陶瓷引线电容
陶瓷引线电容
KEMET系列
演出信息
MIL-PRF-20
C052G/C062G/C114G/
C124G/192G/C202G/C222G
C052T/C062T/C114T/
C124T/192T/C202T/C222T
C052K/C062K/C114K/
C124K/192K/C202K/C222K
页面
1-6
陶瓷含铅
7-12
MIL-PRF-39014/01/02/05
13-18
MIL-C-11015
13-18
19-21
陶瓷引线封装
KEMET电子公司 P。O.箱5928 格林维尔， SC 29606 （ 864 ） 963-6300 www.kemet.com
多层陶瓷电容器应用笔记
电气特性
多层的基本电性能
陶瓷电容如下：
极性：
多层陶瓷电容并不是极，
并且可以使用与在任一方向施加的DC电压。
额定电压：
这个术语指的是最大CON-
连续的直流工作电压在整个允许
工作温度范围。多层陶瓷电容器
不向电压极其敏感，并简要应用
电压高于额定不会导致立即出现故障。
但是，可靠性将通过暴露于持续降低
以上的电压等级。
电容：
电容的标准单位是
法拉。对于实际的电容器，它通常表示为
微法拉（ 10
-6
法拉） ，纳法（ 10
-9
法拉） ，或皮法
(10
-12
法拉） 。标准测定条件
如下所示：
I类（高达1000 pF）时：
I类（超过1000 pF的） ：
II级：
第三类：
1MHz至1.2 VRMS
最大。
为1kHz和1.2 VRMS
最大。
1 kHz和1.0
1 kHz和0.5
0.2 Vrms的。
0.1 Vrms的。
同频率的电容的阻抗的变化
决定了它在许多应用中的有效性。
耗散因数：
损耗因数（ DF ）是测
请务必在交流下应用的电容器的损耗。它是
等效串联电阻与电容性电抗比
tance ，并且通常用百分比表示。它通常是测
与电容同时sured ，而根据同一
条件。图2中的向量图说明厘清
DF ，ESR和阻抗之间tionship 。倒数
耗散因子被称为“ Q”时，或品质因数。为
方便起见，所述的“Q”因数通常用于非常低的值
的损耗因数。 DF有时也被称为“损耗角正切”
或“切” ，因为来自于该图中。
图2
ESR
DF = ESR
Xc
X
c
O
δ
Ζ
1
Xc
=
2πfC
像所有其他的实际电容，积层陶瓷
电容器还具有电阻和电感。简化
原理图的等效电路示于图1中。
从产生的其他显著的电气特性
这些额外的性能如下：
图1
R
P
L
R
S
C
C =电容
L =电感
R =等效串联电阻（ ESR）的
S
R =绝缘电阻（IR）的
P
绝缘电阻：
绝缘电阻（IR ）是
直流电阻两端的电容器的端子测量
通过并联电阻（RP）在图1中所示来表示。
对于一个给定的介质类型，电极面积增加
电容，从而在所述绝缘电阻的降低
距离。因此，通常规定的绝缘电阻
为“RC” （ IR乘C ）产品，在欧姆法拉或条款
兆欧 - 微法。对于一个特定的绝缘电阻
电容值由通过将这个乘积来确定
的电容。然而，如标称电容值
变小，绝缘电阻，从所计算的
RC产品达到它们是不切实际的值。
因此， IR的规格通常包括一个迷你
妈妈RC的产品和计算上的红外线的最高限额
从该值。例如，一个典型的IR规格可能
读“ 1000兆欧微或100 gigohms为准
少“。
绝缘电阻是电容器的措施
抗蚀直流漏电流的流动。它有时也被称为
为“耐漏液性。”该直流泄漏电流可在
除以所加的电压通过绝缘计算
阻抗（欧姆定律） 。
绝缘耐电压：
介电withstand-
荷兰国际集团的电压（ DWV ）是峰值电压，该电压的电容器是
设计成能承受为很短的时间，而不损坏
年龄。所有KEMET多层陶瓷电容器将承受
2.5测试电压x额定电压为60秒。
这些特征在KEMET规格界限
标准测量条件显示第2页。
在这些特性的变化引起的变化的条件
温度，电压，频率和时间的被覆盖在
以下各节。
阻抗：
由于并联电阻（ RP）属于正常
马利非常高，电容器的总阻抗为：
Z=
哪里
R
S
+ (X
C
- X
L
)
2
2
Z =总阻抗
RS =等效串联电阻
X
C
=容抗=
1
2πfC
X
L
=感抗= 2πfL
1
KEMET电子公司 P。O.箱5928 格林维尔， SC 29606 （ 864 ） 963-6300 www.kemet.com
多层陶瓷电容器应用笔记
表1
EIA温度特性码
I级电介质
显著图
温度
系数
PPM元
摄氏度
信
符号
乘数的应用
温度
系数
多
PLIER
数
符号
宽容
温度
系数*
PPM元
摄氏度
信
符号
温度效应
+0.2
+0.1
0.20
%C
0
0.10
0.0
0.3
0.9
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
7.5
C
B
A
M
P
R
S
T
U
-1
-10
-100
-1000
-100000
+1
+10
+100
+1000
+10000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
3 0
60
120
250
500
1000
2500
G
H
J
K
L
M
N
-0.1
-0.2
-55
DF ％
-40
-20
0
+20
+40
+60
+80
+100
0.0
+125
网络连接gure 3 。
温度
°C
电容& DF与温度 - C0G
*这些对称的公差适用的两点测量
温度系数： 1 ，在25℃和1 85℃ 。有些偏差
被允许在较低温度下。例如， PPM的公差
为C0G在-55是+30 / -72 PPM 。
+20
+10
8.0
6.0
4.0
%C
0
-10
-20
-60
表2
EIA温度特性码
Ⅱ类& III介质
低温
等级
度
摄氏度
信
符号
DF ％
-40
-20
0
+20
+40
+60
2.0
0.0
+80 +100 +120 +140
高温最大电容
等级
移
度
摄氏度
数
符号
百分
信
符号
图4中。
温度
°C
电容& DF与温度 - X7R
+10C
-30C
-55C
Z
Y
X
+45C
+65C
+85C
+105C
+125C
+150C
+200C
2
4
5
6
7
8
9
±1.0%
±1.5%
±2.2%
±3.3%
±4.7%
±7.5%
±10.0%
±15.0%
±22.0%
+22 / -33%
+22 / -56%
+22 / -82%
A
B
C
D
E
F
P
R
S
T
U
V
特殊电气极限
参数
耗散因数：测量并且符合以下条件：
C0G - 1千赫和1 v有效如果电容> 1000pF的
1 MHz和1 v有效如果电容
≤
1000 pF的
X7R - 1 kHz和1 VRMS *或者扩大范围上限0.5 VRMS
介电强度： 2.5倍额定直流电压
绝缘电阻（IR ） ：在额定直流电压，
或取两者的较小
温度特性：范围， ℃，
无直流电压电容变化
* 1 MHz和1 v有效如果电容
≤
100 pF的军事产品。
温度特性
C0G
X7R
0.15%
2.5%
随后通过红外测试
1000 MΩ- μF
或100 GΩ
-55到+125
0 ± 30 PPM /°C的
1000 MΩ- μF
或100 GΩ
-55到+125
±15%
2
KEMET电子公司 P。O.箱5928 格林维尔， SC 29606 （ 864 ） 963-6300 www.kemet.com
DF ％
%C
DF ％
%C
多层陶瓷电容器应用笔记
影响的外加电压
％静电容量变化
+10
+5
0
-5
AC
DC
-10
4
3
2
1
0.1
1
10
％ D.F.
AC
DC
100
图6 。
AC或DC电压应用
1000 Hz的交流和直流电压等级的典型效应
电容和损耗因数 - X7R
注： C0G电介质电容和损耗因子
稳定的电压。
温度效应：
这两个电容和耗散
化因子受温度变化。该MAX-
imum电容随温度的变化是由定义
温度特性。但是，这仅限定一个“盒子”
由上，较低的工作温度范围内，并
最小和最大电容值。在这
“盒子” ，随温度的变化取决于出特殊
cific介质配方。为KEMET电容的典型曲线
器示于图3和图4，这些图还包括
在损耗因数的典型改变为KEMET电容。
随着温度的绝缘电阻下降。
通常情况下，以最大的绝缘电阻在额定temper-
ATURE是在25℃下的值的10％。
影响电压：
I类陶瓷电容不
受的变化施加的AC或DC电压。类
II和III的陶瓷电容，不同的电压只会影响
电容和损耗因数。 DC的应用
电压高于5伏直流高降低了该电容与
耗散因子。 AC应用电压高达10-20
真空趋于增加两个电容和耗散因数
在较高的AC电压，两者的电容和耗散因数
开始降低。
典型的曲线示出施加的AC和DC的效果
电压示于图6是KEMET X7R电容器。
影响频率：
频率会影响电容器
tance和耗散因数。为KEMET多的典型曲线
层陶瓷电容器示于图8和图9 。
同频率的阻抗的变化是一个祁门功夫，功夫
在多层陶瓷中的应用坦考虑
电容器。电容器的总阻抗是的矢量
容抗，感抗和等效串联电阻，如
在图2中示出当频率增加时，电容
电抗减小。然而，串联电感（ L）的
在图1中所示产生的感抗，从而
增加了与频率。在一些频率下，阻抗
不再是电容性和电感性变。这一点，在
V形阻抗对频率的底
曲线，是自谐振频率。在自谐振频
昆西，电抗是零，并且所述阻抗由
ESR的唯一。
典型的阻抗与频率的关系曲线KEMET
多层陶瓷电容器示于图10和11 。
这些曲线适用于KEMET电容器芯片的形式，而不
导致。铅配置和引线的长度有显著
上的串联电感的影响。引线电感是
大约10nH到/英寸，相对于它是大
电感的芯片。这个附加电感的影响
是减少在自谐振频率，并增加
在上述的电感性阻抗区域自谐振
频率。
作用时间：
II类和III的电容
电介质与时间，以及改变为与温度，电压
年龄和频率。这随时间变化的被称为“老化”。
它是由晶体结构的渐进重组
陶瓷介电材料，因为它是冷却到低于它的居里
温度，从而产生静电电容的损耗与时间。
衰老的过程是可以预测的，并遵循对数
腐烂。典型的老龄化率C0G和X7R电介质如
如下所示：
C0G
X7R
无
每时间十年2.0％
为X7R电介质老化的典型曲线显示在
图12 。
衰老的过程是可逆的。如果电容器是耐热
编到高于其居里点的温度下进行一段时间的
时间，会出现去老化和电容将重拾
在老化过程中电容量丢失。 DE-的量
衰老依赖于升高的温度下和两
的时间长度，在该温度下。暴露于150℃的单
半小时或125 ℃下两小时通常是足够的，返回
电容器到其初始值。
因为电容迅速，立即改变
去老化后，电容测量通常延迟
为至少10小时的去老化过程之后，这常常是
被称为“最后的热量。 ”此外，制造商利用
3
KEMET电子公司 P。O.箱5928 格林维尔， SC 29606 （ 864 ） 963-6300 www.kemet.com
QQ：2881677436 复制
