BYW98-200
热阻
符号
Rth的第（j-一）
结到环境*
参数
价值
25
单位
° C / W
*在无限的散热器为10mm引线长度。
静态电气特性
符号
I
R
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
脉冲测试： * TP = 5毫秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
** TP = 380
s, δ
＆ LT ; 2 ％
为了评估损失使用下面的方程的导通：
2
P = 0.75× IF （ AV ） + 0.04 IF （ RMS）
分钟。
V
R
= V
RRM
典型值。
马克斯。
10
0.5
单位
A
mA
V
V
F
**
I
F
= 9A
I
F
= 3A
0.78
1.2
0.85
恢复特性
符号
t
rr
Q
rr
t
fr
V
FP
T
j
= 25°C
V
R
= 30V
T
j
= 25°C
V
R
≤
30V
测试条件
I
F
= 1A
I
F
= 3A
dI
F
/ DT = - 50A / μs的
dI
F
/ DT = - 20A / μs的
dI
F
/ DT = - 50A / μs的
dI
F
/ DT = - 50A / μs的
15
20
5
分钟。
典型值。
马克斯。
35
单位
ns
nC
ns
V
T
j
= 25°C
I
F
= 3A
测量1.1× V
F
最大
T
j
= 25°C
I
F
= 3A
2/5
BYW98-200
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流。
PF （AV） （W）的
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
IF （ AV ） （A ）
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
δ
= TP / T
T
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ=1
图。 2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） 。
IF （ AV ） （A ）
3.5
3.0
2.5
2.0
Rth(j-a)=75°C/W
Rth的第（j-一）= Rth的第（j-升）
1.5
1.0
tp
T
0.5
3.5
δ
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
3.0
0.0
0
25
图。 3 ：
热电阻与导线长度。
图。 4 ：
热阻抗交界处变化
环境与脉冲持续时间（建议垫
布局，环氧树脂FR4 ， E（铜） = 35微米） 。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
1.00
RTH （ ° C / W）
90
80
70
60
50
40
30
20
第r （J -1）
Rth的第（j-一）
δ
= 0.5
δ
= 0.2
0.10
δ
= 0.1
T
单脉冲
10
0
5
10
Lleads （毫米）
15
20
25
0.01
1E-1
1E+0
TP （多个）
1E+1
δ
= TP / T
tp
1E+2
5E+2
图。 5 ：
正向压降与前进
电流（最大值） 。
70.00
IFM （ A）
图。 6 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
C（ pF）的
100
Tj=100°C
（典型值）
F=1MHz
Tj=25°C
10.00
Tj=25°C
50
Tj=100°C
1.00
20
VR （ V）
10
1
10
100
200
VFM （ V）
0.10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
3/5
BYW98-200
包装机械数据
DO-201AD
B
A
B
C
注1
E
E
注1
D
D
注2
尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
25.40
5.30
1.30
1.25
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
9.50
英寸
分钟。
1.000
0.209
0.051
0.049
笔记
1 - 引线直径
D没有控制在区域E
2 - 的最小轴向长度内，装置可以是
放置其引线弯曲成直角是0.59" （15毫米）
马克斯。
0.374
订购代码
BYW98-200
BYW98-200RL
记号
BYW98-200
BYW98-200
包
DO-201AD
DO-201AD
重量
1.16 g.
1.16 g.
基地数量
600
1900
配送方式
箱
磁带和卷轴
白带表示阴极
环氧符合UL94 ， V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
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5/5
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高效快速恢复整流二极管
200V
3.0A
特点
非常低的导通损耗
开关损耗极小
低正向和反向恢复
时
最大额定值和电气特性
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
FRM
.
参数
反向重复峰值电压
正向重复峰值电流*
平均正向电流*
浪涌不重复正向电流
存储温度范围
最大工作结温
在10秒的最大无铅焊接温度的
从案例4毫米
tp=5
s
F=1KHz
TA = 75℃
δ
= 0.5
t
p
= 10ms的
正弦
价值
200
110
3
70
- 65至+ 150
150
230
单位
V
A
A
A
°C
°C
°C
I
F（ AV）
I
FSM
T
英镑
Tj
T
L
静态电气特性
符号
I
R
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
I
F
= 9A
I
F
= 3A
0.78
V
R
= V
RRM
分钟。
典型值。
马克斯。
10
0.5
1.2
0.85
单位
A
mA
V
V
F
**
恢复特性
符号
t
rr
Q
rr
t
fr
V
FP
T
j
= 25°C
V
R
= 30V
T
j
= 25°C
V
R
≤
30V
测试条件
I
F
= 1A
I
F
= 3A
dI
F
/ DT = - 50A / μs的
dI
F
/ DT = - 20A / μs的
dI
F
/ DT = - 50A / μs的
dI
F
/ DT = - 50A / μs的
15
20
5
分钟。
典型值。
马克斯。
35
单位
ns
nC
ns
V
T
j
= 25°C
I
F
= 3A
测量1.1× V
F
最大
T
j
= 25°C
I
F
= 3A
电子信箱： sales@taychipst.com
1 2
网站： www.taychipst.com
BYW98-200
高效快速恢复整流二极管
200V
3.0A
收视率和特性曲线
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流。
PF （AV） （W）的
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
IF （ AV ） （A ）
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
δ
= TP / T
T
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ=1
BYW98-200
图。 2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） 。
IF （ AV ） （A ）
3.5
3.0
2.5
2.0
Rth(j-a)=75°C/W
Rth的第（j-一）= Rth的第（j-升）
1.5
1.0
tp
T
0.5
3.5
δ
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
3.0
0.0
0
25
图。 3 ：
热电阻与导线长度。
RTH （ ° C / W）
90
80
70
60
50
40
30
20
第r （J -1）
Rth的第（j-一）
图。 4 ：
热阻抗交界处变化
环境与脉冲持续时间（建议垫
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
1.00
δ
= 0.5
δ
= 0.2
0.10
δ
= 0.1
T
单脉冲
10
0
5
10
Lleads （毫米）
15
20
25
0.01
1E-1
1E+0
TP （多个）
1E+1
δ
= TP / T
tp
1E+2
5E+2
图。 5 ：
正向压降与前进
电流（最大值） 。
70.00
IFM （ A）
图。 6 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
C（ pF）的
100
F=1MHz
Tj=25°C
Tj=100°C
（典型值）
10.00
Tj=25°C
50
Tj=100°C
1.00
20
VR （ V）
10
1
10
100
200
VFM （ V）
0.10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
图。 7 ：
反向恢复时间对的dI
F
/ DT 。
TRR （ NS ）
100
80
60
40
20
DIF / DT （ A / μs）内
0
1
10
100
Tj=25°C
IF=3A
90％的置信
Tj=100°C
Tj=100°C
图。 8 ：
峰值反向恢复电流对
dI
F
/ DT 。
2.5
2.0
1.5
1.0
Tj=25°C
IRM （ A）
IF=3A
90％的置信
Tj=100°C
Tj=100°C
0.5
0.0
DIF / DT （ A / μs）内
1
10
100
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2 2
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高效快速恢复整流二极管
热阻
符号
Rth的第（j-一）
结到环境*
参数
价值
25
单位
° C / W
*在无限的散热器为10mm引线长度。
静态电气特性
符号
I
R
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
脉冲测试： * TP = 5毫秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
** TP = 380
s, δ
＆ LT ; 2 ％
为了评估损失使用下面的方程的导通：
2
P = 0.75× IF （ AV ） + 0.04 IF （ RMS）
分钟。
V
R
= V
RRM
典型值。
马克斯。
10
0.5
单位
A
mA
V
V
F
**
I
F
= 9A
I
F
= 3A
0.78
1.2
0.85
恢复特性
符号
t
rr
Q
rr
t
fr
V
FP
T
j
= 25°C
V
R
= 30V
T
j
= 25°C
V
R
≤
30V
测试条件
I
F
= 1A
I
F
= 3A
dI
F
/ DT = - 50A / μs的
dI
F
/ DT = - 20A / μs的
dI
F
/ DT = - 50A / μs的
dI
F
/ DT = - 50A / μs的
15
20
5
分钟。
典型值。
马克斯。
35
单位
ns
nC
ns
V
T
j
= 25°C
I
F
= 3A
测量1.1× V
F
最大
T
j
= 25°C
I
F
= 3A
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邮箱： lge@luguang.cn
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高效快速恢复整流二极管
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流。
PF （AV） （W）的
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
IF （ AV ） （A ）
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
δ
= TP / T
T
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ=1
图。 2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） 。
IF （ AV ） （A ）
3.5
3.0
2.5
2.0
Rth(j-a)=75°C/W
Rth的第（j-一）= Rth的第（j-升）
1.5
1.0
tp
T
0.5
3.5
δ
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
3.0
0.0
0
25
图。 3 ：
热电阻与导线长度。
图。 4 ：
热阻抗交界处变化
环境与脉冲持续时间（建议垫
布局，环氧树脂FR4 ， E（铜） = 35微米） 。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
1.00
RTH （ ° C / W）
90
80
70
60
50
40
30
20
第r （J -1）
Rth的第（j-一）
δ
= 0.5
δ
= 0.2
0.10
δ
= 0.1
T
单脉冲
10
0
5
10
Lleads （毫米）
15
20
25
0.01
1E-1
1E+0
TP （多个）
1E+1
δ
= TP / T
tp
1E+2
5E+2
图。 5 ：
正向压降与前进
电流（最大值） 。
70.00
IFM （ A）
图。 6 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
C（ pF）的
100
Tj=100°C
（典型值）
F=1MHz
Tj=25°C
10.00
Tj=25°C
50
Tj=100°C
1.00
20
VR （ V）
10
1
10
100
200
VFM （ V）
0.10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
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