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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第641页 > BU2508AX
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU2508AX
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 700V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
在水平偏转电路中使用
彩色电视接收机。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CES
集电极 - 发射极电压（ V
BE
= 0)
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
700
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7.5
V
I
C
I
CM
集电极电流 - 连续
8
A
集电极电流峰值
15
A
I
B
B
基地电流 - 连续
4
A
I
BM
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
6
A
P
C
45
W
℃
℃
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
2.8
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BU2508AX
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0， L = 25mH
700
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7.5
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CES
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 1.12A
1.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 1.7A
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0; T
C
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
= 0
1.1
1.0
2.0
1.0
V
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
13
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4.5A ; V
CE
= 1V
4
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
80
pF
开关时间
μs
μs
t
英镑
t
f
贮存时间
I
C
= 4.5A ，我
B(
结束
)
= 1.1A ; L
B
= 6μH
-V
BB
= 4V ; （ -dI
B
/ DT = 0.6A / μs）内
下降时间
6.0
0.6
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2508AX
概述
增强的性能，新一代的高电压，在一个塑料全包高速开关npn晶体管
信封设计用于彩色电视接收机的水平偏转电路中使用。特殊功能
公差到基极驱动和导致非常低的最坏情况下的耗散集电极电流的负载变化。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
4.5
0.4
马克斯。
1500
700
8
15
45
1.0
-
0.6
单位
V
V
A
A
W
V
A
s
T
hs
≤
25 C
I
C
= 4.5 A;我
B
= 1.12 A
I
CSAT
= 4.5 A;我
B（完）
= 1.1 A
钉扎 - SOT399
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1 2 3
孤立的情况下，
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B（ AV ）
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
反向基极电流
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
1500
700
8
15
4
6
100
5
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
平均超过任何20 ms周期
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到散热器
结到环境
条件
无散热化合物
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
-
35
马克斯。
3.7
2.8
-
单位
K / W
K / W
K / W
1
关断电流。
1997年11月
1
启2.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2508AX
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 4.5 A;我
B
= 1.12 A
I
C
= 4.5 A;我
B
= 1.7 A
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 4.5 A; V
CE
= 1 V
分钟。
-
-
-
7.5
700
-
-
-
4
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
-
13
5.5
马克斯。
1.0
2.0
1.0
-
-
1.0
1.1
-
7.0
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
C
c
参数
集电极电容
开关时间（ 16 kHz的行
偏转电路）
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间（ 38 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CSAT
= 4.5 A;我
B（完）
= 1.1 ; L
B
= 6
H;
-V
BB
= 4 V ; （ -dI
B
/ DT = 0.6 A / μs）内
I
CSAT
= 4.0 A;我
B（完）
= 0.9 A; L
B
= 6
H;
-V
BB
= 4 V ; （ -dI
B
/ DT = 0.6 A / μs）内
4.7
0.25
5.7
0.35
s
s
典型值。
80
马克斯。
-
单位
pF
s
s
t
s
t
f
5.0
0.4
6.0
0.6
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年11月
2
启2.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2508AX
ICsat
+ 50v
100-200R
IC
90 %
横
tf
10 %
示波器
IB
t
ts
IBend
垂直
100R
6V
30-60赫兹
1R
t
- IBM
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间的定义。
IC / MA
+ 150V，额定
调整ICsat
1mH
250
200
100
IBend
LB
D.U.T.
12nF
BY228
0
VCE / V
-VBB
民
VCEOsust
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。开关时间测试电路。
晶体管
IC
二极管
ICsat
100
h
FE
t
5V
IB
IBend
10
t
20us
26us
64us
VCE
TJ = 25℃
TJ = 125℃
1V
1
0.01
t
0.1
IC / A
1
10
如图3所示。开关时间波形。
图6 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
1997年11月
3
启2.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2508AX
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
VBESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
10
VCESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
6A
4.5A
IC / IB =
3
4
5
1
3A
IC=2A
0.1
0.1
1
IC / A
10
0.1
1
IB / A
10
图7 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
VCESAT / V
IC / IB =
5
4
3
图10 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
EOFF / UJ
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1000
IC = 4.5A
3.5A
100
TJ = 25℃
TJ = 125℃
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10
0.1
1
IC / A
10
0.1
1
IB / A
10
图8 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
VBESAT / V
TJ = 25℃
图11 。典型的关断损耗。牛逼
j
= 85C
EOFF = F （I
B
） ;参数I
C
; F = 16千赫
TS ， TF /美
ts
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
TJ = 125℃
IC 。
6A
4.5A
3A
2A
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
4
IC =
4.5A
3.5A
tf
0.1
1
IB / A
10
0
1
2
IB / A
3
图9 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
图12 。典型的集热器存储和下降时间。
TS = F（我
B
） ; TF = F（我
B
） ;参数I
C
; T
j
= 85℃ ; F = 16千赫
1997年11月
4
启2.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2508AX
100
IC / A
100
IC / A
= 0.01
= 0.01
TP =
ICM最大
10
IC最大
II
ICM最大
10
IC最大
II
TP =
10我们
10我们
P合计最大
P合计最大
1
100美
1
100美
I
1毫秒
I
1毫秒
0.1
10毫秒
DC
0.1
10毫秒
DC
0.01
1
10
100
VCE / V
1000
0.01
1
10
100
VCE / V
1000
图13 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25C
I
允许的直流操作区域。
II
扩展重复脉冲操作。
NB ：
安装有散热片和复合
30
±
在中央5牛顿的力
信封。
归一化功率降额
与复合散热器
图15 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25C
I
允许的直流操作区域。
II
扩展重复脉冲操作。
NB ：
没有安装散热器化合物和
30
±
在中央5牛顿的力
信封。
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
图14 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
hs
)
1997年11月
5
启2.300
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU2508AX
描述
·采用TO- 3PML包
·高电压
·高速开关
应用
·对于在水平偏转应用
彩色电视接收机电路
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
基极电流（脉冲）
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
700
7.5
8
15
4
6
45
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极电容
条件
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.12 A
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.7 A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
C
=125
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4.5A ; V
CE
=1V
V
CB
=10V;I
E
=0;f=1.0MHz
4
民
700
7.5
BU2508AX
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
C
典型值。
最大
单位
V
13.5
1.0
1.1
1.0
2.0
1.0
13
5.5
80
7.0
V
V
V
mA
mA
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2508AX
图2外形尺寸
3
查看更多BU2508AXPDF信息
推荐型号
BZX84B5V1
BTB12-800BW3G
BTS3205G
B32669C3255K000
BA-2R2UW
BCM1000-WCE
BUK453-60B
BR24C04-RDW6TP
B84298M
BCM93345I
BQ24075RGTRG4
B65839A0250E038
B43305C5337M002
BLC080J112B4A
BZV01/A0620/11
BZT03D130
BAT15-093S
BR25H040FJ-W
BSP89
B37986N5332J054
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BU2508AX
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
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BU2508AX
PHILIPS/飞利浦
21+
10000
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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BU2508AX
PHILIPS/飞利浦
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BU2508AX
NXP/恩智浦
24+
12300
TO-247
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
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电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BU2508AX
PHILIPS
21+22+
27000
N/A
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
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电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BU2508AX
PHILIPS
9649
17
N/A
原装正品，支持实单
深圳诚思涵科技有限公司
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BU2508AX
NXP
24+
9850
原厂原封
100%原装正品，可长期订货
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