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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第685页 > BZX84C2V7ET1G
BZX84CxxxET1G系列，
SZBZX84CxxxET1G系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
规格特点
http://onsemi.com
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳击穿电压范围
2.4 V至75 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
峰值功率
225 W (8
X
20
女士）
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
无铅包可用*
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
SOT23
CASE 318
风格8
3
阴极
1
阳极
标记图
XXX M
G
G
1
xxx
M
G
=器件代码
=日期代码*
= Pb-Free包装
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
25C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
A
= 25C
25°C以上降额
热阻，结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注3） @ T
A
= 25C
25°C以上降额
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
225
单位
W
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
225
1.8
556
300
2.4
417
65
to
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
BZX84CxxxET1G
SZBZX84CxxxET1G
BZX84CxxxET3G
SZBZX84CxxxET3G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
按照图9 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
2012年1月
启8
1
出版订单号：
BZX84C2V4ET1/D
BZX84CxxxET1G系列， SZBZX84CxxxET1G系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25C
除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
I
F
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
BZX84CxxxET1G系列， SZBZX84CxxxET1G系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
@ I
ZT1
= 5毫安
（注4 ）
设备*
BZX84C2V4ET1G
BZX84C2V7ET1G
BZX84C3V0ET1G
BZX84C3V3ET1G
BZX84C3V6ET1G
BZX84C3V9ET1G
BZX84C4V3ET1G
BZX84C4V7ET1G
BZX84C5V1ET1G
BZX84C5V6ET1G
BZX84C6V2ET1G
BZX84C6V8ET1G
BZX84C7V5ET1G
BZX84C8V2ET1G
BZX84C9V1ET1G
BZX84C10ET1G
BZX84C11ET1G
BZX84C12ET1G
BZX84C13ET1G
BZX84C15ET1G
BZX84C16ET1G
BZX84C18ET1G
BZX84C20ET1G
BZX84C22ET1G
BZX84C24ET1G
设备
记号
BA1
BA2
BA3
BA4
BA5
BA6
BA7
BA9
BB1
BB2
BB3
BB4
BB5
BB6
BB7
BB8
BB9
BC1
BC2
BC3
BC4
BC5
BC6
BC7
BC8
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1
mA
（注4 ）
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
（注4 ）
民
2.6
3.0
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5.0
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
最大
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8.0
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
最大
反向
泄漏
当前
V
I
R
@
R
(V)
mA
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
q
VZ
C（ pF）的
（毫伏/ K）的
@
@ I
ZT1
± 5毫安
V
R
= 0
f=
最小值最大值为1 MHz
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
0
0
0
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
Z
ZT1
(W)
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
Z
ZT2
(W)
@ I
ZT2
=
1毫安
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT3
(W)
@
I
ZT3
=
20毫安
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
设备*
BZX84C27ET1G
BZX84C30ET1G
BZX84C33ET1G
BZX84C36ET1G
BZX84C39ET1G
BZX84C43ET1G
BZX84C47ET1G
BZX84C51ET1G
BZX84C56ET1G
BZX84C62ET1G
BZX84C68ET1G
BZX84C75ET1G
设备
记号
BC9
BD1
BD2
BD3
BD4
BK6
BD5
BD6
BD7
BD8
BD9
BE1
民
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
下面
@ I
ZT2
=
0.1毫安
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
民
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
最大
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大
反向
泄漏
当前
V
I
R
@
R
(V)
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
q
VZ
（毫伏/ K）的
下面
@ I
ZT1
= 2
mA
民
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C（ pF）的
@ V
R
=0
f=
1兆赫
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度
*适用包括SZ-前缀的设备。
http://onsemi.com
3
BZX84CxxxET1G系列， SZBZX84CxxxET1G系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
典型的牛逼
C
值
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
图2.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
1000
ZT ，动态阻抗（
)
I
Z
= 1毫安
T
J
= 255C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75C 25C
0C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
http://onsemi.com
4
BZX84CxxxET1G系列， SZBZX84CxxxET1G系列
典型特征
1000
0 V BIAS
C，电容（pF ）
1 V BIAS
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
T
A
= 25C
1000
I R ，漏电流（
A)
100
10
1
0.1
+150C
0.01
+ 25C
55C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
80
90
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
0.00001
图5.典型电容
100
100
I Z ，齐纳电流（mA）
图6.典型漏电流
T
A
= 25C
T
A
= 25C
I Z ，齐纳电流（mA）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
0.01
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图7.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
t
P
图8.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
60
80
吨，时间（ ms）的
图9. 8
20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
5
BZX84CxxxET1G系列，
SZBZX84CxxxET1G系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
规格特点
http://onsemi.com
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳击穿电压范围
2.4 V至75 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
峰值功率
225 W (8
X
20
女士）
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
无铅包可用*
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
SOT23
CASE 318
风格8
3
阴极
1
阳极
标记图
XXX M
G
G
1
xxx
M
G
=器件代码
=日期代码*
= Pb-Free包装
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
25C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
A
= 25C
25°C以上降额
热阻，结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注3） @ T
A
= 25C
25°C以上降额
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
225
单位
W
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
225
1.8
556
300
2.4
417
65
to
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
BZX84CxxxET1G
SZBZX84CxxxET1G
BZX84CxxxET3G
SZBZX84CxxxET3G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
按照图9 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
2012年1月
启8
1
出版订单号：
BZX84C2V4ET1/D
BZX84CxxxET1G系列， SZBZX84CxxxET1G系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25C
除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
I
F
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
BZX84CxxxET1G系列， SZBZX84CxxxET1G系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
@ I
ZT1
= 5毫安
（注4 ）
设备*
BZX84C2V4ET1G
BZX84C2V7ET1G
BZX84C3V0ET1G
BZX84C3V3ET1G
BZX84C3V6ET1G
BZX84C3V9ET1G
BZX84C4V3ET1G
BZX84C4V7ET1G
BZX84C5V1ET1G
BZX84C5V6ET1G
BZX84C6V2ET1G
BZX84C6V8ET1G
BZX84C7V5ET1G
BZX84C8V2ET1G
BZX84C9V1ET1G
BZX84C10ET1G
BZX84C11ET1G
BZX84C12ET1G
BZX84C13ET1G
BZX84C15ET1G
BZX84C16ET1G
BZX84C18ET1G
BZX84C20ET1G
BZX84C22ET1G
BZX84C24ET1G
设备
记号
BA1
BA2
BA3
BA4
BA5
BA6
BA7
BA9
BB1
BB2
BB3
BB4
BB5
BB6
BB7
BB8
BB9
BC1
BC2
BC3
BC4
BC5
BC6
BC7
BC8
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1
mA
（注4 ）
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
（注4 ）
民
2.6
3.0
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5.0
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
最大
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8.0
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
最大
反向
泄漏
当前
V
I
R
@
R
(V)
mA
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
q
VZ
C（ pF）的
（毫伏/ K）的
@
@ I
ZT1
± 5毫安
V
R
= 0
f=
最小值最大值为1 MHz
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
0
0
0
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
Z
ZT1
(W)
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
Z
ZT2
(W)
@ I
ZT2
=
1毫安
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT3
(W)
@
I
ZT3
=
20毫安
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
设备*
BZX84C27ET1G
BZX84C30ET1G
BZX84C33ET1G
BZX84C36ET1G
BZX84C39ET1G
BZX84C43ET1G
BZX84C47ET1G
BZX84C51ET1G
BZX84C56ET1G
BZX84C62ET1G
BZX84C68ET1G
BZX84C75ET1G
设备
记号
BC9
BD1
BD2
BD3
BD4
BK6
BD5
BD6
BD7
BD8
BD9
BE1
民
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
下面
@ I
ZT2
=
0.1毫安
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
民
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
最大
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大
反向
泄漏
当前
V
I
R
@
R
(V)
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
q
VZ
（毫伏/ K）的
下面
@ I
ZT1
= 2
mA
民
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C（ pF）的
@ V
R
=0
f=
1兆赫
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度
*适用包括SZ-前缀的设备。
http://onsemi.com
3
BZX84CxxxET1G系列， SZBZX84CxxxET1G系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
典型的牛逼
C
值
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
图2.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
1000
ZT ，动态阻抗（
)
I
Z
= 1毫安
T
J
= 255C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75C 25C
0C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
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4
BZX84CxxxET1G系列， SZBZX84CxxxET1G系列
典型特征
1000
0 V BIAS
C，电容（pF ）
1 V BIAS
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
T
A
= 25C
1000
I R ，漏电流（
A)
100
10
1
0.1
+150C
0.01
+ 25C
55C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
80
90
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
0.00001
图5.典型电容
100
100
I Z ，齐纳电流（mA）
图6.典型漏电流
T
A
= 25C
T
A
= 25C
I Z ，齐纳电流（mA）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
0.01
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图7.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
t
P
图8.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
60
80
吨，时间（ ms）的
图9. 8
20
ms
脉冲波形
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B66243
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