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TC1411/TC1411N
1A高速MOSFET驱动器
特点
闭锁保护:可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护: 4 kV的
高峰值输出电流: 1A
宽输入电源电压工作范围:
- 4.5V至16V
高容性负载驱动能力:
- 1000 pF的25纳秒
短延迟时间: 30纳秒典型。
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“1”输入: 500 μA
- 对于逻辑“0”输入: 100 μA
低输出阻抗: 8
提供节省空间的8引脚MSOP封装
引脚排列相同, TC1410 / TC1412 / TC1413
描述
在TC1411 / TC1411N是1A CMOS缓冲器/驱动器。
他们不会闩锁内的任何条件下其
功率和额定电压。它们不受
受到伤害时的噪声尖峰高达5V两种
极性发生在接地引脚。他们可以接受的,
无损坏或逻辑混乱,最高电流500毫安
任一极性被强制返回到它们的输出。所有
终端完全免受高达4千伏
静电放电。
由于MOSFET驱动器,在TC1411 / TC1411N可以很容易地
在25纳秒以收取1000 pF的栅极电容
匹配的上升和下降时间,并提供足够低
阻抗在ON和OFF状态,以
确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响,即使是大的瞬变。领导和
后缘的传播延迟时间也匹配
以允许驱动短时输入具有更大
准确度。
封装类型
8引脚MSOP / PDIP / SOIC
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
8 V
DD
V
DD
1
IN 2
NC 3
8 V
DD
7 OUT
6 OUT
7 OUT
6 OUT
5 GND
2
6,7
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
继电器驱动器
TC1411
TC1411N
5 GND接地4
6,7
反相
NC - 无内部连接
非反相
注意:
重名的引脚必须连接
一起正常工作。
2006年Microchip的科技公司
DS21390D第1页
TC1411/TC1411N
功能框图
TC1411
反相
输出
V
DD
300毫伏
产量
输入
有效
输入C = 10 pF的
4.7V
非反相
输出
TC1411N
GND
DS21390D第2页
2006年Microchip的科技公司
TC1411/TC1411N
1.0
电动
特征
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压...................... V
DD
+ 0.3V至GND - 5.0V
功率耗散(T
A
70°C)
MSOP ................................................. ......... 340毫瓦
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
最高结温...................... + 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
16V.
典型值是在T测
A
= + 25 ° C,V
DD
= 16V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
OH
V
OL
R
O
V
DD
– 0.025
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间(注1 )
上升时间
t
R
下降时间
t
F
延迟时间
t
D1
延迟时间
t
D2
电源
电源电流
注1 :
I
S
开关时间由设计保证。
0.5
0.1
1.0
0.15
mA
V
IN
= 3V, V
DD
= 16V
V
IN
= 0V
25
27
29
25
27
29
30
33
35
30
33
35
35
40
40
35
40
40
40
45
45
40
45
45
ns
ns
ns
ns
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C,
图4-1
T
A
= +25°C,
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C,
图4-1
I
PK
I
8
10
10
1.0
0.5
0.025
11
14
14
A
A
V
V
Ω
直流测试
直流测试
V
DD
= 16V ,我
O
= 10毫安,T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
V
DD
= 16V
占空比
2%, t
300 s,
V
DD
= 16V
V
IH
V
IL
I
IN
2.0
-1.0
-10
0.8
1.0
10
V
V
A
0V
V
IN
V
DD,
T
A
= +25°C
-40°C
T
A
+85°C
符号
典型值
最大
单位
条件
2006年Microchip的科技公司
DS21390D第3页
TC1411/TC1411N
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于4.5V
V
DD
16V.
参数
温度范围
规定温度范围( C)
规定温度范围( E)
规定温度范围( V)
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻,8 - MSOP
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
θ
JA
θ
JA
θ
JA
206
125
155
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
T
A
T
A
T
A
T
J
T
A
0
-40
-40
-65
+70
+85
+125
+150
+150
C
C
C
C
C
符号
典型值
最大
单位
条件
DS21390D第4页
2006年Microchip的科技公司
TC1411/TC1411N
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
16V.
500
T
A
= +25°C
500
V
供应
= 16V
V
IN
= 3V
400
400
I
供应
(A)
I
供应
(A)
V
IN
= 3V
300
300
200
200
100
V
IN
= 0V
100
V
IN
= 0V
0
4
6
8
10
12
14
16
0
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(V)
温度(℃)
图2-1:
静态电源电流
- 电源电压。
1.6
图2-4:
与温度的关系。
1.6
静态电源电流
T
A
= +25°C
V
供应
= 16V
1.5
1.5
V
门槛
(V)
1.4
V
门槛
(V)
V
IH
V
IH
1.4
1.3
1.3
1.2
V
IL
1.2
V
IL
1.1
4
6
8
10
12
14
16
1.1
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(V)
温度(℃)
图2-2:
电压。
25
输入阈值与供应
图2-5:
温度。
25
输入阈值与
20
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
R
DS -ON
(欧姆)
20
R
DS -ON
(欧姆)
15
15
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
10
10
T
A
= -40°C
5
5
T
A
= -40°C
0 4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
V
DD
(V)
10
V
DD
(V)
12
14
16
图2-3:
高态输出
电阻与电源电压。
图2-6:
低态输出
电阻与电源电压。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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