描述
珀金埃尔默类型C30902E雪崩
光电二极管利用硅探测器芯片
制造为具有双扩散"reach-
through"结构。这种结构提供
400和1000纳米之间的高响应
以及非常快速的上升和下降时间
在所有波长。由于下降时间
特性没有"tail “，则
该装置的响应性是独立的
调制频率高达800兆赫。
检测器芯片是密闭
后面的改性TO-平板玻璃窗
18包。的有用直径
光敏表面为0.5mm。
珀金埃尔默类型C30921E利用
同样的硅探测器芯片为C30902E ，
但在一个包含一个光导管
这允许光有效地耦合到所述
无论是从聚焦点或探测器
光纤最多至0.25毫米的直径。该
在光管的内部到底是足够接近
到检测器表面，以允许所有的
照明离开光导管将落入
有源区域中的检测器。该
密封的TO- 18封装允许
纤维可以用环氧树脂粘合到的所述端
光管，以最大限度地减少信号损失，而不
恐危及探测器的稳定性。
该C30902E和C309021E设计
用于多种用途，包括光学
在数据通信速率为1
千兆位/秒，激光测距，以及任何
需要高速的其他应用程序
和/或高的响应。
硅雪崩光电二极管
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
高速固态探测器的
光纤和低照度级应用
一切
IN A
新
LIGHT 。
特点
高量子效率77 ％（典型）在830nm
C30902S和C30921S在盖革模式：
单光子探测概率为50 ％
低暗计数率在5％的概率检测 - 通常，
15000张/秒，在+ 22°C
350 /秒，在-25°C
计数率，以2× 106个/秒
密封包装
低噪声室温
C30902E ， C30921E - 2.3× 10-13 A / HZ1 / 2
C30902S ， C30921S - 1.1× 10-13 A / HZ1 / 2
高响应 - 内部雪崩收益的超额150
光谱响应范围 - （ 10 ％分） 400至1000nm
响应时间 - 通常为0.5纳秒
宽工作温度范围 - -40 ° C至+ 70°C
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
该C30902S和C30921S选择C30902E和
具有极低的噪声和散C30921E光电二极管
暗电流。他们的目的是为超微光
应用程序（光功率小于1 PW）和可被用
无论是正常的线性模式（ VR < VBR ）的涨幅高达250
或更大，或如在"Geiger"模式的光子计数器（VR >
VBR ），其中单个光电子可能引发雪崩
脉冲约108运营商。在这种模式下，没有放大器
达的必要和单光子检测概率
大约50％是可能的。
光子计数也是有利的，其中，选通和
巧合的技术被用于信号检索。
图1.典型的光谱响应，在22°C
光学特性
C30902E ， C30902S （图13）
光敏面：
形状。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .Circular
实用面积。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.2平方毫米
有用的直径。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.5毫米
视场：
近似全角度全
照式感光面。 。 。 。 。 。 。 。 .100度
C30921E ， C30921S （图14）
光管的数值孔径。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.55
核心的折射率（n ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1.61
光导管芯径。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.25毫米
图2.典型的量子效率与波长
最大额定值，绝对最大值（所有类型）
反向电流在22 ° C：
平均值，连续操作
峰值
（ 1秒持续时间，非重复）
正向电流，如果在22 ℃下的
平均值，连续
手术
峰值（ 1秒
持续时间，非重复）
在22°C最大总功耗
环境温度：
存储， TSTG
操作时， TA
焊接（ 5秒）
-60至+ 100℃的
-40 + 70°C
200°C
图3.典型的噪声电流和增益
200 A
1毫安
5毫安
50毫安
60毫瓦
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
电气特性
1
在T
A
= 22°C
C30902E ， C309021E
民
典型值
最大
击穿电压V
BR
温度COEF网络cient
VR恒定增益
收益
响应：
在900纳米
在830nm下
量子效率：
在900纳米
在830nm下
暗电流，I
d
噪声电流，我
n
:
2
F = 10 kHz时，
f
= 1.0赫兹
电容C
d
上升时间，t
r
:
RL = 50Ω ，
λ
= 830纳米，
10％至90 ％分
下降时间：
RL = 50Ω ，
λ
= 830纳米，
90 ％至10 ％分
盖革模式
（见附录）
在5％的光子暗计数
检测概率
3
（ 830纳米） ：
22°C
-25°C
电压以上的VBR为5％的光子
检测概率
3
（ 830 nm）的
（参见图8）
死区时间每个事件
（见附录）
经过脉冲率在5％的光子
探测概率（ 830纳米）
22°C
4
-
0.5
-
55
70
-
-
-
225
0.7
150
65
77
-
0.8
-
-
-
C30902S ， C30921S
民
典型值
最大
-
0.5
-
92
117
-
-
-
225
0.7
250
108
128
-
0.8
-
-
-
单位
V
V /°C的
/ W
/ W
%
%
A
60
-
77
-
1.5x10
-8
3x10
-8
（图6）
2.3x10
-13
5x10
-13
（图3）
1.6
2
60
-
77
-
1x10
-8
3x10
-8
（图6）
1.1x10
-13
2x10
-13
（图3）
1.6
2
-
-
-
-
A / Hz的
1/2
pF
-
0.5
0.75
-
0.5
0.75
ns
-
0.5
0.75
-
0.5
0.75
ns
-
-
-
-
-
-
-
-
15,000 30,000
350
700
CPS
CPS
-
-
-
-
-
-
-
-
2
300
-
-
V
ns
-
-
-
-
2
15
%
注1.在直流反向工作电压VR的供给装置和一个光点直径为0.25mm （ C30902E ，S） - 0.10毫米（ C30921E ，S） 。需要注意的是一个特定的值
的VR提供与每一个设备。当光电二极管是在该电压时，器件将满足上面所示的电特性的限制。该电压值将是
内为180至250伏的范围内。
注2：对于散粒噪声电流的雪崩光电二极管的理论表达是= （ 2Q （ IDS + （ IdbM2 + PoRM ）F ） BW） 1/2其中q是电子电荷， IDS是黑暗
表面电流， IDB是暗的大电流，F为过剩噪声因子， M是增益， Po是设备上的光功率， w和B w ，是噪声的带宽。对于这些设备F =
0.98 （ 2-1 / M） + 0.02米（参考： PP韦伯， RJ麦金太尔， JJ康拉迪， "RCA Review" ，第35卷P 234 ， （ 1974） 。 ） 。
注3. C30902S和C30921S可以在一个相当高的检测概率来操作。见附录。
注4.在脉冲发生1微秒到主脉冲后的60秒。
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
图4.典型响应度在830nm与工作电压
图5.典型增益带宽积与增益
图6.典型的暗电流与工作电压（V < VBR ）
图7.雪崩光电二极管的响应，以100 ps的激光脉冲的
衡量一个350 ps的采样头。 （横轴： 200 PS /科）
图8. Gelger模式，光电子探测概率与电压高于
VBR （ VR > VBR ）
图9.被动淬火电路和产生的脉冲形状
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
在盖革模式图10.载重线的C30921S
图11.典型的暗计数与温度的关系在5％光子（波长830nm ）
检测效率
下一步为100 ns与延时时间内图12的机会后，脉冲
一个积极淬火电路。 （典型的C30902S ， C30921S在VBR + 25 ）
改性TO-18封装。
注意：光学距离被定义为从所述硅表面的距离
芯片的窗口的前表面。
图13.外形尺寸 - C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
图14.切角的C30921E ， C30921S的
尺寸以毫米为单位。尺寸括号内为英寸。
描述
珀金埃尔默类型C30902E雪崩
光电二极管利用硅探测器芯片
制造为具有双扩散"reach-
through"结构。这种结构提供
400和1000纳米之间的高响应
以及非常快速的上升和下降时间
在所有波长。由于下降时间
特性没有"tail “，则
该装置的响应性是独立的
调制频率高达800兆赫。
检测器芯片是密闭
后面的改性TO-平板玻璃窗
18包。的有用直径
光敏表面为0.5mm。
珀金埃尔默类型C30921E利用
同样的硅探测器芯片为C30902E ，
但在一个包含一个光导管
这允许光有效地耦合到所述
无论是从聚焦点或探测器
光纤最多至0.25毫米的直径。该
在光管的内部到底是足够接近
到检测器表面，以允许所有的
照明离开光导管将落入
有源区域中的检测器。该
密封的TO- 18封装允许
纤维可以用环氧树脂粘合到的所述端
光管，以最大限度地减少信号损失，而不
恐危及探测器的稳定性。
该C30902E和C309021E设计
用于多种用途，包括光学
在数据通信速率为1
千兆位/秒，激光测距，以及任何
需要高速的其他应用程序
和/或高的响应。
硅雪崩光电二极管
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
高速固态探测器的
光纤和低照度级应用
一切
IN A
新
LIGHT 。
特点
高量子效率77 ％（典型）在830nm
C30902S和C30921S在盖革模式：
单光子探测概率为50 ％
低暗计数率在5％的概率检测 - 通常，
15000张/秒，在+ 22°C
350 /秒，在-25°C
计数率，以2× 106个/秒
密封包装
低噪声室温
C30902E ， C30921E - 2.3× 10-13 A / HZ1 / 2
C30902S ， C30921S - 1.1× 10-13 A / HZ1 / 2
高响应 - 内部雪崩收益的超额150
光谱响应范围 - （ 10 ％分） 400至1000nm
响应时间 - 通常为0.5纳秒
宽工作温度范围 - -40 ° C至+ 70°C
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
该C30902S和C30921S选择C30902E和
具有极低的噪声和散C30921E光电二极管
暗电流。他们的目的是为超微光
应用程序（光功率小于1 PW）和可被用
无论是正常的线性模式（ VR < VBR ）的涨幅高达250
或更大，或如在"Geiger"模式的光子计数器（VR >
VBR ），其中单个光电子可能引发雪崩
脉冲约108运营商。在这种模式下，没有放大器
达的必要和单光子检测概率
大约50％是可能的。
光子计数也是有利的，其中，选通和
巧合的技术被用于信号检索。
图1.典型的光谱响应，在22°C
光学特性
C30902E ， C30902S （图13）
光敏面：
形状。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .Circular
实用面积。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.2平方毫米
有用的直径。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.5毫米
视场：
近似全角度全
照式感光面。 。 。 。 。 。 。 。 .100度
C30921E ， C30921S （图14）
光管的数值孔径。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.55
核心的折射率（n ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1.61
光导管芯径。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.25毫米
图2.典型的量子效率与波长
最大额定值，绝对最大值（所有类型）
反向电流在22 ° C：
平均值，连续操作
峰值
（ 1秒持续时间，非重复）
正向电流，如果在22 ℃下的
平均值，连续
手术
峰值（ 1秒
持续时间，非重复）
在22°C最大总功耗
环境温度：
存储， TSTG
操作时， TA
焊接（ 5秒）
-60至+ 100℃的
-40 + 70°C
200°C
图3.典型的噪声电流和增益
200 A
1毫安
5毫安
50毫安
60毫瓦
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
电气特性
1
在T
A
= 22°C
C30902E ， C309021E
民
典型值
最大
击穿电压V
BR
温度COEF网络cient
VR恒定增益
收益
响应：
在900纳米
在830nm下
量子效率：
在900纳米
在830nm下
暗电流，I
d
噪声电流，我
n
:
2
F = 10 kHz时，
f
= 1.0赫兹
电容C
d
上升时间，t
r
:
RL = 50Ω ，
λ
= 830纳米，
10％至90 ％分
下降时间：
RL = 50Ω ，
λ
= 830纳米，
90 ％至10 ％分
盖革模式
（见附录）
在5％的光子暗计数
检测概率
3
（ 830纳米） ：
22°C
-25°C
电压以上的VBR为5％的光子
检测概率
3
（ 830 nm）的
（参见图8）
死区时间每个事件
（见附录）
经过脉冲率在5％的光子
探测概率（ 830纳米）
22°C
4
-
0.5
-
55
70
-
-
-
225
0.7
150
65
77
-
0.8
-
-
-
C30902S ， C30921S
民
典型值
最大
-
0.5
-
92
117
-
-
-
225
0.7
250
108
128
-
0.8
-
-
-
单位
V
V /°C的
/ W
/ W
%
%
A
60
-
77
-
1.5x10
-8
3x10
-8
（图6）
2.3x10
-13
5x10
-13
（图3）
1.6
2
60
-
77
-
1x10
-8
3x10
-8
（图6）
1.1x10
-13
2x10
-13
（图3）
1.6
2
-
-
-
-
A / Hz的
1/2
pF
-
0.5
0.75
-
0.5
0.75
ns
-
0.5
0.75
-
0.5
0.75
ns
-
-
-
-
-
-
-
-
15,000 30,000
350
700
CPS
CPS
-
-
-
-
-
-
-
-
2
300
-
-
V
ns
-
-
-
-
2
15
%
注1.在直流反向工作电压VR的供给装置和一个光点直径为0.25mm （ C30902E ，S） - 0.10毫米（ C30921E ，S） 。需要注意的是一个特定的值
的VR提供与每一个设备。当光电二极管是在该电压时，器件将满足上面所示的电特性的限制。该电压值将是
内为180至250伏的范围内。
注2：对于散粒噪声电流的雪崩光电二极管的理论表达是= （ 2Q （ IDS + （ IdbM2 + PoRM ）F ） BW） 1/2其中q是电子电荷， IDS是黑暗
表面电流， IDB是暗的大电流，F为过剩噪声因子， M是增益， Po是设备上的光功率， w和B w ，是噪声的带宽。对于这些设备F =
0.98 （ 2-1 / M） + 0.02米（参考： PP韦伯， RJ麦金太尔， JJ康拉迪， "RCA Review" ，第35卷P 234 ， （ 1974） 。 ） 。
注3. C30902S和C30921S可以在一个相当高的检测概率来操作。见附录。
注4.在脉冲发生1微秒到主脉冲后的60秒。
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
图4.典型响应度在830nm与工作电压
图5.典型增益带宽积与增益
图6.典型的暗电流与工作电压（V < VBR ）
图7.雪崩光电二极管的响应，以100 ps的激光脉冲的
衡量一个350 ps的采样头。 （横轴： 200 PS /科）
图8. Gelger模式，光电子探测概率与电压高于
VBR （ VR > VBR ）
图9.被动淬火电路和产生的脉冲形状
C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
在盖革模式图10.载重线的C30921S
图11.典型的暗计数与温度的关系在5％光子（波长830nm ）
检测效率
下一步为100 ns与延时时间内图12的机会后，脉冲
一个积极淬火电路。 （典型的C30902S ， C30921S在VBR + 25 ）
改性TO-18封装。
注意：光学距离被定义为从所述硅表面的距离
芯片的窗口的前表面。
图13.外形尺寸 - C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
图14.切角的C30921E ， C30921S的
尺寸以毫米为单位。尺寸括号内为英寸。
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