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> BYD32G
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D423
BYD32系列
快速软恢复控制
雪崩整流器器
初步speci fi cation
1998年12月3日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
快速软恢复控制
雪崩整流器器
特点
玻璃钝化
较高的最大工作
温度
低漏电流
卓越的稳定性
保证雪崩能量
吸收能力
提供弹药包。
MGL571
BYD32系列
密封和疲劳免费
为扩大所有的系数
使用部分匹配。
（1） Implotec是飞利浦公司的商标。
描述
腔免费的圆柱形玻璃SOD 120
包通过Implotec
(1)
技术。这个包是
手册， halfpage
k
a
Fig.1简化外形（ SOD120 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
RRM
BYD32D
BYD32G
BYD32J
V
R
连续反向电压
BYD32D
BYD32G
BYD32J
I
F（ AV ）
平均正向电流
T
AMB
= 25
°C;
印刷电路板
安装，间距5mm时，看到图6 ;
平均超过任何20毫秒的时间;
见图2
T = 10 ms半正弦波;
T
j
= 25
°C;
V
R
= V
RRMmax
看科幻G.3
200
400
600
0.76
V
V
V
A
参数
反向重复峰值电压
200
400
600
V
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
I
FSM
T
英镑
T
j
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
65
65
15
+175
+175
A
°C
°C
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
t
rr
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
V
R
= V
RRMmax
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 165
°C;
见图5
从我开机时，
F
= 0.5 A至I
R
= 1 A;
测量我
R
= 0.25 A;见图7
条件
I
F
= 1 ;见图4
马克斯。
1.3
1
100
250
V
A
A
ns
单位
1998年12月3日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
快速软恢复控制
雪崩整流器器
热特性
符号
R
日J-一
记
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
BYD32系列
价值
150
单位
K / W
1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚;铜层的厚度
≥40 m,
螺距5毫米;见图6 。
1998年12月3日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
快速软恢复控制
雪崩整流器器
图形数据
MDA809
BYD32系列
手册， halfpage
0.8
IF （ AV ）
(A)
0.6
200
手册， halfpage
Tj
(°C)
160
MDA813
120
G
0.4
80
0.2
40
J
0
0
40
80
120
200
160
TAMB （ ° C）
0
0
200
400
VR （ V）
600
A = 1.42 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
设备安装，如图6所示。
Fig.2
最大允许正向平均
当前环境温度的函数的
（包括因损失反向漏） 。
Fig.3
最大允许结温
作为反向电压的函数。
手册， halfpage
10
IF
MDA818
10
2
手册， halfpage
IR
(A)
10
MDA823
(A)
8
6
1
4
10
1
2
0
0
1
2
VF （ V）
3
10
2
0
40
80
120
160
200
TJ （ ° C）
实线：T已
j
= 25
°C.
虚线：T已
j
= 175
°C.
V
R
= V
RRMmax
.
Fig.4
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.5
反向电流交界处的函数
温度;典型值。
1998年12月3日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
快速软恢复控制
雪崩整流器器
BYD32系列
手册， halfpage
50
5
3
50
2
3
MBK812
尺寸（mm） 。
图6器件安装在一块印刷电路板。
手册，全页宽
DUT
+
IF
(A)
0.5
1
吨RR
10
25 V
50
0
0.25
0.5
IR
(A)
1.0
t
MAM057
输入阻抗示波器： 1 MΩ ， 22 pF的;吨
r
≤
7纳秒。
源阻抗： 50
;
t
r
≤
15纳秒。
图7测试电路和反向恢复时间波形和定义。
1998年12月3日
5
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