摩托罗拉
半导体技术资料
可控硅整流器器
反向阻断三极晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中，如电机控制设计，
加热控制和电源;或任何半波硅栅控，
需要的固态器件。
玻璃钝化路口和中心火门为大参数
均匀性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设实现低热阻，高耐热
散热和耐用性
阻断电压为800伏特
不同Leadform配置，
后缀（ 2 ）至（ 6 ），请参阅Leadform选项（第4节）的信息
C122( )1
系列
可控硅
8 RMS安培
50通800伏
G
A
K
CASE 221A -04
(TO-220AB)
方式3
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ） （ TJ = 25 100 ℃，门开）
反向重复峰值电压
C122F1
C122A1
C122B1
C122D1
C122M1
C122N1
峰值不重复反向电压（ 1 ）
C122F1
C122A1
C122B1
C122D1
C122M1
C122N1
正向电流有效值
（所有的导通角）
峰值正向浪涌电流
（1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
TC
符号
VDRM
VRRM
价值
50
100
200
400
600
800
伏
75
200
300
500
700
800
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
8
90
34
安培
安培
A2s
单位
伏
VRSM
p
75°C
1. VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而， （续）
正栅极电压不应被施加一致与阳极上的负电位。阻断电压不得与测试
恒定电流源，使得器件的电压额定值被超过。
36
摩托罗拉晶闸管设备数据
C122 （ ） 1系列
最大额定值 -
持续
等级
正向峰值功率门控（ T = 10
s)
正向平均栅极电源
正向栅极峰值电流
工作结温范围
存储温度范围
符号
PGM
PG （AV）
IGM
TJ
TSTG
价值
5
0.5
2
-40至+100
-40到+125
单位
瓦
瓦
安培
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
1.8
单位
° C / W
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
峰值正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
峰值通态电压（ 1 ）
（ ITM = 16 A峰值， TC = 25°C ）
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 6 V ， RL = 91欧姆， TC = 25 ° C）
（ VD = 6 V ， RL = 45欧姆， TC = -40°C ）
门极触发电压（连续直流）
（ VD = 6 V ， RL = 91欧姆， TC = 25 ° C）
（ VD = 6 V ， RL = 45欧姆， TC = -40°C ）
（ VD =额定VDRM ， RL = 1000欧姆， TC = 100 ° C）
保持电流
（ VD = 24伏直流电， IT = 0.5 A ， 0.1 10毫秒的脉冲，
门极触发源= 7 V ， 20欧姆）
TC = 25°C
TC = -40°C
关断时间（ VD =额定VDRM ）
（ ITM = 8 A， IR = 8 A）
爆击率-的高层断态电压
（ VD =额定VDRM ，线性， TC = 100 ° C）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 1毫秒，占空比
TC = 25°C
TC = 100℃
VTM
IGT
—
—
VGT
—
—
0.2
IH
—
—
tq
dv / dt的
—
—
—
—
50
50
30
60
—
—
s
V / μs的
—
—
—
1.5
2
—
mA
—
—
25
40
伏
符号
IDRM ， IRRM
—
—
—
—
—
—
10
0.5
1.83
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
mA
p
2%.
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
100
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
图1 - 电流降额（半波）
图2 - 电流降额（全波）
100
95
90
85
80
75
70电阻或
感性负载。
65
50到400Hz
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
传导
角= 60 °
120°
180°
240°
360°
0
360
ONE CYCLE电源频率
传导
角
传导
角
90
80
60° 90°
120°
180°
0
传导
角
DC
70传导
角= 30 °
60
0
360
1
2
3
4
5
6
7
8
IT （ AV ）通态平均正向电流（安培）
摩托罗拉晶闸管设备数据
37
C122 （ ） 1系列
图3 - 最大功耗（半波）图4 - 最大功耗（全波）
P（ AV ） ，通态平均功耗（瓦）
14
电阻性或电感性负载。 50到400Hz
12
10
8
90°
6传导
角30 °
4
2
0
0
3
5
4
6
2
7
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
1
8
60°
180°
120°
DC
T，通态平均功耗（瓦）
C
10
240°
8
6
4
2
0
0
传导
角= 60 °
120°
180°
360°
传导
角
传导
角
0°
360°
ONE CYCLE电源频率
电阻性或电感性负载。 50到400Hz
1
2
3
4
5
6
7
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
8
38
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
可控硅整流器器
反向阻断三极晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中，如电机控制设计，
加热控制和电源;或任何半波硅栅控，
需要的固态器件。
玻璃钝化路口和中心火门为大参数
均匀性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设实现低热阻，高耐热
散热和耐用性
阻断电压为800伏特
不同Leadform配置，
后缀（ 2 ）至（ 6 ），请参阅Leadform选项（第4节）的信息
C122( )1
系列
可控硅
8 RMS安培
50通800伏
G
A
K
CASE 221A -04
(TO-220AB)
方式3
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ） （ TJ = 25 100 ℃，门开）
反向重复峰值电压
C122F1
C122A1
C122B1
C122D1
C122M1
C122N1
峰值不重复反向电压（ 1 ）
C122F1
C122A1
C122B1
C122D1
C122M1
C122N1
正向电流有效值
（所有的导通角）
峰值正向浪涌电流
（1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
TC
符号
VDRM
VRRM
价值
50
100
200
400
600
800
伏
75
200
300
500
700
800
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
8
90
34
安培
安培
A2s
单位
伏
VRSM
p
75°C
1. VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而， （续）
正栅极电压不应被施加一致与阳极上的负电位。阻断电压不得与测试
恒定电流源，使得器件的电压额定值被超过。
36
摩托罗拉晶闸管设备数据
C122 （ ） 1系列
最大额定值 -
持续
等级
正向峰值功率门控（ T = 10
s)
正向平均栅极电源
正向栅极峰值电流
工作结温范围
存储温度范围
符号
PGM
PG （AV）
IGM
TJ
TSTG
价值
5
0.5
2
-40至+100
-40到+125
单位
瓦
瓦
安培
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
1.8
单位
° C / W
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
峰值正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
峰值通态电压（ 1 ）
（ ITM = 16 A峰值， TC = 25°C ）
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 6 V ， RL = 91欧姆， TC = 25 ° C）
（ VD = 6 V ， RL = 45欧姆， TC = -40°C ）
门极触发电压（连续直流）
（ VD = 6 V ， RL = 91欧姆， TC = 25 ° C）
（ VD = 6 V ， RL = 45欧姆， TC = -40°C ）
（ VD =额定VDRM ， RL = 1000欧姆， TC = 100 ° C）
保持电流
（ VD = 24伏直流电， IT = 0.5 A ， 0.1 10毫秒的脉冲，
门极触发源= 7 V ， 20欧姆）
TC = 25°C
TC = -40°C
关断时间（ VD =额定VDRM ）
（ ITM = 8 A， IR = 8 A）
爆击率-的高层断态电压
（ VD =额定VDRM ，线性， TC = 100 ° C）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 1毫秒，占空比
TC = 25°C
TC = 100℃
VTM
IGT
—
—
VGT
—
—
0.2
IH
—
—
tq
dv / dt的
—
—
—
—
50
50
30
60
—
—
s
V / μs的
—
—
—
1.5
2
—
mA
—
—
25
40
伏
符号
IDRM ， IRRM
—
—
—
—
—
—
10
0.5
1.83
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
mA
p
2%.
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
100
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
图1 - 电流降额（半波）
图2 - 电流降额（全波）
100
95
90
85
80
75
70电阻或
感性负载。
65
50到400Hz
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
传导
角= 60 °
120°
180°
240°
360°
0
360
ONE CYCLE电源频率
传导
角
传导
角
90
80
60° 90°
120°
180°
0
传导
角
DC
70传导
角= 30 °
60
0
360
1
2
3
4
5
6
7
8
IT （ AV ）通态平均正向电流（安培）
摩托罗拉晶闸管设备数据
37
C122 （ ） 1系列
图3 - 最大功耗（半波）图4 - 最大功耗（全波）
P（ AV ） ，通态平均功耗（瓦）
14
电阻性或电感性负载。 50到400Hz
12
10
8
90°
6传导
角30 °
4
2
0
0
3
5
4
6
2
7
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
1
8
60°
180°
120°
DC
T，通态平均功耗（瓦）
C
10
240°
8
6
4
2
0
0
传导
角= 60 °
120°
180°
360°
传导
角
传导
角
0°
360°
ONE CYCLE电源频率
电阻性或电感性负载。 50到400Hz
1
2
3
4
5
6
7
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
8
38
摩托罗拉晶闸管设备数据
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