初步信息
CAT660
百毫安CMOS电荷泵逆变器/倍增
特点
I
替换MAX660和LTC660
I
转换V +为V形或V + 2V至+
I
低输出阻抗， 4Ω的典型
I
高功率EF网络效率
I
可选的电荷泵频率
I
低静态电流
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
I
引脚兼容，高电流的替代
7660/1044
I
工业温度范围
I
提供8引脚SOIC ， DIP到0.8mm超薄8
- 为10kHz或80kHz的
- 优化电容的大小
垫TDFN封装
- 无铅，无卤素封装选项
应用
I
负电压发生器
I
倍压
I
电压分配器
I
低EMI电源
I
砷化镓场效应管偏置
I
锂电池供电
I
仪器仪表
I
LCD对比度偏置
I
蜂窝式电话，寻呼机
描述
该CAT660是电荷泵电压转换器。它会
反转一个1.5V至5.5V输入到-1.5V至-5.5V输出。只
需要两个外部电容器。有保证
100mA输出电流能力，在CAT660可以代替
开关调节器和它的电感器。低EMI是
由于没有电感器的实现。
此外， CAT660可以双击所供给的电压
从电池或电源。从2.5V至5.5V的输入
将产生一个翻番， 5V至11V的输出电压。
频率控制引脚（ BOOST / FC）提供给
选择高（ 80kHz时）或低（ 10kHz时）内部
振荡器的频率，从而使静态电流与
要作出电容的大小取舍。在80kHz的
频率被选择时，对FC引脚连接到
V + 。的工作频率也可以与调节
一个外部电容器在OSC引脚或通过驱动OSC
与外部时钟。
8引脚DIP和SOIC封装，可在
工业级温度范围。 TDFN封装有
采用4x4mm足迹，并设有一个最大高度0.8mm 。
相较于8引脚SOIC的TDFN封装尺寸
少了近50 ％ 。对于模具的可用性，接触催化剂
半导体市场。
该CAT660替代MAX660和LTC660 。
此外， CAT660的管脚与7660兼容/
1044 ，与应用程序提供了一个简单的升级
百毫安负荷。
典型用途
VIN +
1.5V至5.5V
1
BOOST / FC
C1
+
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
倒
负
产量
电压
C1
+
1
BOOST / FC
2
CAP +
CAT660
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
倍增
积极
产量
电压
2
CAP +
3
GND
4
CAP-
CAT660
3
GND
4
CAP-
VIN = 2.5V至5.5V
高压变频器
积极
倍压
文档。 5000号，第ü
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
CAT660
绝对最大额定值
V +至GND ............................................... .............. 6V
存储温度......................... -65℃ 160℃
输入电压（引脚1,6和7 ） .. -0.3V到（V + + 0.3V ）
BOOST / FC和OSC输入电压...........最低
负（输出 - 0.3V ）或（ V + - 6V ）至（v + + 0.3V ）
输出短路持续时间为GND .............. 1秒。
（ OUT可以在不损坏接地短路1秒，但
短路输出到V + ，应该避免。 ）
引线焊接温度（ 10秒） ............. 300℃
注：t
A
=环境温度
这些仅仅是极限参数和功能操作不
暗示。暴露于prolongued绝对最大额定值
时间会影响器件的可靠性。所有的电压都是
相对于地面。
工作环境温度范围
CAT660E .............. -40 ° C至85°C
连续功率耗散（T
A
= 70°C)
塑料DIP ................................................ 730mW
SOIC ................................................. 500mW的........
TDFN ................................................. .............. 1W
电气特性
V + = 5V ， C1 = C2 = 150μF ，升压/ FC =打开，C
OSC
= 0pF ，换流器模式与测试电路，如图1 ，除非
另有说明。温度是在工作环境温度范围内，除非另有说明。
参数
电源电压
电源电流
输出电流
输出电阻
符号
VS
IS
IOUT
RO
条件
变频器： LV =打开。
L
= 1k
变频器： LV = GND 。
L
= 1k
倍增： LV = OUT 。
L
= 1k
BOOST / FC =开放， LV =打开
BOOST / FC = V + ， LV =打开
OUT比-4V负
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 150
F
（注2 ）
BOOST / FC = V + （ C1 ， C2的ESR
≤
0.5)
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 10
F
振荡器频率FOSC
（注3）
OSC输入电流
功率英法fi效率
IOSC
PE
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
R
L
= 1kΩ的连接在V +和
出，T
A
= 25
°
C（倍增）
R
L
= 500Ω连接GND之间
出，T
A
= 25
°
C（逆变器）
I
L
= 100mA至GND ，T
A
= 25
°
C（逆变器）
电压转换
效率
注意： 1。在图1中，测试电路的电容C1和C2是150μF ，具有0.2Ω最大ESR 。高ESR水平可能会降低效率和产出
电压。
注2.输出电阻是内部开关电阻和外部电容器的ESR的组合。为了获得最大的电压和效率
保持在0.2Ω外部电容的ESR 。
注3. FOSC是用C测试
OSC
= 100pF电容，以减少测试夹具装。该测试相关回来到C
OSC
= 0pF模拟电容
在OSC当该装置被插入到一个测试插座不带外部C
OSC
.
民
3.0
1.5
2.5
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
单位
V
0.09
0.3
100
4
0.5
3
mA
mA
7
12
5
40
10
80
±1
±5
千赫
A
%
96
92
98
96
88
VEFF
无负载，T
A
= 25
°
C
99
99.9
%
3
文档。 5000号，第ü
CAT660
图1.测试电路
V+
1
2
+
C1
150F
BOOST / FC
CAP +
GND
CAP-
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
IS
V+
5V
外
振荡器
COSC
RL
IL
VOUT
3
4
CAT660
高压变频器
C2
+ 150F
典型工作特性
使用测试电路在图1中逆变器的试验条件中产生的典型特性曲线： V + = 5V ，LV的
= GND ，升压/ FC =开放和T
A
= 25℃ ，除非另有说明。需要注意的是电荷泵频率为单
一半的振荡器频率。
电源电流与输入电压
150
电源电流与温度的关系（空载）
120
VIN = 5V
输入电流[A] 。
120
90
60
30
0
1
2
3
4
5
输入电压[V]的
6
空载
输入电流[ A]
100
80
60
40
20
0
-50 -25
VIN = 3V
VIN = 2V
0
25
50
75
100 125
输出电阻与输入电压
输出阻抗[ ] 。
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
输入电压[V]的
6
输出电阻与温度（ 50
负载）
8
7
6
100
负载
VIN = 2V
5
VIN = 3V
4
3
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
VIN = 5V
文档。 5000号，第ü
4
初步信息
CAT660
百毫安CMOS电荷泵逆变器/倍增
特点
I
替换MAX660和LTC660
I
转换V +为V形或V + 2V至+
I
低输出阻抗， 4Ω的典型
I
高功率EF网络效率
I
可选的电荷泵频率
I
低静态电流
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
I
引脚兼容，高电流的替代
7660/1044
I
工业温度范围
I
提供8引脚SOIC ， DIP到0.8mm超薄8
- 为10kHz或80kHz的
- 优化电容的大小
垫TDFN封装
- 无铅，无卤素封装选项
应用
I
负电压发生器
I
倍压
I
电压分配器
I
低EMI电源
I
砷化镓场效应管偏置
I
锂电池供电
I
仪器仪表
I
LCD对比度偏置
I
蜂窝式电话，寻呼机
描述
该CAT660是电荷泵电压转换器。它会
反转一个1.5V至5.5V输入到-1.5V至-5.5V输出。只
需要两个外部电容器。有保证
100mA输出电流能力，在CAT660可以代替
开关调节器和它的电感器。低EMI是
由于没有电感器的实现。
此外， CAT660可以双击所供给的电压
从电池或电源。从2.5V至5.5V的输入
将产生一个翻番， 5V至11V的输出电压。
频率控制引脚（ BOOST / FC）提供给
选择高（ 80kHz时）或低（ 10kHz时）内部
振荡器的频率，从而使静态电流与
要作出电容的大小取舍。在80kHz的
频率被选择时，对FC引脚连接到
V + 。的工作频率也可以与调节
一个外部电容器在OSC引脚或通过驱动OSC
与外部时钟。
8引脚DIP和SOIC封装，可在
工业级温度范围。 TDFN封装有
采用4x4mm足迹，并设有一个最大高度0.8mm 。
相较于8引脚SOIC的TDFN封装尺寸
少了近50 ％ 。对于模具的可用性，接触催化剂
半导体市场。
该CAT660替代MAX660和LTC660 。
此外， CAT660的管脚与7660兼容/
1044 ，与应用程序提供了一个简单的升级
百毫安负荷。
典型用途
VIN +
1.5V至5.5V
1
BOOST / FC
C1
+
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
倒
负
产量
电压
C1
+
1
BOOST / FC
2
CAP +
CAT660
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
倍增
积极
产量
电压
2
CAP +
3
GND
4
CAP-
CAT660
3
GND
4
CAP-
VIN = 2.5V至5.5V
高压变频器
积极
倍压
文档。 5000号，第ü
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
CAT660
绝对最大额定值
V +至GND ............................................... .............. 6V
存储温度......................... -65℃ 160℃
输入电压（引脚1,6和7 ） .. -0.3V到（V + + 0.3V ）
BOOST / FC和OSC输入电压...........最低
负（输出 - 0.3V ）或（ V + - 6V ）至（v + + 0.3V ）
输出短路持续时间为GND .............. 1秒。
（ OUT可以在不损坏接地短路1秒，但
短路输出到V + ，应该避免。 ）
引线焊接温度（ 10秒） ............. 300℃
注：t
A
=环境温度
这些仅仅是极限参数和功能操作不
暗示。暴露于prolongued绝对最大额定值
时间会影响器件的可靠性。所有的电压都是
相对于地面。
工作环境温度范围
CAT660E .............. -40 ° C至85°C
连续功率耗散（T
A
= 70°C)
塑料DIP ................................................ 730mW
SOIC ................................................. 500mW的........
TDFN ................................................. .............. 1W
电气特性
V + = 5V ， C1 = C2 = 150μF ，升压/ FC =打开，C
OSC
= 0pF ，换流器模式与测试电路，如图1 ，除非
另有说明。温度是在工作环境温度范围内，除非另有说明。
参数
电源电压
电源电流
输出电流
输出电阻
符号
VS
IS
IOUT
RO
条件
变频器： LV =打开。
L
= 1k
变频器： LV = GND 。
L
= 1k
倍增： LV = OUT 。
L
= 1k
BOOST / FC =开放， LV =打开
BOOST / FC = V + ， LV =打开
OUT比-4V负
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 150
F
（注2 ）
BOOST / FC = V + （ C1 ， C2的ESR
≤
0.5)
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 10
F
振荡器频率FOSC
（注3）
OSC输入电流
功率英法fi效率
IOSC
PE
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
R
L
= 1kΩ的连接在V +和
出，T
A
= 25
°
C（倍增）
R
L
= 500Ω连接GND之间
出，T
A
= 25
°
C（逆变器）
I
L
= 100mA至GND ，T
A
= 25
°
C（逆变器）
电压转换
效率
注意： 1。在图1中，测试电路的电容C1和C2是150μF ，具有0.2Ω最大ESR 。高ESR水平可能会降低效率和产出
电压。
注2.输出电阻是内部开关电阻和外部电容器的ESR的组合。为了获得最大的电压和效率
保持在0.2Ω外部电容的ESR 。
注3. FOSC是用C测试
OSC
= 100pF电容，以减少测试夹具装。该测试相关回来到C
OSC
= 0pF模拟电容
在OSC当该装置被插入到一个测试插座不带外部C
OSC
.
民
3.0
1.5
2.5
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
单位
V
0.09
0.3
100
4
0.5
3
mA
mA
7
12
5
40
10
80
±1
±5
千赫
A
%
96
92
98
96
88
VEFF
无负载，T
A
= 25
°
C
99
99.9
%
3
文档。 5000号，第ü
CAT660
图1.测试电路
V+
1
2
+
C1
150F
BOOST / FC
CAP +
GND
CAP-
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
IS
V+
5V
外
振荡器
COSC
RL
IL
VOUT
3
4
CAT660
高压变频器
C2
+ 150F
典型工作特性
使用测试电路在图1中逆变器的试验条件中产生的典型特性曲线： V + = 5V ，LV的
= GND ，升压/ FC =开放和T
A
= 25℃ ，除非另有说明。需要注意的是电荷泵频率为单
一半的振荡器频率。
电源电流与输入电压
150
电源电流与温度的关系（空载）
120
VIN = 5V
输入电流[A] 。
120
90
60
30
0
1
2
3
4
5
输入电压[V]的
6
空载
输入电流[ A]
100
80
60
40
20
0
-50 -25
VIN = 3V
VIN = 2V
0
25
50
75
100 125
输出电阻与输入电压
输出阻抗[ ] 。
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
输入电压[V]的
6
输出电阻与温度（ 50
负载）
8
7
6
100
负载
VIN = 2V
5
VIN = 3V
4
3
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
VIN = 5V
文档。 5000号，第ü
4
QQ：2881677436 复制
