BZX84-V-Series
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
这些二极管也可在其他
表壳款式等配置
其中包括： SOD- 123案件类型
e3
指定BZT52系列，双齐纳
在SOT- 23二极管共阳极配置
例类型指定AZ23系列和
双齐纳二极管共阴极配置
在SOT -23例类型指定DZ23
系列。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。标准的齐纳电压
年龄误差为± 5 ％ 。更换"C"与"B"的
± 2 ％的误差。
硅平面功率齐纳二极管
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
18078
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
1)
测试条件
符号
P
合计
价值
300
1)
单位
mW
设备上的玻璃基板，看布局。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
S
价值
420
1)
150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
设备上的玻璃基板，看布局。
文档编号85763
1.7修订版， 7月14日 - 05
www.vishay.com
1
BZX84-V-Series
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
这些二极管也可在其他
表壳款式等配置
其中包括： SOD- 123案件类型
e3
指定BZT52系列，双齐纳
在SOT- 23二极管共阳极配置
例类型指定AZ23系列和
双齐纳二极管共阴极配置
在SOT -23例类型指定DZ23
系列。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。标准的齐纳电压
年龄误差为± 5 ％ 。更换"C"与"B"的
± 2 ％的误差。
硅平面功率齐纳二极管
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
18078
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
1)
测试条件
符号
P
合计
价值
300
1)
单位
mW
设备上的玻璃基板，看布局。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
S
价值
420
1)
150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
设备上的玻璃基板，看布局。
文档编号85763
1.7修订版， 7月14日 - 05
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BZX84-V-Series
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
这些二极管也可在其他
表壳款式等配置
其中包括： SOD- 123案件类型
e3
指定BZT52系列，双齐纳
在SOT- 23二极管共阳极配置
例类型指定AZ23系列和
双齐纳二极管共阴极配置
在SOT -23例类型指定DZ23
系列。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。标准的齐纳电压
年龄误差为± 5 ％ 。更换"C"与"B"的
± 2 ％的误差。
硅平面功率齐纳二极管
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
18078
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
1)
测试条件
符号
P
合计
价值
300
1)
单位
mW
设备上的玻璃基板，看布局。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
S
价值
420
1)
150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
设备上的玻璃基板，看布局。
文档编号85763
1.7修订版， 7月14日 - 05
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BZX84-V-Series
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
3
1
2
20421
这些二极管也可在其他情况下，可
样式和其他配置，包括：所述
SOD- 123例类型指定BZT52
串联，齐纳二极管共阳极
在SOT -23外壳型配置
指定AZ23系列和齐纳二极管
在SOT -23例共阴极配置
型号命名DZ23系列
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。标准的齐纳电压
公差为± 5％。替换“ C”与“B”为2 ％的误差。
硅平面功率齐纳二极管
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2; 5
脉冲电流
单身
单位
V
mA
订购信息
设备名称
BZX84-V-series
BZX84-V-series
订购代码
BZX84-V-series-GS18
BZX84-V-series-GS08
每卷胶带单位
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
3000 （上7"卷轴8mm带）
最小起订量
10 000
15 000
包
包名称
SOT-23
重量
8.8毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
功耗
测试条件
T
AMB
= 25 °C,
设备上的玻璃基板，
ACC 。第7页布局
T
AMB
= 25 °C,
设备上的玻璃基板，
ACC 。第7页布局
符号
P
合计
价值
300
单位
mW
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
R
thJA
T
j
T
英镑
420
150
- 65至+ 150
K / W
°C
°C
修订版1.9 ， 08日-12月11
文档编号： 85763
1
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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BZX84-V-Series
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威世半导体
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
部分
数
记号
CODE
分钟。
BZX84C2V4-V
BZX84C2V7-V
BZX84C3V0-V
BZX84C3V3-V
BZX84C3V6-V
BZX84C3V9-V
BZX84C4V3-V
BZX84C4V7-V
BZX84C5V1-V
BZX84C5V6-V
BZX84C6V2-V
BZX84C6V8-V
BZX84C7V5-V
BZX84C8V2-V
BZX84C9V1-V
BZX84C10-V
BZX84C11-V
BZX84C12-V
BZX84C13-V
BZX84C15-V
BZX84C16-V
BZX84C18-V
BZX84C20-V
BZX84C22-V
BZX84C24-V
BZX84C27-V
BZX84C30-V
BZX84C33-V
BZX84C36-V
BZX84C39-V
BZX84C43-V
BZX84C47-V
BZX84C51-V
BZX84C56-V
BZX84C62-V
BZX84C68-V
BZX84C75-V
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
A
V
马克斯。
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
-4
/°C
10
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
12
分钟。
修订版1.9 ， 08日-12月11
文档编号： 85763
2
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
A
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
部分
数
记号
CODE
分钟。
BZX84B2V4-V
BZX84B2V7-V
BZX84B3V0-V
BZX84B3V3-V
BZX84B3V6-V
BZX84B3V9-V
BZX84B4V3-V
BZX84B4V7-V
BZX84B5V1-V
BZX84B5V6-V
BZX84B6V2-V
BZX84B6V8-V
BZX84B7V5-V
BZX84B8V2-V
BZX84B9V1-V
BZX84B10-V
BZX84B11-V
BZX84B12-V
BZX84B13-V
BZX84B15-V
BZX84B16-V
BZX84B18-V
BZX84B20-V
BZX84B22-V
BZX84B24-V
BZX84B27-V
BZX84B30-V
BZX84B33-V
BZX84B36-V
BZX84B39-V
BZX84B43-V
BZX84B47-V
BZX84B51-V
BZX84B56-V
BZX84B62-V
BZX84B68-V
BZX84B75-V
Z50
Z51
Z52
Z53
Z54
Z55
Z56
Z57
Z58
Z59
Z60
Z61
Z62
Z63
Z64
Z65
Z66
Z67
Z68
Z69
Z70
Z71
Z72
Z73
Z74
Z75
Z76
Z77
Z78
Z79
Z80
Z81
Z82
Z83
Z84
Z85
Z86
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.0
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
12
10
-4
/°C
分钟。
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
mA
10
3
10
2
100
T
J
= 25 °C
5
4
威世半导体
I
F
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
T
J
= 25 °C
10
5
4
3
2
10
-5
0
18114
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 - 正向特性
图。 4 - 动态电阻与齐纳电流
mW
500
10
3
7
5
4
T
j
= 25 °C
400
R
zj
3
2
P
合计
300
47 + 51
43
39
36
10
2
200
7
5
4
3
2
100
0
0
18115
100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 - 容许功耗与环境温度
图。 5 - 动态电阻与齐纳电流
1000
5
4
3
2
K / W
10
3
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
X V
Z
x
V
Z
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
10
5
4
3
2
负
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 - 动态电阻与齐纳电流
图。 6 - 热微分电阻与齐纳电压
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威世半导体
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
100
7
5
4
R
zj
3
2
V
Z
T
j
80
60
10
7
5
4
3
2
40
20
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
1
10
2
0
0
18125
3 4 5
100 V
20
40
60
80
100 V
18122
V
Z
V
Z
图。 7 - 动态电阻与齐纳电压
图。 10 - 齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
V
9
8
7
毫伏/°C的
25
20
15
10
5
0
-5
1
18123
2
3
4 5
V
Z
T
j
5毫安
I
Z
= 1毫安
20毫安
V
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
51
43
36
I
Z
= 2毫安
0
20
40
60
80 100 120
T
j
140 °C
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
18126
图。 8 - 温度的齐纳电压与依赖
齐纳电压
图。 11 - 更改齐纳电压与结温
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
V
Z
= R
ZTH
X我
Z
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
V
Z
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
20
40
60
80
100 120 140 C
18127
1
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100 V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 12 - 更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
图。 9 - 更改齐纳电压与结温
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