BZX85-Series
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威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于与稳定和削波电路
高功率等级
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更换后缀“C”
以“ B”为± 2 ％容差
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.7至100
2.7 80
脉冲电流
单身
单位
V
mA
应用
电压稳定
订购信息
设备名称
BZX85-series
BZX85-series
订购代码
BZX85-series-TR
BZX85-series-TAP
每卷胶带单位
5000 （上13"卷轴52毫米磁带）
5000元ammopack
（52毫米磁带）
最小起订量
25 000 /盒
25 000 /盒
包
包名称
DO-41
重量
310毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
有效的提供，导致在4mm的距离
从壳体被保持在环境温度下
请参阅表“电气特性”。
有效的提供，导致在4mm的距离
从壳体被保持在环境温度下
R
thJA
T
j
T
英镑
110
175
- 55 + 175
K / W
°C
°C
符号
P
合计
价值
1300
单位
mW
2.1版， 22 -NOV- 11
文档编号： 85607
1
您所在区域内的技术问题：
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本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX85-Series
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威世半导体
温度
系数
齐纳二极管
电压
α
VZ
在我
ZT1
%/°C
马克斯。
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
< 3000
< 3000
< 3000
分钟。
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
马克斯。
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
360
330
300
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
BZX85C2V7
BZX85C3V0
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
96
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
80
87
96
106
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
＆ LT ; 150
＆ LT ; 100
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
LAEKAGE
当前
I
R
在V
R
μA
V
马克斯。
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 15
＆ LT ; 13
＆ LT ; 13
＆ LT ; 10
<7
<4
＆ LT ; 3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 24
＆ LT ; 25
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 35
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 90
＆ LT ; 115
＆ LT ; 120
＆ LT ; 125
＆ LT ; 130
＆ LT ; 135
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 350
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Ω
(3)
可受理
齐纳
当前
(2)
I
Z
mA
Z
ZK
在我
ZT2
笔记
(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
(3)
测得F = 1千赫
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威世半导体
温度
系数
齐纳二极管
电压
α
VZ
在我
ZT1
%/°C
马克斯。
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
< 3000
< 3000
< 3000
分钟。
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
马克斯。
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
360
330
300
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
BZX85B2V7
BZX85B3V0
BZX85B3V3
BZX85B3V6
BZX85B3V9
BZX85B4V3
BZX85B4V7
BZX85B5V1
BZX85B5V6
BZX85B6V2
BZX85B6V8
BZX85B7V5
BZX85B8V2
BZX85B9V1
BZX85B10
BZX85B11
BZX85B12
BZX85B13
BZX85B15
BZX85B16
BZX85B18
BZX85B20
BZX85B22
BZX85B24
BZX85B27
BZX85B30
BZX85B33
BZX85B36
BZX85B39
BZX85B43
BZX85B47
BZX85B51
BZX85B56
BZX85B62
BZX85B68
BZX85B75
BZX85B82
BZX85B91
BZX85B100
2.64
2.94
2.24
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
80.4
89.2
98
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
2.76
3.06
3.36
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
83.6
92.8
102
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
＆ LT ; 150
＆ LT ; 100
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
LAEKAGE
当前
I
R
在V
R
μA
V
马克斯。
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 15
＆ LT ; 13
＆ LT ; 13
＆ LT ; 10
<7
<4
＆ LT ; 3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 24
＆ LT ; 25
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 35
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 90
＆ LT ; 115
＆ LT ; 120
＆ LT ; 125
＆ LT ; 130
＆ LT ; 135
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 350
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Ω
(3)
可受理
齐纳
当前
(2)
I
Z
mA
Z
ZK
在我
ZT2
笔记
(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
(3)
测得F = 1千赫
2.1版， 22 -NOV- 11
文档编号： 85607
3
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受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX85-Series
www.vishay.com
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
° C / W
10
3
5
4
3
2
威世半导体
° C / W
200
r
THA
10
2
5
4
3
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
THA
100
马克斯。
典型值。
10
5
4
3
2
t
P
v
=
T
P
___
t
T
P
I
1
10
-5
0
10
-1
t
P
1
10 s
18458
10
-4
10
-3
10
-2
0
10
20
导线长度
30 mm
18461
图。 1 -
脉冲热电阻与脉冲宽度
图。 4 -
热敏电阻与导线长度
Ω
10
3
7
5
4
W
2
r
zj
3
2
P
合计
56
10
2
7
5
4
3
2
43
1
10
0.1
0
2
3 4 5
1
2
3 4 5
10毫安
18459
0
100
T
AMB
200 °C
18462
I
Z
图。 2 -
动态电阻与齐纳电流
图。 5 -
受理的功耗与环境温度
Ω
100
7
5
4
3
2
Ω
10
3
5
4
3
2
r
zj
r
zj
43
36
30
24
22
18
10
2
5
4
3
2
5V1
4V3
18
12
10
7
5
4
3
2
10
5
4
3
2
6V2
10
7V5
1
1
1
2
3 4 5
10
2
3 4 5
百毫安
18460
1
2
3 4 5 7
10
2
3 4 5
7
百毫安
I
Z
I
Z
18463
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
动态电阻与齐纳电流
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4
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BZX85-Series
www.vishay.com
威世半导体
mA
240
200
I
Z
160
120
80
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
图。 7 -
击穿特性
3V9
4V7
5V6
6V8
8V2
10
12
T
j
= 25 °C
10 11 12 13 14 15
V
18456
mA
60
50
I
Z
40
33
15
18
22
27
T
j
= 25 °C
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
Z
图。 8 -
击穿特性
39
47
35
40
45 50
V
18457
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO-41
阴极鉴定
0.86（ 0.034 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
4.1 （ 0.161 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
94 9368
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2.6 （ 0.102 ）最大。
BZX85B系列
V
Z
:
3.6 200V
P
D
:
1.3W
产品特点：
硅平面功率齐纳二极管。
对于使用稳定，并具有较高的削波电路
额定功率。
标准齐纳电压容差
±
2%
其他公差可根据要求提供。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
DO - 41玻璃
(DO-204AL)
0.102 （2.6）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.161 (4.1)
马克斯。
0.034 （ 0.86 ）最高。
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据：
案例：
DO- 41玻璃柜
重量：
约。 0.35克
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
最大正向电压在我
F
= 200毫安。
在大功耗= 25°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
V
F
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
1.2
1.3
(1)
符号
价值
单位
V
W
° C / W
°C
°C
130
(1)
175
-55 + 175
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离的3/8“被保持在环境温度。
第1页2
启示录04 ： 2005年3月25日
电气特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
TYPE
数
BZX85B3V6
BZX85B3V9
BZX85B4V3
BZX85B4V7
BZX85B5V1
BZX85B5V6
BZX85B6V2
BZX85B6V8
BZX85B7V5
BZX85B8V2
BZX85B9V1
BZX85B10
BZX85B11
BZX85B12
BZX85B13
BZX85B15
BZX85B16
BZX85B18
BZX85B20
BZX85B22
BZX85B24
BZX85B27
BZX85B30
BZX85B33
BZX85B36
BZX85B39
BZX85B43
BZX85B47
BZX85B51
BZX85B56
BZX85B62
BZX85B68
BZX85B75
BZX85B82
BZX85B91
BZX85B100
BZX85B110
BZX85B120
BZX85B130
BZX85B150
BZX85B160
BZX85B180
BZX85B200
额定齐纳
(1)
电压
V
Z
@ I
ZT
(V)
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
I
ZT
（MA ）
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.7
2.7
2.7
2.7
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
最大齐纳
阻抗， F = 1kHz时
Z
ZT
@ I
ZT
()
15
15
13
13
10
7.0
4.0
3.5
3.0
5.0
5.0
7.0
8.0
9.0
10
10
15
20
24
25
25
30
30
35
40
50
50
90
115
120
125
130
135
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
Z
ZK
@ I
ZK
()
500
500
500
500
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1000
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
I
ZK
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向最大DC
漏电流稳压电流
I
R
@ V
R
(
A)
20
10
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
I
ZM
(2)
（MA ）
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
8.6
7.8
7.0
6.4
5.8
5.2
4.7
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
α
延髓
(% /
°C)
分钟。
-0.08
-0.07
-0.05
-0.03
-0.01
0
0.010
0.015
0.020
0.030
0.040
0.450
0.045
0.045
0.050
0.055
0.055
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
马克斯。
-0.05
-0.02
0.010
0.040
0.040
0.045
0.055
0.060
0.065
0.070
0.075
0.080
0.080
0.085
0.085
0.090
0.090
0.090
0.090
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
注意事项：
（ 1 ）测得脉冲TP = 5毫秒
（2）在从情况下的距离为10毫米有效的规定，引线被保持在环境温度
（3）中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差
±
2%.
第2页2
启示录04 ： 2005年3月25日
BZX85B...
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号85607
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (5)
BZX85B...
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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第3版， 01 -APR- 99
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5 (5)
BZX85B
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
额定功率。
最大。 0.7
马克斯。 2.8
分钟。 25.4
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
XXX
ST
马克斯。 4.2
分钟。 25.4
玻璃外壳DO- 41
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
1.3
1)
单位
W
O
200
- 55至+ 200
C
C
O
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 200毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
130
1)
1.2
单位
K / W
V
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
BZX85B
特点在T
a
= 25
O
C
齐纳电压范围
1)
TYPE
V
ZNOM
V
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
l
ZT
mA
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
为
V
ZT
V
4.99…5.2
5.49…5.71
6.07…6.32
6.66…6.94
7.35…7.65
8.04…8.36
8.92…9.28
9.8…10.2
10.8…11.2
11.8…12.2
12.7…13.3
14.7…15.3
15.7…16.3
17.6…18.4
19.6…20.4
21.6…22.5
23.5…24.5
26.4…27.6
29.4…30.6
32.3…33.7
35.2…36.8
38.2…39.8
42.1…43.9
46…48
最大动态性
r
ZJT
10
7
4
3.5
3
5
5
7
8
9
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
40
50
50
90
r
张家口
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1000
1500
在我
ZK
mA
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向
漏电流
I
R
A
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
在V
R
V
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
BZX85B5V1
BZX85B5V6
BZX85B6V2
BZX85B6V8
BZX85B7V5
BZX85B8V2
BZX85B9V1
BZX85B10
BZX85B11
BZX85B12
BZX85B13
BZX85B15
BZX85B16
BZX85B18
BZX85B20
BZX85B22
BZX85B24
BZX85B27
BZX85B30
BZX85B33
BZX85B36
BZX85B39
BZX85B43
BZX85B47
1)
测试了脉冲吨
p
= 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
BZX85-Series
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于稳定和削波电路
e2
具有高的额定功率
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更换后缀"C"
与"B"为± 2 ％容差
铅（Pb） -free组件
按照RoHS组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
17173
应用
电压稳定
机械数据
案例：
DO41玻璃案例
重量：
约。 310毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 25 K /箱TR / 5 K.
每个弹药盒（52毫米磁带） ， 25 K /盒TAP / 5 K.
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流
（见表"Electrical Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.3
1)
W
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
110
1)
175
- 55 + 175
单位
K / W
°C
°C
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
文档编号85607
修订版1.8 ， 5月31日 - 07
www.vishay.com
1
BZX85-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压
范围
1)
动态电阻
温度
系数
of
齐纳电压
在我
ZK
mA
民
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
α
VZ
在我
Z
= I
ZT
%/°C
最大
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
反向漏电流容许齐纳
当前
当前
2)
V
Z
在我
ZT
V
民
BZX85C2V7
BZX85C3V0
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
1)
2)
3)
r
ZT3)
Ω
在我
ZT
mA
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
r
ZK3)
Ω
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
< 3000
< 3000
< 3000
在我
R
A
＆ LT ; 150
＆ LT ; 100
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
I
Z
mA
360
330
300
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
最大
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
80
87
96
106
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 15
＆ LT ; 13
＆ LT ; 13
＆ LT ; 10
<7
<4
＆ LT ; 3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 24
＆ LT ; 25
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 35
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 90
＆ LT ; 115
＆ LT ; 120
＆ LT ; 125
＆ LT ; 130
＆ LT ; 135
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 350
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
96
测量脉冲牛逼
p
= 5毫秒
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
测得F = 1千赫
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2
文档编号85607
修订版1.8 ， 5月31日 - 07
BZX85-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压
范围
1)
动态电阻
温度
系数
of
齐纳电压
在我
ZK
mA
民
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
α
VZ
在我
Z
= I
ZT
%/°C
最大
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
反向漏电流容许齐纳
当前
当前
2)
V
Z
在我
ZT
V
民
BZX85B2V7
BZX85B3V0
BZX85B3V3
BZX85B3V6
BZX85B3V9
BZX85B4V3
BZX85B4V7
BZX85B5V1
BZX85B5V6
BZX85B6V2
BZX85B6V8
BZX85B7V5
BZX85B8V2
BZX85B9V1
BZX85B10
BZX85B11
BZX85B12
BZX85B13
BZX85B15
BZX85B16
BZX85B18
BZX85B20
BZX85B22
BZX85B24
BZX85B27
BZX85B30
BZX85B33
BZX85B36
BZX85B39
BZX85B43
BZX85B47
BZX85B51
BZX85B56
BZX85B62
BZX85B68
BZX85B75
BZX85B82
BZX85B91
BZX85B100
1)
2)
3)
r
ZT3)
Ω
在我
ZT
mA
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
r
ZK3)
Ω
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
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R
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
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7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
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56
62
68
75
I
Z
mA
360
330
300
290
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215
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190
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130
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97
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79
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9.4
最大
2.76
3.06
3.36
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
83.6
92.8
102
＆ LT ; 20
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2.64
2.94
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3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
80.4
89.2
98
测量脉冲牛逼
p
= 5毫秒
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
测得F = 1千赫
文档编号85607
修订版1.8 ， 5月31日 - 07
www.vishay.com
3
BZX85B...
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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第3版， 01 -APR- 99
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