描述
从高速的InGaAs光电二极管
珀金埃尔默光电子是
专为OEM光纤使用
通信系统和高
速度接收器应用，包括
主干线路，局域网，光纤在半实物和
数据通信。陶瓷的
基台套票
易于集成到高速
SONET ， FDDI或数据链路接收器
模块，或作为备用电源面
显示器在激光二极管模块。
光电二极管是用于密封可
的TO- 18封装，或在连接器连接
容器与包装行业
标准的ST ， FC或SC连接器。
这些设计用于配合的任
单模或多模光纤。光电二极管
可以在纤维质封装
无论是与单模或多模光纤
尾纤，它可以与终止
要么是ST ， FC或SC连接器。
Receptacled和纤维状包使用
一球透镜的TO- 18封装最大化
耦合效率。所有器件都
平面钝化和功能验证
高可靠性的安装和接触。
的>10的MTTF
9
小时（ approximate-
LY 105年） 50
o
C已被
展示最新的标准
生产样品。
高速的InGaAs PIN
光电二极管
C30616, C30637, C30617, C30618
一切
IN A
新
LIGHT 。
证明具有扩展高温老化测试
在200
o
下进行168小时（ V
R
= 10V ） ，确保了
MTTF > 10
7
50小时
o
C（ EA = 0.7EV ） 。最后，所有的
生产设备进行筛选，以16小时， 200
o
C
老化（Ⅴ
R
= 10V）和测试，符合响应，
频谱噪声和暗电流规格。
特点
50 ， 75 ，100， 350微米直径的
高响应，在1300和1550
低容量高带宽（以3.5GHz的）
可提供多种封装选项
质量和可靠性
珀金埃尔默光电子是
致力于提供最高
优质的产品给我们的客户，并
我们经过认证，符合ISO- 9001和
操作以MIL -Q - 9858A和AQAP - 1
质量标准。过程控制
通过每年再维持
生产单位资质
包括广泛的电学，热学
和机械应力以及一个
扩展的LifeTest 。此外，每
晶圆批次是合格的单独见面
响应，电容和黑暗
目前规范，和可靠性是
应用
高速通信
SONET / ATM ， FDDI
数据链&局域网
光纤传感器
性能规格（在VR = VOP典型值） ， 22°C
参数
民
工作电压
击穿电压
主动直径
响应在1300nm
陶瓷（D1）的
响应在1550nm处
陶瓷（D1）的
暗电流
频谱噪声电流（ 10 kHz时， 1.0赫兹）
电容V
R
= V
OP
（典型值）
陶瓷（D1）的
上升/下降时间（ 10 ％至90 ％ ）
带宽（-3 dB时， RL = 50Ω ）
可用封装类型
最大额定值
最大正向电流
功耗
储存温度
工作温度
10
100
125
125
10
100
125
125
mA
mW
°C
°C
1
25
C30616
典型值
5
100
50
0.90
0.95
＆ LT ; 1.0
＆ LT ; 0.02
0.35
0.07
3.5
D1
C30637
典型值
5
100
75
0.90
0.95
＆ LT ; 1.0
＆ LT ; 0.02
0.40
0.07
3.5
D1
最大
10
民
1
25
最大
10
单位
V
V
m
/ W
/ W
nA
PA / ÷赫兹
pF
ns
GHz的
0.80
0.85
0.80
0.85
2.0
0.15
0.55
0.5
2.0
0.15
0.60
0.5
-60
-40
-60
-40
图1：典型光谱响应率对波长。
虚线表示响应在D2封装（硅窗）
图2 ：典型的电容VS工作电压。
注1 ：陶瓷封装基座。
产品规格（在VR = VOP典型值） ， 22°C
参数
民
工作电压
击穿电压
主动直径
响应在1300nm
陶瓷（D1） / TO-18 （D2）的
纤维（D ） / FC （D4） / ST （D3） / SC （ D5）的
1
响应在1550nm处
陶瓷（D1） / TO-18 （D2）的
纤维（D ） / FC （D4） / ST （D3） / SC （ D5）的
1
暗电流
频谱噪声电流（ 10 kHz时， 1.0赫兹）
电容VR = VOP （典型值）
(D1),(D6),(D3),(D5)
的TO- 18 （D2）的
上升/下降时间（ 10 ％至90 ％ ）
带宽（-3 dB时， RL = 50
)
可用封装类型
最大额定值
最大正向电流
功耗
储存温度
2
工作温度
2
10
100
125
125
10
100
125
125
mA
mW
°C
°C
1
25
C30617
典型值
5
100
100
0.90
0.75
0.95
0.80
＆ LT ; 1.0
＆ LT ; 0.02
0.6
0.8
0.07
3.5
D1, D2, D3, D4, D5, D6,
C30618
典型值
5
80
350
0.90
0.75
0.95
0.80
2.0
0.02
4.0
4.0
0.5
0.75
D1, D2, D3, D4, D21
最大
10
民
1
25
最大
10
单位
V
V
m
/ W
0.80
0.65
0.85
0.70
0.80
0.65
0.85
0.70
2.0
0.15
0.8
1.0
0.5
/ W
5.0
0.20
6.0
6.0
1.0
ns
GHz的
-
nA
PA / ÷赫兹
pF
-60
-40
-60
-40
请注意，从62.5调频1.再加， 0.28 NA渐变折射率多模光纤使用1300纳米SLED光源。
注2：最大存储和工作温度为连接器连接和纤维状设备为+ 85°C 。
C30618
C30617
C30637
C30616
图3 ：典型的暗电流与电压
图4 ：典型的暗电流与温度
在VOP = -5V 。
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