BZX84C2V4
THRU
BZX84C47
表面贴装
350mW的硅稳压二极管
2.4伏THRU 47伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BZX84C2V4
系列表面贴装硅稳压二极管。
这些高品质的电压调整二极管
设计用于工业，商业用途，
娱乐和计算机应用。
标记验证码：看标识代码开启
电气特性表
SOT- 23 CASE
最大额定值：
（ TA = 25° C除非另有说明）
功耗
工作和存储温度
热阻
符号
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
350
-65到+150
357
单位
mW
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25 ℃） ， VF = 0.9V最大@ IF = 10毫安对所有类型。
型号
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
最大
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.9
9.6
10.6
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
最大
反向
当前
最大最大
记号
齐纳
齐纳
CODE
电流电压
温度。
COEFF 。
IZM
mA
104
92
83
76
69
64
58
53
49
45
40
37
33
30
27
25
Θ
VZ
% / °C
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.05
-0.03
0.02
0.03
0.04
0.05
0.05
0.06
0.06
0.07
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
ZZT @ IZT
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
ZZK @ IZK
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
IR @ VR
A
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
伏VOLTS伏
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
公差代号
A
B
公差
±1%
±2%
产品型号标识
B Z X 84℃ 4V7
标称值码（即4.7伏）
公差代号
设备系列
R5 （ 2004年30月）
1.数据表
BZX84B系列
表面贴装硅稳压二极管
电压
4.3 - 39伏
动力
410毫瓦
SOT- 23
单位：英寸（毫米）
特点
平面模施工
410mW功耗
.056(1.40)
.047(1.20)
.119(3.00)
.110(2.80)
非常适合于自动装配程序
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
.007(.20)MIN
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
终端：每MIL -STD- 202G ，方法208
极性：参见下图
约。重量： 0.008克
安装位置：任意
.083(2.10)
.066(1.70)
.006(.15)
.002(.05)
.006(.15)MAX
.020(.50)
.013(.35)
最大额定值和电气特性
P AR M等
a
e
M AXI UM对于AR Volage ，D R P = ATI一千万
m
宽深
t
o
F
P流ERD我SI航标（ OT S A ） AT25
O
C
S·P I N ê
P EAK对于AR UR式C urent 8米每秒SI GL HAL
宽深
g
r , 3
否E
f
SI E- AVE superm带来的rtdl广告（ EDEC M等OD） （ OT S B ）
W
i
AE
J
h
否E
每吨R R昂热每TNG Juncton和S T geTem
ai
i
oa
AUE
S YM BOL
V
F
P
D
FSM
I
瓦尔ê
u
0.
9
410
2.
0
- 5 t +150
5 o
.044(1.10)
.035(0.90)
.103(2.60)
ü NIS
t
V
mW
A M PS
O
T
J
单身
（注三）
注意事项：
A.安装在5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.在8.3ms的，单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最大测量。
C.仅适用于结构的目的。
.086(2.20)
C
STAD-DEC.02.2004
PAGE 。 1
1.数据表
BZX84B系列
表面贴装硅稳压二极管
电压
4.3 - 39伏
动力
410毫瓦
SOT- 23
单位：英寸（毫米）
特点
平面模施工
410mW功耗
.056(1.40)
.047(1.20)
.119(3.00)
.110(2.80)
非常适合于自动装配程序
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
.007(.20)MIN
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
终端：每MIL -STD- 202G ，方法208
极性：参见下图
约。重量： 0.008克
安装位置：任意
.083(2.10)
.066(1.70)
.006(.15)
.002(.05)
.006(.15)MAX
.020(.50)
.013(.35)
最大额定值和电气特性
P AR M等
a
e
M AXI UM对于AR Volage ，D R P = ATI一千万
m
宽深
t
o
F
P流ERD我SI航标（ OT S A ） AT25
O
C
S·P I N ê
P EAK对于AR UR式C urent 8米每秒SI GL HAL
宽深
g
r , 3
否E
f
SI E- AVE superm带来的rtdl广告（ EDEC M等OD） （ OT S B ）
W
i
AE
J
h
否E
每吨R R昂热每TNG Juncton和S T geTem
ai
i
oa
AUE
S YM BOL
V
F
P
D
FSM
I
瓦尔ê
u
0.
9
410
2.
0
- 5 t +150
5 o
.044(1.10)
.035(0.90)
.103(2.60)
ü NIS
t
V
mW
A M PS
O
T
J
单身
（注三）
注意事项：
A.安装在5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.在8.3ms的，单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最大测量。
C.仅适用于结构的目的。
.086(2.20)
C
STAD-DEC.02.2004
PAGE 。 1
BZX84C2V4
THRU
BZX84C47
表面贴装
350mW的硅稳压二极管
2.4伏THRU 47伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BZX84C2V4
系列表面贴装硅稳压二极管。
这些高品质的电压调整二极管
设计用于工业，商业用途，
娱乐和计算机应用。
标记验证码：看标识代码开启
电气特性表
SOT- 23 CASE
最大额定值：
（ TA = 25° C除非另有说明）
功耗
工作和存储温度
热阻
符号
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
350
-65到+150
357
单位
mW
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25 ℃） ， VF = 0.9V最大@ IF = 10毫安对所有类型。
型号
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
最大
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.9
9.6
10.6
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
最大
反向
当前
最大最大
记号
齐纳
齐纳
CODE
电流电压
温度。
COEFF 。
IZM
mA
104
92
83
76
69
64
58
53
49
45
40
37
33
30
27
25
Θ
VZ
% / °C
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.05
-0.03
0.02
0.03
0.04
0.05
0.05
0.06
0.06
0.07
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
ZZT @ IZT
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
ZZK @ IZK
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
IR @ VR
A
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
伏VOLTS伏
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
公差代号
A
B
公差
±1%
±2%
产品型号标识
B Z X 84℃ 4V7
标称值码（即4.7伏）
公差代号
设备系列
R5 （ 2004年30月）
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BZX84C2V4
THRU
BZX84C(B)51
硅
350 mWatt
齐纳二极管
特点
平面模具结构
350mW的功耗
齐纳电压从2.4V - 51V
非常适合于自动装配程序
机械数据
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V -0和MSL等级1
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
重量： 0.008克（约）
F
E
A
D
SOT-23
C
B
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
最大正向
V
F
Voltage@IF=10mA
功耗
P
（AV）
（注意事项】 ）
操作和
T
J
, T
英镑
存储
温度
峰值正向浪涌我
FSM
电流（ NoteB ）
热阻
（注三）
RthJA
0.9
350
-55 ℃
+150
o
C
2.0
357
o
V
mWatt
G
K
H
J
L
尺寸
o
A
C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
.007
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
.020
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
.20
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
.50
记
注意事项：
A.安装在5.0平方毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.在8.3ms经单半正弦波或测量
相当于方波，占空比= 4个脉冲每
分最高。
C.有效提供的终端被保持在环境
温度
*引脚配置 - 顶视图
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
.037
.950
.037
.950
修订： 13
www.mccsemi.com
1作者：
6
2009/04/09
MCC
BZX84C2V4通BZX84C51
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
o
TM
微型商业组件
额定齐纳电压
产品型号
记号
喃。
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
VZ（ V） @我
ZT
分钟。
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40.85
44.65
48.45
马克斯。
2.52
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
45.15
49.35
53.55
马克斯。齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
欧姆
mA
100
5
100
5
95
5
95
5
90
5
90
5
90
5
80
5
60
5
40
5
10
5
15
5
15
5
15
5
15
5
20
5
20
5
25
5
30
5
30
5
40
5
45
5
55
5
55
5
70
5
80
2
80
2
80
2
90
2
130
2
150
5
170
5
100
5
Z
ZK
@ I
ZK
欧姆
mA
600
1
600
1
600
1
600
1
600
1
600
1
600
1
500
1
480
1
400
1
150
1
80
1
80
1
80
1
100
1
150
1
150
1
150
1
170
1
200
1
200
1
225
1
225
1
250
1
250
1
300
1
300
1
325
1
350
1
350
1
375
1
375
1
400
1
O
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
W1/Z11
W2/Z12
W3/Z13
W4/Z14
W5/Z15
W6/Z16
W7/Z17
W8/Z1
W9/Z2
WA/Z3
WB/Z4
WC/Z5
WD/Z6
WE/Z7
WF/Z8
WG/Z9
WH/Y1
WI/Y2
WK/Y3
WL/Y4
WM / Y5
WN/Y6
WO/Y7
WP/Y8
WR/Y9
WS/Y10
WT / Y11
WU/Y12
WW/Y13
WX/Y14
WY
WZ
XA
Max.Reverse
泄漏
当前
IR @ VR
A
V
50
1.0
20
1.0
10
1.0
5
1.0
5
1.0
3
1.0
3
1.0
3
2.0
2
2.0
1
2.0
3
4.0
2
4.0
1
5.0
0.7
5.0
0.5
6.0
0.2
7.0
0.1
8.0
0.1
8.0
0.1
8.0
0.1
10.5
0.1
11.2
0.1
12.6
0.1
14.0
0.1
15.4
0.1
16.8
0.1
18.9
0.1
21.0
0.1
23.1
0.1
25.2
0.1
27.3
0.1
30.10
0.1
32.90
0.1
35.70
注意：
1，标准齐纳电压容差为±5 ％，从BZX84C2V4 BZX84C51 ，后缀'B 'A' C'后缀为BZX84B4V3 BZX84B51 +/- 2 ％的容差。
2.Zener电压（ VZ）的测量。当以90秒为单位计算，同时保持引线的温度（ TL ），在30℃下，从二极管体保证了齐纳电压。
3.Zener阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗口从60周期的交流电压dervied ，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致
直流稳压电流（ IZT或Izk ）被叠加在IZT或Izk 。
4.Surge电流（ IR），不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波或等效电流
1/120秒的持续时间叠加在测试电流， IZT ，根据JEDEC注册正弦波脉冲;然而，实际的设备能力是如在图5中描述。
修订： 13
www.mccsemi.com
2
6
2009/04/09
MCC
BZX84B4V3通BZX84B51
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
额定齐纳电压
马克斯。齐纳阻抗
Max.Reverse
泄漏
当前
IR @ VR
A
V
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
2.0
3.0
4.0
2.0
4.0
1.0
5.0
0.7
5.0
0.5
6.0
0.2
7.0
0.1
8.0
0.1
8.0
0.1
8.0
0.1
10.5
0.1
11.2
0.1
12.6
0.1
14.0
0.1
15.4
0.1
16.8
0.1
18.9
0.1
21.0
0.1
23.1
0.1
25.2
0.1
27.3
0.1
30.1
0.1
32.9
0.1
38.0
o
TM
微型商业组件
产品型号
记号
VZ（ V） @我
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
BZX84B4V3
BZX84B4V7
BZX84B5V1
BZX84B5V6
BZX84B6V2
BZX84B6V8
BZX84B7V5
BZX84B8V2
BZX84B9V1
BZX84B10
BZX84B11
BZX84B12
BZX84B13
BZX84B15
BZX84B16
BZX84B18
BZX84B20
BZX84B22
BZX84B24
BZX84B27
BZX84B30
BZX84B33
BZX84B36
BZX84B39
BZX84B43
BZX84B47
BZX84B51
W7
W8/Z1
W9/Z2
WA/Z3
WB/Z4
WC/Z5
WD/Z6
WE/Z7
WF/Z8
WG/Z9
WH/Y1
WI/Y2
WK/Y3
WL/Y4
WM / Y5
WN/Y6
WO/Y7
WP/Y8
WR/Y9
WS/Y10
WT / Y11
WU/Y12
WW/Y13
WX/Y14
WY
WZ
XA
喃。
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
分钟。
4.21
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.80
10.78
11.76
12.74
14.70
15.68
17.64
19.60
21.56
23.52
26.46
29.40
32.34
35.28
38.22
42.14
46.06
49.98
马克斯。
4.39
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.20
11.22
12.24
13.26
15.30
16.32
18.36
20.40
22.44
24.48
27.54
30.60
33.66
36.72
39.78
43.86
47.94
52.02
欧姆
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
100
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
欧姆
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
750
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
注意：
1，标准齐纳电压容差为±5 ％，从BZX84C2V4 BZX84C51 ，后缀'B 'A' C'后缀为BZX84B4V3 BZX84B51 +/- 2 ％的容差。
2.Zener电压（ VZ）的测量。当以90秒为单位计算，同时保持引线的温度（ TL ），在30℃下，从二极管体保证了齐纳电压。
3.Zener阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗口从60周期的交流电压dervied ，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致
直流稳压电流（ IZT或Izk ）被叠加在IZT或Izk 。
4.Surge电流（ IR），不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波或等效电流
1/120秒的持续时间叠加在测试电流， IZT ，根据JEDEC注册正弦波脉冲;然而，实际的设备能力是如在图5中描述。
O
修订： 13
www.mccsemi.com
3
of
6
2009/04/09
BZX84B…Series
硅平面齐纳二极管
这一系列齐纳二极管提供了
方便，表面贴装塑料SOT- 23封装。
这些设备被设计为提供电压
调节以最小的空间要求。他们是
非常适合用于诸如蜂窝电话，
手持便携式设备，并且高密度的印刷电路板。
1
3
2
1.阳极3.阴极
SOT- 23塑料包装
特点
齐纳击穿电压范围为 - 2.4 V至75 V
封装专为优化自动板
装配
针对高密度应用的小封装尺寸
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
热阻，结到环境
1)
1)
符号
P
D
R
θJA
T
j
,T
S
价值
350
417
- 65至+ 150
单位
mW
O
C / W
O
结温和存储温度范围
氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝
C
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 24/04/2007
BZX84B…Series
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明，V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA）的
TYPE
记号
CODE
CR
CX
CY
CZ
DA
DB
DC
DD
DE
DF
DH
DJ
DK
DM
DN
DP
DR
DX
DY
DZ
EA
EB
EC
ED
EE
记号
CODE
EF
EH
EJ
EK
EM
EN
EP
ER
EX
EY
EZ
FA
V
Z1
(V)
@ I
ZT1
= 5毫安
1)
分钟。
2.35
2.64
2.94
3.23
3.52
3.82
4.21
4.6
4.99
5.49
6.07
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
喃。
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
分钟。
26.4
29.4
32.3
35.2
38.2
42.1
46
49.9
54.8
60.7
66.6
73.5
喃。
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
27.6
30.6
33.7
36.8
39.8
43.9
48
52.1
57.2
63.3
69.4
76.5
马克斯。
2.45
2.76
3.06
3.37
3.68
3.98
4.39
4.8
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.5
24.5
Z
ZT1
()
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1毫安
1)
分钟。
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
马克斯。
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4
4.7
5.3
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
Z
ZT2
()
@ I
ZT2
=
1毫安
2)
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
2)
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
1)
分钟。
2.6
3
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
马克斯。
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
Z
ZT3
()
@ I
ZT3
=
20毫安
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大反向
漏电流
I
R
@
A
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
BZX84B2V4
BZX84B2V7
BZX84B3V0
BZX84B3V3
BZX84B3V6
BZX84B3V9
BZX84B4V3
BZX84B4V7
BZX84B5V1
BZX84B5V6
BZX84B6V2
BZX84B6V8
BZX84B7V5
BZX84B8V2
BZX84B9V1
BZX84B10
BZX84B11
BZX84B12
BZX84B13
BZX84B15
BZX84B16
BZX84B18
BZX84B20
BZX84B22
BZX84B24
TYPE
V
Z2
下面
@ I
ZT2
- 0.1毫安
分钟。
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
马克斯。
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
分钟。
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
马克斯。
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
最大反向
漏电流
I
R
@
A
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
V
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
BZX84B27
BZX84B30
BZX84B33
BZX84B36
BZX84B39
BZX84B43
BZX84B47
BZX84B51
BZX84B56
BZX84B62
BZX84B68
BZX84B75
1)
2)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
齐纳阻抗Z
ZT2
，为27至75伏的类型，在0.5毫安而不是0.1mA的测试电流采用V测试
Z2
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 24/04/2007
BZX84B…Series
温度COEF网络cient
8
温度COEF网络cient
100
温度系数（毫伏/℃ ）
温度系数（毫伏/℃ ）
7
6
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
10
1
10
面值
Vz的（V）的
100
齐纳电压Vz （ V）
典型正向电压
220
正向电流I
F
（MA ）
200
180
160
140
120
100
80
60
5V1
27V
40
20
0
500
700
900
1100
正向电压V
F
（毫伏）
齐纳稳压器
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 24/04/2007
BZX84-Series
www.vishay.com
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
3
硅平面稳压二极管
齐纳电压是根据分级
E24国际标准。标准齐纳
电压容差为± 5 ％ ，由“C”表示
在订货代码。替换“ C”与“B”为
± 2 ％的误差。
AEC- Q101标准
ESD能力ACC 。符合AEC - Q101 ：
人体模特： > 8千伏，
机器型号： > 800 V
单位
V
mA
1
2
20421
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2; 5
脉冲电流
单身
基P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
基P / N - HE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
订购信息
设备名称
订购代码
BZX84C2V4 - E3-08到BZX84C75 - E3-08
BZX84B2V4 - E3-08到BZX84B75 - E3-08
BZX84C2V4 - HE3-08到BZX84C75 - HE3-08
BZX84-series
BZX84B2V4 - HE3-08到BZX84B75 ， HE3-08
BZX84C2V4 - E3-18到BZX84C75 - E3-18
BZX84B2V4 - E3-18到BZX84B75 - E3-18
BZX84C2V4 - HE3-18到BZX84C75 - HE3-18
BZX84B2V4 - HE3-18到BZX84B75 ， HE3-18
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
10 000
3000 （上7"卷轴8mm带）
15 000
每卷胶带单位
最小起订量
包
包名称
SOT-23
重量
8.8毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
工作温度范围
测试条件
T
AMB
= 25 ℃，在玻璃纤维基材的设备，
ACC 。第7页布局
T
AMB
= 25 ℃，在玻璃纤维基材的设备，
ACC 。第7页布局
符号
P
合计
R
thJA
T
j
T
英镑
T
op
价值
300
420
150
- 65至+ 150
- 55至+ 150
单位
mW
K / W
°C
°C
°C
2.0版本， 28 -FEB- 13
文档编号： 85763
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX84-Series
www.vishay.com
威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
部分
数
记号
CODE
分钟。
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
BZX84C56
BZX84C62
BZX84C68
BZX84C75
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
12
2.0版本， 28 -FEB- 13
文档编号： 85763
2
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX84-Series
www.vishay.com
威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
部分
数
记号
CODE
分钟。
BZX84B2V4
BZX84B2V7
BZX84B3V0
BZX84B3V3
BZX84B3V6
BZX84B3V9
BZX84B4V3
BZX84B4V7
BZX84B5V1
BZX84B5V6
BZX84B6V2
BZX84B6V8
BZX84B7V5
BZX84B8V2
BZX84B9V1
BZX84B10
BZX84B11
BZX84B12
BZX84B13
BZX84B15
BZX84B16
BZX84B18
BZX84B20
BZX84B22
BZX84B24
BZX84B27
BZX84B30
BZX84B33
BZX84B36
BZX84B39
BZX84B43
BZX84B47
BZX84B51
BZX84B56
BZX84B62
BZX84B68
BZX84B75
Z50
Z51
Z52
Z53
Z54
Z55
Z56
Z57
Z58
Z59
Z60
Z61
Z62
Z63
Z64
Z65
Z66
Z67
Z68
Z69
Z70
Z71
Z72
Z73
Z74
Z75
Z76
Z77
Z78
Z79
Z80
Z81
Z82
Z83
Z84
Z85
Z86
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.0
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
12
2.0版本， 28 -FEB- 13
文档编号： 85763
3
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX84-Series
www.vishay.com
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
mA
10
3
10
2
Ω
100
T
J
= 25 °C
5
4
威世半导体
I
F
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
T
J
= 25 °C
10
5
4
3
2
10
-5
0
18114
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 - 正向特性
图。 4 - 动态电阻与齐纳电流
mW
500
Ω
10
3
7
5
4
T
j
= 25 °C
400
R
zj
3
2
P
合计
300
47 + 51
43
39
36
10
2
7
200
5
4
3
2
100
0
0
18115
100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 - 容许功耗与环境温度
图。 5 - 动态电阻与齐纳电流
Ω
1000
5
4
3
2
Ω
10
3
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
X V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
10
5
4
3
2
负
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 - 动态电阻与齐纳电流
图。 6 - 热微分电阻与齐纳电压
2.0版本， 28 -FEB- 13
文档编号： 85763
4
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX84-Series
www.vishay.com
威世半导体
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Ω
100
7
5
4
R
zj
3
2
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
10
7
5
4
3
2
40
20
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
1
10
2
0
0
18125
3 4 5
100 V
20
40
60
80
100 V
18122
V
Z
V
Z
图。 7 - 动态电阻与齐纳电压
图。 10 - 齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
V
9
8
毫伏/°C的
25
20
15
10
5
0
-5
1
18123
2
3
4 5
Δ
V
Z
Δ
T
j
5毫安
I
Z
= 1毫安
20毫安
7
Δ
V
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
51
43
36
I
Z
= 2毫安
0
20
40
60
80 100 120
T
j
140 °C
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
18126
图。 8 - 温度的齐纳电压与依赖
齐纳电压
图。 11 - 更改齐纳电压与结温
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
Δ
V
Z
= R
ZTH
X我
Z
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
Δ
V
Z
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
20
40
60
80
100 120 140 C
18127
1
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100 V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 12 - 更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
图。 9 - 更改齐纳电压与结温
2.0版本， 28 -FEB- 13
文档编号： 85763
5
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2881677436 复制
