IGNS
W DES
E
的N ODUCT
NDED
PR
ME
ECOM
TITUTE 7
S
数据表
不属于R
2
e子
SSIBL 3127 ， HFA31
PO
CA
CA3227
2002年4月
FN1345.6
高频NPN晶体管阵列对于
低功耗应用的频率
高达1.5GHz
在CA3227由网络连接已经通用硅NPN
晶体管在一个共同的整体式载体上。每个
晶体管显示出f的值
T
超过3GHz的，使得
他们从DC到1.5GHz有用。单片建设
这些器件提供了紧密的电和热
五晶体管的匹配。
特点
增益带宽积（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >3GHz
上一个普通的基材五晶体管
应用
甚高频放大器
VHF混频器
多功能组合 - 射频/混频器/振荡器
IF转换器
IF放大器
订购信息
部分
数
（品牌）
CA3227M
(3227)
CA3227M96
(3227)
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
包
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC胶带
和卷轴
PKG 。号
M16.15
M16.15
检测放大器
合成
同步检波器
级联放大器
引脚
CA3227 （ SOIC ）
顶视图
1
2
3
4
衬底5
6
7
8
Q
3
Q
4
Q
2
16
15
14
Q
5
13
12
11
10
9
Q
1
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
CA3227
绝对最大额定值
集电极到发射极电压（V
首席执行官
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V
集电极基极电压（V
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
集电极衬底电压（V
CIO
，注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
集电极电流（I
C
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
16 Ld的SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
185
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 。为85mW
最高结温（死亡）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.这些设备的每一个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板（端子5）必须连接
在外部电路中最负点至晶体管之间保持隔离，并为普通的晶体管动作。
2.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
T
A
= 25
o
C
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
直流特性FOR每个晶体管
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
C1
= 10μA ，我
B
= 0, I
E
= 0
V
EB
= 4.5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
B
= 0
V
CB
= 8V ，我
E
= 0
V
CE
= 6V
I
C
= 10毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 0.1毫安
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
注意：
3.在小尺寸，高频率的晶体管，这是非常好的做法绝不拿射基结到反向击穿。要做到
这样可能会永久降低的H
FE
。因此，利用余
EBO
而不是V
（ BR ） EBO
。这些设备也容易被破坏
静电放电及在它们被使用的电路中的瞬变。此外， CMOS处理程序应使用。
V
BE
V
CE坐
V
BE坐
V
CE
= 6V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 1毫安
12
8
20
-
-
-
-
40
-
0.62
-
0.74
20
10
-
-
-
-
110
150
150
0.71
0.13
-
-
-
-
10
1
100
-
-
-
0.82
0.50
0.94
V
V
V
V
V
V
A
A
nA
集电极衬底击穿电压V
（ BR ）首席信息官
发射极截止电流（注3 ）
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流正向电流传输比
I
EBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
2
CA3227
电气规格
参数
T
A
= 25
o
C，为200MHz ，共发射极，典型值仅供设计参考
符号
测试条件
典型
值
单位
动态特性每个晶体管
输入导纳
Y
11
b
11
g
11
输出导纳
Y
22
b
22
g
22
正向转移导纳
Y
21
Y
21
θ
21
反向传输导纳
Y
12
Y
12
θ
12
输入导纳
Y
11
b
11
g
11
输出导纳
Y
22
b
22
g
22
正向转移导纳
Y
21
Y
21
θ
21
反向传输导纳
Y
12
Y
12
θ
12
小信号正向电流传输比
h
21
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
典型电容在1MHz ，三端测量
集电极基极电容
集电极衬底电容
集电极到发射极电容
发射器基电容
C
CB
C
CI
C
CE
C
EB
V
CB
= 6V
V
CI
= 6V
V
CE
= 6V
V
EB
= 3V
0.3
1.6
0.4
0.75
pF
pF
pF
pF
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
4
0.75
2.7
0.13
29.3
-33
0.38
-97
4.8
2.85
2.75
0.9
95
-62
0.39
-97
7.1
17
mS
mS
mS
mS
mS
度
mS
度
mS
mS
mS
mS
mS
度
mS
度
SPICE模型
（香料2G.6 ）
.MODEL NPN
+
+
+
+
+
+
+
+
BF = 2.610E + 02
RC = 1.000E + 01
IK = 1.000E - 01
ISC = 9.25E - 14
CJS = 1.800E - 12
CJC = 9.100E - 13
AF = 1.000E + 00
MJS = 3.530E - 01
BR = 4.401E + 00
RE = 7.396E - 01
ISE = 1.87E - 14
NC = 1.333E + 00
CJE = 1.010E - 12
PC = 3.850E - 01
EF = 1.000E + 00
RBM = 30.00
IS = 6.930E - 16
VA = 6.300E + 01
NE = 1.653E + 00
TF = 1.775E - 11
PE = 8.350E - 01
MC = 2.740E - 01
FC = 5.000E - 01
RBV = 100
RB = 130.0E + 00
VB = 2.208E + 00
IKR = 1.000E - 02
TR = 1.000E - 09
ME = 4.460E - 01
KF = 0.000E + 00
PJS = 5.410E - 01
IRB = 0.00
请注意：未测量已经进行了建模的反向AC操作（ tr为估计） 。
3
CA3227
TM
数据表
2000年5月
网络文件编号
1345.5
高频NPN晶体管阵列对于
低功耗应用的频率
高达1.5GHz
在CA3227由网络连接已经通用硅NPN
晶体管在一个共同的整体式载体上。每个
晶体管显示出f的值
T
超过3GHz的，使得
他们从DC到1.5GHz有用。单片建设
这些器件提供了紧密的电和热
该网络的匹配已经晶体管。
特点
增益带宽积（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >3GHz
上一个普通的基材五晶体管
应用
甚高频放大器器
VHF混频器
多功能组合 - 射频/混频器/振荡器
IF转换器
IF放大器器
订购信息
部分
数
（品牌）
CA3227E
CA3227M
(3227)
CA3227M96
(3227)
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC胶带
和卷轴
PKG 。号
E16.3
M16.15
M16.15
检测放大器器
合成
同步检波器
级联放大器器
引脚
CA3227
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1
2
3
4
衬底5
6
7
8
Q
3
Q
4
Q
2
Q
5
16
15
14
13
12
11
10
9
Q
1
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权
Intersil公司2000
CA3227
绝对最大额定值
集电极到发射极电压（V
首席执行官
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V
集电极基极电压（V
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
集电极衬底电压（V
CIO
，注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
集电极电流（I
C
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
16 Ld的PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
16 Ld的SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
185
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 。为85mW
最高结温（死亡）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.这些设备的每一个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板（端子5）必须连接
在外部电路中最负点至晶体管之间保持隔离，并为普通的晶体管动作。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
直流特性FOR每个晶体管
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
C1
= 10μA ，我
B
= 0, I
E
= 0
V
EB
= 4.5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
B
= 0
V
CB
= 8V ，我
E
= 0
V
CE
= 6V
I
C
= 10毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 0.1毫安
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
注意：
3.在小尺寸，高频率的晶体管，这是非常好的做法绝不拿射基结到反向击穿。要做到
这样可能会永久降低的H
FE
。因此，利用余
EBO
而不是V
（ BR ） EBO
。这些设备也容易被破坏
静电放电及在它们被使用的电路中的瞬变。此外， CMOS处理程序应使用。
V
BE
V
CE坐
V
BE坐
V
CE
= 6V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 1毫安
12
8
20
-
-
-
-
40
-
0.62
-
0.74
20
10
-
-
-
-
110
150
150
0.71
0.13
-
-
-
-
10
1
100
-
-
-
0.82
0.50
0.94
V
V
V
V
V
V
A
A
nA
集电极衬底击穿电压V
（ BR ）首席信息官
发射极截止电流（注3 ）
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流正向电流传输比
I
EBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
2
CA3227
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，为200MHz ，共发射极，典型值仅供设计参考
符号
测试条件
典型
值
单位
动态特性每个晶体管
输入导纳
Y
11
b
11
g
11
输出导纳
Y
22
b
22
g
22
正向转移导纳
Y
21
Y
21
θ
21
反向传输导纳
Y
12
Y
12
θ
12
输入导纳
Y
11
b
11
g
11
输出导纳
Y
22
b
22
g
22
正向转移导纳
Y
21
Y
21
θ
21
反向传输导纳
Y
12
Y
12
θ
12
小信号正向电流传输比
h
21
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
典型电容在1MHz ，三端测量
集电极基极电容
集电极衬底电容
集电极到发射极电容
发射器基电容
C
CB
C
CI
C
CE
C
EB
V
CB
= 6V
V
CI
= 6V
V
CE
= 6V
V
EB
= 3V
0.3
1.6
0.4
0.75
pF
pF
pF
pF
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
4
0.75
2.7
0.13
29.3
-33
0.38
-97
4.8
2.85
2.75
0.9
95
-62
0.39
-97
7.1
17
mS
mS
mS
mS
mS
度
mS
度
mS
mS
mS
mS
mS
度
mS
度
SPICE模型
.MODEL NPN
+
+
+
+
+
+
+
+
（香料2G.6 ）
BF = 2.610E + 02
RC = 1.000E + 01
IK = 1.000E - 01
ISC = 9.25E - 14
CJS = 1.800E - 12
CJC = 9.100E - 13
AF = 1.000E + 00
MJS = 3.530E - 01
BR = 4.401E + 00
RE = 7.396E - 01
ISE = 1.87E - 14
NC = 1.333E + 00
CJE = 1.010E - 12
PC = 3.850E - 01
EF = 1.000E + 00
RBM = 30.00
IS = 6.930E - 16
VA = 6.300E + 01
NE = 1.653E + 00
TF = 1.775E - 11
PE = 8.350E - 01
MC = 2.740E - 01
FC = 5.000E - 01
RBV = 100
RB = 130.0E + 00
VB = 2.208E + 00
IKR = 1.000E - 02
TR = 1.000E - 09
ME = 4.460E - 01
KF = 0.000E + 00
PJS = 5.410E - 01
IRB = 0.00
请注意：未测量已经进行了建模的反向AC操作（ tr为估计） 。
3
QQ：2881677436 复制
