SR
I
FB
I
EAO
V
EA
5
60
6
15
30
2.8
0.8
1.2
3.2
100
155
兆赫
dB
V / μA
nA
mA
V
3
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LM2727/LM2737
电气特性
（续）
V
CC
= 5V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=T
J
= + 25°C 。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制通过设计保证，
测试，或者进行统计分析。
符号
参数
BOOT引脚的静态电流
条件
BOOTV = 12V ， EN = 0
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
BOOT -SW = 5V
@
350mA
BOOT -SW = 5V
@
350mA
BOOT -SW = 5V
@
350mA
BOOT -SW = 5V
@
350mA
民
典型值
最大
单位
栅极驱动器
I
Q- BOOT
95
95
3
2
3
2
160
215
A
R
DS1
R
DS2
R
DS3
R
DS4
振荡器
热门FET驱动器上的上拉
阻力
热门FET驱动器上拉下来
阻力
底部FET驱动器上的上拉
阻力
底部FET驱动器下拉
抗性
R
FADJ
= 590k
R
FADJ
= 88.7k
f
OSC
PWM频率
R
FADJ
= 42.2kΩ ， 0 ° C至+ 125°C
R
FADJ
= 42.2kΩ ， -40 ° C至+ 125°C
R
FADJ
= 17.4k
R
FADJ
= 11.3k
D
最大占空比
f
PWM
= 300kHz的
f
PWM
= 600kHz的
500
490
50
300
600
600
1400
2000
90
88
2.6
3.5
%
700
700
千赫
逻辑输入和输出
V
SD -IH
V
SD- IL
V
PWGD - TH- LO
SD引脚逻辑高电平跳变点
SD引脚逻辑低电平跳变点
PWGD引脚触发点
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压正在下降
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压上升
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
1.3
1.25
0.413
0.410
0.691
0.688
V
V
1.6
1.6
0.430
0.430
0.710
0.710
35
110
0.446
0.446
0.734
0.734
V
V
PWGD - TH- HI
PWGD引脚触发点
V
V
PWGD - HYS
PWGD迟滞（ LM2737只） FB电压去下FB电压
往上走
mV
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备的条件
正确运行。
Opearting评级
并不意味着保证性能的限制。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5KΩ的电阻向每个引脚放电。
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4
LM2727/LM2737
典型性能特性
英法fi效率（V
O
= 1.5V)
F
SW
= 300kHz的，T
A
= 25C
英法fi效率（V
O
= 3.3V)
F
SW
= 300kHz的，T
A
= 25C
20049412
20049413
V
CC
工作电流与温度
F
SW
= 600kHz的，空载
Bootpin电流与温度的BOOTV = 12V
F
SW
= 600kHz的， Si4826DY场效应管，空载
20049415
20049414
Bootpin电流与温度与5V引导
F
SW
= 600kHz的， Si4826DY场效应管，空载
PWM频率与温度
对于R
FADJ
= 43.2k
20049416
20049417
5
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(1/7)
001-02 / 20030313 / e4112_c1005.fm
陶瓷电容器
对于一般的使用
SMD
特点
高电容已经通过精密技实现
奥希斯，允许使用多个较薄的陶瓷电介质
层。
单片结构保证了优异的机械强度和
可靠性。
高精度自动安装是通过促进
保养的非常精确的尺寸公差。
由唯一的陶瓷和金属，这些电容亲
韦迪极为可靠的性能，表现几乎没有
甚至当经受极端温度降解。
低杂散电容确保了高符合标称val-
的UE ，从而简化了电路设计过程。
低残留电感，保证了优异的频率特性。
产品标识
1005 CH 1H 100天
(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7)
（ 1 ）系列名称
（ 2 ）尺寸L
×
W
0603
1005
1608
2012
3216
0.6
×
0.3mm
1.0
×
0.5mm
1.6
×
0.8mm
2.0
×
1.25mm
3.2
×
1.6mm
C系列
（ 5 ）额定容量
的电容被表示在3位代码，并在单位
微微法拉（ pF）的。
所述第一和第二位数字标识，第一和第二显著
的电容的数字。
第三个数字标识的乘数。
R表示小数点。
010
100
102
0R5
1pF
10pF
1000pF
0.5pF
（3 ）电容温度特性
第1类（温度补偿）
温度
特征
C0G
静电容量变化
0±30ppm/°C
温度范围
-55到+ 125°C
（ 6 ）电容公差
符号
C
D
J
K
M
Z
公差
±0.25pF
±0.5pF
±5%
±10%
±20%
+80, –20%
适用电容
范围
在10pF以下
第2类（温度稳定，通用）
温度
特征
X7R
X5R
Y5V
静电容量变化
±15%
±15%
+22, –82%
温度范围
-55到+ 125°C
-55至+ 85°C
-30至+ 85°C
在10pF的
（ 4 ）额定电压Edc
0J
1A
1C
1E
1H
6.3V
10V
16V
25V
50V
（ 7 ）包装形式
T
B
编带（卷）
体积
所有规格如有变更，恕不另行通知。
(2/7)
001-02 / 20030313 / e4112_c1005.fm
陶瓷电容器
对于一般的使用
SMD
C0603 （ EIA ： CC0201 ） TYPE
形状·尺寸
0.6±0.03
0.3±0.03
C系列
电容范围： CLASS 2
温度特性： X5R （ ± 15 ％ ）
额定电压Edc ： 25V
电容
（PF ）
100
150
220
330
470
680
1000
1500
2200
公差
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
厚度
(mm)
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
产品型号
C0603X5R1E101K
C0603X5R1E151K
C0603X5R1E221K
C0603X5R1E331K
C0603X5R1E471K
C0603X5R1E681K
C0603X5R1E102K
C0603X5R1E152K
C0603X5R1E222K
0.15±0.05
0.3±0.03
尺寸（mm）
0.2min.
电容范围：
第1类（温度补偿）
温度特性： C0G （ 0 ± 30ppm的/ ° C）
额定电压Edc ： 25V
电容
（PF ）
0.5
0.75
1
1.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
15
18
20
22
27
33
39
47
56
68
82
100
公差
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.5pF
±0.5pF
±0.5pF
±0.5pF
±0.5pF
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
厚度
(mm)
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
产品型号
C0603C0G1E0R5C
C0603C0G1ER75C
C0603C0G1E010C
C0603C0G1E1R5C
C0603C0G1E020C
C0603C0G1E030C
C0603C0G1E040C
C0603C0G1E050C
C0603C0G1E060D
C0603C0G1E070D
C0603C0G1E080D
C0603C0G1E090D
C0603C0G1E100D
C0603C0G1E120J
C0603C0G1E150J
C0603C0G1E180J
C0603C0G1E200J
C0603C0G1E220J
C0603C0G1E270J
C0603C0G1E330J
C0603C0G1E390J
C0603C0G1E470J
C0603C0G1E560J
C0603C0G1E680J
C0603C0G1E820J
C0603C0G1E101J
额定电压Edc ： 16V
电容
（PF ）
3300
4700
公差
±10%
±10%
厚度
(mm)
0.3±0.03
0.3±0.03
产品型号
C0603X5R1C332K
C0603X5R1C472K
额定电压Edc ： 10V
电容
（PF ）
6800
公差
±10%
厚度
(mm)
0.3±0.03
产品型号
C0603X5R1A682K
额定电压Edc ： 6.3V
电容
（PF ）
10000
公差
±10%
厚度
(mm)
0.3±0.03
产品型号
C0603X5R0J103K
温度特性： Y5V （ 22 ， -82 ％ ）
额定电压Edc ： 25V
电容
（PF ）
1000
公差
+80, –20%
厚度
(mm)
0.3±0.03
产品型号
C0603Y5V1E102Z
额定电压Edc ： 16V
电容
（PF ）
10000
公差
+80, –20%
厚度
(mm)
0.3±0.03
产品型号
C0603Y5V1C103Z
标注这些产品
是非标准。
有关产品与其它电容或其他数据的详细信息，
请与我们联系。
所有规格如有变更，恕不另行通知。
(3/7)
001-02 / 20030313 / e4112_c1005.fm
陶瓷电容器
对于一般的使用
SMD
C1005 （ EIA ： CC0402 ） TYPE
形状·尺寸
1.0±0.05
0.5±0.05
C系列
电容范围： CLASS 2
温度特性： X7R （ ± 15 ％ ）
额定电压Edc ： 50V
电容
（PF ）
220
330
470
680
1000
1500
2200
3300
4700
6800
公差
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
厚度
(mm)
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
产品型号
C1005X7R1H221K
C1005X7R1H331K
C1005X7R1H471K
C1005X7R1H681K
C1005X7R1H102K
C1005X7R1H152K
C1005X7R1H222K
C1005X7R1H332K
C1005X7R1H472K
C1005X7R1H682K
0.1min.
0.5±0.05
尺寸（mm）
电容范围：
第1类（温度补偿）
温度特性： C0G （ 0 ± 30ppm的/ ° C）
额定电压Edc ： 50V
电容
（PF ）
0.5
0.75
1
1.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
15
18
22
27
33
39
47
56
68
82
100
120
150
180
220
270
330
公差
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.5pF
±0.5pF
±0.5pF
±0.5pF
±0.5pF
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
厚度
(mm)
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
产品型号
C1005C0G1H0R5C
C1005C0G1HR75C
C1005C0G1H010C
C1005C0G1H1R5C
C1005C0G1H020C
C1005C0G1H030C
C1005C0G1H040C
C1005C0G1H050C
C1005C0G1H060D
C1005C0G1H070D
C1005C0G1H080D
C1005C0G1H090D
C1005C0G1H100D
C1005C0G1H120J
C1005C0G1H150J
C1005C0G1H180J
C1005C0G1H220J
C1005C0G1H270J
C1005C0G1H330J
C1005C0G1H390J
C1005C0G1H470J
C1005C0G1H560J
C1005C0G1H680J
C1005C0G1H820J
C1005C0G1H101J
C1005C0G1H121J
C1005C0G1H151J
C1005C0G1H181J
C1005C0G1H221J
C1005C0G1H271J
C1005C0G1H331J
额定电压Edc ： 25V
电容
（PF ）
10000
15000
22000
公差
±10%
±10%
±10%
厚度
(mm)
0.5±0.05
0.5±0.05
0.5±0.05
产品型号
C1005X7R1E103K
C1005X7R1E153K
C1005X7R1E223K
额定电压Edc ： 16V
电容
（PF ）
33000
47000
公差
±10%
±10%
厚度
(mm)
0.5±0.05
0.5±0.05
产品型号
C1005X7R1C333K
C1005X7R1C473K
温度特性： X5R （ ± 15 ％ ）
额定电压Edc ： 10V
电容
（PF ）
68000
100000
公差
±10%
±10%
厚度
(mm)
0.5±0.05
0.5±0.05
产品型号
C1005X5R1A683K
C1005X5R1A104K
温度特性： Y5V （ 22 ， -82 ％ ）
额定电压Edc ： 16V
电容
（PF ）
100000
公差
+80, –20%
厚度
(mm)
0.5±0.05
产品型号
C1005Y5V1C104Z
额定电压Edc ： 10V
电容
（PF ）
220000
470000
公差
+80, –20%
+80, –20%
厚度
(mm)
0.5±0.05
0.5±0.05
产品型号
C1005Y5V1A224Z
C1005Y5V1A474Z
标注这些产品
是非标准。
有关产品与其它电容或其他数据的详细信息，
请与我们联系。
所有规格如有变更，恕不另行通知。
(4/7)
001-02 / 20030313 / e4112_c1005.fm
陶瓷电容器
对于一般的使用
SMD
C1608 （ EIA ： CC0603 ） TYPE
形状·尺寸
1.6±0.1
0.8±0.1
C系列
电容范围： CLASS 2
温度特性： X7R （ ± 15 ％ ）
额定电压Edc ： 50V
电容
（PF ）
220
330
470
680
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
公差
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
±10%
厚度
(mm)
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
产品型号
C1608X7R1H221K
C1608X7R1H331K
C1608X7R1H471K
C1608X7R1H681K
C1608X7R1H102K
C1608X7R1H152K
C1608X7R1H222K
C1608X7R1H332K
C1608X7R1H472K
C1608X7R1H682K
C1608X7R1H103K
C1608X7R1H153K
C1608X7R1H223K
C1608X7R1H333K
C1608X7R1H473K
C1608X7R1H683K
C1608X7R1H104K
0.2min.
0.8±0.1
尺寸（mm）
电容范围：
第1类（温度补偿）
温度特性： C0G （ 0 ± 30ppm的/ ° C）
额定电压Edc ： 50V
电容
（PF ）
0.5
0.75
1
1.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
15
18
22
27
33
39
47
56
68
82
100
120
150
180
220
270
330
390
470
560
680
820
1000
1200
1500
1800
2200
公差
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.25pF
±0.5pF
±0.5pF
±0.5pF
±0.5pF
±0.5pF
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
厚度
(mm)
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
产品型号
C1608C0G1H0R5C
C1608C0G1HR75C
C1608C0G1H010C
C1608C0G1H1R5C
C1608C0G1H020C
C1608C0G1H030C
C1608C0G1H040C
C1608C0G1H050C
C1608C0G1H060D
C1608C0G1H070D
C1608C0G1H080D
C1608C0G1H090D
C1608C0G1H100D
C1608C0G1H120J
C1608C0G1H150J
C1608C0G1H180J
C1608C0G1H220J
C1608C0G1H270J
C1608C0G1H330J
C1608C0G1H390J
C1608C0G1H470J
C1608C0G1H560J
C1608C0G1H680J
C1608C0G1H820J
C1608C0G1H101J
C1608C0G1H121J
C1608C0G1H151J
C1608C0G1H181J
C1608C0G1H221J
C1608C0G1H271J
C1608C0G1H331J
C1608C0G1H391J
C1608C0G1H471J
C1608C0G1H561J
C1608C0G1H681J
C1608C0G1H821J
C1608C0G1H102J
C1608C0G1H122J
C1608C0G1H152J
C1608C0G1H182J
C1608C0G1H222J
额定电压Edc ： 25V
电容
（PF ）
100000
150000
公差
±10%
±10%
±20%
厚度
(mm)
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
产品型号
C1608X7R1E104K
C1608X7R1E154K
C1608X7R1E154M
额定电压Edc ： 16V
电容
（PF ）
220000
公差
±10%
±20%
厚度
(mm)
0.8±0.1
0.8±0.1
产品型号
C1608X7R1C224K
C1608X7R1C224M
温度特性： X5R （ ± 15 ％ ）
额定电压Edc ： 10V
电容
（PF ）
330000
470000
680000
1000000
[1
F]
公差
±10%
±20%
±10%
±20%
±10%
±20%
±10%
±20%
厚度
(mm)
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8±0.1
0.8
+0.15
–0.1
0.8
+0.15
–0.1
0.8
+0.15
–0.1
0.8
+0.15
–0.1
产品型号
C1608X5R1A334K
C1608X5R1A334M
C1608X5R1A474K
C1608X5R1A474M
C1608X5R1A684K
C1608X5R1A684M
C1608X5R1A105K
C1608X5R1A105M
标注这些产品
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有关产品与其它电容或其他数据的详细信息，
请与我们联系。
所有规格如有变更，恕不另行通知。
(5/7)
001-02 / 20030313 / e4112_c1005.fm
陶瓷电容器
对于一般的使用
SMD
温度特性： Y5V （ 22 ， -82 ％ ）
额定电压Edc ： 50V
电容
（PF ）
100000
220000
公差
+80, –20%
+80, –20%
厚度
(mm)
0.8±0.1
0.8±0.1
产品型号
C1608Y5V1H104Z
C1608Y5V1H224Z
C系列
额定电压Edc ： 25V
电容
（PF ）
470000
公差
+80, –20%
厚度
(mm)
0.8±0.1
产品型号
C1608Y5V1E474Z
额定电压Edc ： 16V
电容
（PF ）
1000000
[1F]
公差
+80, –20%
厚度
(mm)
0.8±0.1
产品型号
C1608Y5V1C105Z
额定电压Edc ： 10V
电容
（PF ）
2200000
[2.2F]
公差
+80, –20%
厚度
(mm)
0.8±0.1
产品型号
C1608Y5V1A225Z
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LM2727 ， LM2737
www.ti.com
SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
LM2727 / LM2737 N沟道FET同步降压稳压器控制器的低输出
电压
检查样品：
LM2727 ， LM2737
1
特点
输入电源从2.2V至16V
输出电压可调低至0.6V
电源良好标记，可调软启动和
输出使能，便于电源排序
输出过压和欠压闩
关闭（ LM2727 ）
输出过压和欠压标志
(LM2737)
基准准确度： 1.5 ％ （ 0 °C - 125°C ）
无检测电阻限流
软启动
开关频率从50千赫至2兆赫
TSSOP -14封装
描述
该LM2727和LM2737是高速，
同步开关稳压控制器。他们
都是控制0.7A的电流20A与
高达95％的转换效率。该LM2727
采用输出过压和欠压闩
关。对于应用闭锁是不是需要，
LM2737可以使用。上电和断电
测序实现了与电源良好标记，
可调软启动和输出使能功能。该
LM2737和LM2737从低电流5V操作
偏见和可转换从2.2V至16V电源轨。
两个部件利用固定频率电压模式，
PWM控制结构和开关
频率在50kHz到2MHz的可调所
调节的外部电阻器的值。当前
限制是通过监测电压降达到
跨过低侧MOSFET的导通电阻，
从而提高低占空比操作。宽
工作频率范围提供动力
电源设计人员能够灵活地微调组件
尺寸，成本，噪音和效率。自适应，非
重叠MOSFET栅极驱动器和高边
引导结构有助于进一步提升
效率。高侧功率FET的漏极电压可以
是从2.2V至16V ，输出电压为
可调低至0.6V 。
2
应用
电缆调制解调器
机顶盒/家庭网关
DDR的核心动力
高效率分布式电源
核心力量的地方性法规
典型用途
+5V
D1
R
IN
10:
C
IN
2.2PF
R
FADJ
63.4k
C
SS
12n
V
CC
SD
PWGD
频率
SS
SGND
EAO
C
C1
C
C2
180p
2.2p
R
C1
392k
HG
BOOT
I
SEN
R
CS
2.2k
Q2
C
BOOT
0.1P
Q1
Si4884DY
1.5
PH
6.1 ，9.6 M：
L1
Si4884DY
R
FB2
10k
+
V
IN
= 3.3V
C
IN
1,2
10PF
6.3V
V
O
= 1.2V@5A
C
O
1,2
2200PF
6.3V ， 2.8A
LM27x7
LG
保护地
保护地
FB
R
FB1
10k
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2002至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM2727 ， LM2737
SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
www.ti.com
接线图
1
2
3
4
5
6
7
BOOT
LG
保护地
SGND
VCC
PWGD
艾辛河
LM27x7
HG
保护地
SD
频率
FB
SS
EAO
14
13
12
11
10
9
8
图1. 14引脚塑封TSSOP
θ
JA
= 155 ° C / W
见包装数PW0014A
引脚说明
BOOT （引脚1 ）
- 电源轨的N沟道MOSFET栅极驱动器。该电压应高于调节器的至少一个栅极阈值
输入电压，以正常打开高侧N型场效应晶体管。
LG （引脚2 ）
- 栅极驱动为低侧N沟道MOSFET 。这个信号联锁与HG ，以避免直通问题。
PGND （引脚3 ， 13 ）
- 接地的FET驱动电路。它应该被连接到系统地。
SGND （引脚4 ）
- 接地信号电平的电路。它应该被连接到系统地。
V
CC
（引脚5 ）
- 电源轨的控制器。
PWGD （引脚6 ）
- 电源良好。这是一个开漏输出。该引脚被拉低时，芯片处于UVP ， OVP ，或UVLO模式。中
正常运行时，此引脚连接到V
CC
或通过一个上拉电阻器等的电压源。
ISEN （引脚7 ）
- 电流限制阈值设置。该源的固定50μA电流。适当值的电阻应连接
之间的引脚和低边FET的漏极。
EAO （引脚8 ）
- 误差放大器的输出。该引脚上的电压电平与内部产生的斜坡信号，以确定比较
占空比。该引脚是必要的补偿控制回路。
SS （引脚9 ）
- 软启动引脚。连接在此引脚与地之间的电容设定的速度，输出电压斜坡上升。较大
在较慢的输出电压斜坡电容值的结果，但也降低浪涌电流。
FB （引脚10 ）
- 这是误差放大器，其用于感测输出电压和补偿控制的反相输入端
循环。
FREQ （引脚11 ）
- 开关频率由连接在该引脚与地之间的电阻器来设定。
SD （引脚12 ）
- 集成电路逻辑关断。当该引脚被拉低，芯片将关断高侧开关和导通的低压侧开关。而
该引脚为低电平时， IC将不会启动。内部20μA的上拉连接该引脚到V
CC
.
HG （引脚14 ）
- 栅极驱动器的高侧的N沟道MOSFET 。这个信号互锁与LG ，以避免直通问题。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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产品文件夹链接：
LM2727 LM2737
版权所有 2002至13年，德州仪器
LM2727 ， LM2737
www.ti.com
SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
绝对最大额定值
(1) (2)
V
CC
BOOTV
结温
储存温度
焊接信息
焊接温度（焊接， 10秒）
红外线或对流（ 20秒）
ESD额定值
(3)
(1)
(2)
(3)
260°C
235°C
2千伏
7V
21V
150°C
65°C
至150℃
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
工作额定值
表示为条件
该设备正常运行。
Opearting评级
并不意味着确保的性能极限。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5KΩ的电阻向每个引脚放电。
工作额定值
电源电压（V
CC
)
结温范围
热阻（ θ
JA
)
4.5V至5.5V
40°C
至+ 125°C
155°C/W
电气特性
V
CC
= 5V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=T
J
= + 25°C 。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。由设计确保数据的最小/最大规格的限制，
测试，或者进行统计分析。
符号
参数
条件
V
CC
= 4.5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
CC
= 5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
FB_ADJ
FB引脚电压
V
CC
= 5.5V ， 0 ° C至+ 125°C
V
CC
= 4.5V,
40°C
至+ 125°C
V
CC
= 5V,
40°C
至+ 125°C
V
CC
= 5.5V,
40°C
至+ 125°C
V
ON
UVLO门槛值
升起
落下
SD = 5V ， FB = 0.55V
FSW = 600kHz的
SD = 5V ， FB = 0.65V
FSW = 600kHz的
SD = 0V
FB电压上升
FB电压正在下降
SS电压= 2.5V
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
SS电压= 2.5V
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
35
28
1
0.8
0.15
民
0.591
0.591
0.591
0.589
0.589
0.589
典型值
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
4.2
3.6
1.5
1.7
0.4
6
6
20
8
5
11
11
95
50
50
65
65
15
15
2
mA
2.2
0.7
mA
s
s
A
A
A
A
最大
0.609
0.609
0.609
0.609
0.609
0.609
V
V
单位
I
Q-V5
工作V
CC
当前
SHUTDOWN V
CC
当前
t
PWGD1
t
PWGD2
I
SD
I
SS -ON
PWGD引脚响应时间
PWGD引脚响应时间
SD引脚内部上拉电流
SS引脚源电流
I
SS- OC
I
SEN- TH
SS引脚吸收电流在过
当前
I
SEN
端子源极电流跳变点
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SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
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电气特性（续）
V
CC
= 5V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=T
J
= + 25°C 。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。由设计确保数据的最小/最大规格的限制，
测试，或者进行统计分析。
符号
误差放大器器
GBW
G
SR
I
FB
I
EAO
V
EA
栅极驱动器
I
Q- BOOT
BOOT引脚的静态电流
BOOTV = 12V ， EN = 0
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
BOOT -SW = 5V @ 350毫安
BOOT -SW = 5V @ 350毫安
BOOT -SW = 5V @ 350毫安
BOOT -SW = 5V @ 350毫安
95
95
3
2
3
2
160
215
A
误差放大器的单位增益
带宽
误差放大器的直流增益
误差放大器的转换速率
FB引脚偏置电流
EAO引脚电流源和
下沉
误差放大器的最大摆幅
FB = 0.55V
FB = 0.65V
V
EAO
= 2.5 ， FB = 0.55V
V
EAO
= 2.5 ， FB = 0.65V
最低
最大
0
0
5
60
6
15
30
2.8
0.8
1.2
3.2
100
155
兆赫
dB
V / μA
nA
mA
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
R
DS1
R
DS2
R
DS3
R
DS4
振荡器
热门FET驱动器上的上拉
阻力
热门FET驱动器上拉下来
阻力
底部FET驱动器上的上拉
阻力
底部FET驱动器上拉下来
阻力
R
FADJ
= 590k
R
FADJ
= 88.7k
f
OSC
PWM频率
R
FADJ
= 42.2kΩ ， 0 ° C至+ 125°C
R
FADJ
= 42.2kΩ ， -40 ° C至+ 125°C
R
FADJ
= 17.4k
R
FADJ
= 11.3k
D
最大占空比
f
PWM
= 300kHz的
f
PWM
= 600kHz的
500
490
50
300
600
600
1400
2000
90
88
2.6
3.5
%
700
700
千赫
逻辑输入和输出
V
SD -IH
V
SD- IL
V
PWGD - TH- LO
SD引脚逻辑高电平跳变点
SD引脚逻辑低电平跳变点
PWGD引脚触发点
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压正在下降
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压上升
0 ° C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
FB电压去下FB电压
往上走
1.3
1.25
0.413
0.410
0.691
0.688
V
V
0.446
0.446
0.734
0.734
V
1.6
1.6
0.430
0.430
0.710
0.710
35
110
V
PWGD - TH- HI
PWGD引脚触发点
V
mV
V
PWGD - HYS
PWGD迟滞（ LM2737只）
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典型性能特性
英法fi效率（V
O
= 1.5V)
F
SW
= 300kHz的，T
A
= 25°C
100
90
80
效率（％）
70
60
50
40
30
20
0.2
1
3
5
7
9
输出电流（A ）
VIN = 12V
VIN = 5V
效率（％）
VIN = 3.3V
100
VIN = 5V
90
80
70
60
50
40
30
0.1
VIN = 12V
英法fi效率（V
O
= 3.3V)
F
SW
= 300kHz的，T
A
= 25°C
0.5
2
4
6
8
10
输出电流（A ）
图2中。
V
CC
工作电流
vs
温度
F
SW
= 600kHz的，空载
1.64
1.62
OPEARTING电流（mA）
1.6
1.58
1.56
1.54
1.52
1.5
1.48
1.46
0
20
35
55
75
95
115
环境温度（
o
C)
28.9
同
引导
(V
BOOT
= 5V)
没有
引导
(V
BOOT
= 12V)
网络连接gure 3 。
Bootpin电流
vs
温度BOOTV = 12V
F
SW
= 600kHz的， Si4826DY场效应管，空载
30.3
30.1
BOOT引脚电流（mA）
29.9
29.7
29.5
29.3
29.1
0 10 20 25 35 45 55 65 75 85 95105115 125
环境温度（
o
C)
图4中。
Bootpin电流
vs
温度与5V引导
F
SW
= 600kHz的， Si4826DY场效应管，空载
8.6
8.4
BOOT引脚电流（mA）
8.2
8
7.8
7.6
7.4
7.2
7
0 10 20 25 35 45 55 65 75 85 95 105115125
环境温度（
o
C)
PWM频率（kHz ）
630
628
626
624
622
620
618
616
614
612
图5中。
PWM频率
vs
温度
对于R
FADJ
= 43.2k
0 10 20 25 35 45 55 65 75 85 95 105115 125
环境温度（
o
C)
图6 。
图7 。
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