BSP 296
SIPMOS
小信号晶体管
N沟道
增强型
逻辑电平
V
GS （ TH）
= 0.8...2.0V
销1
G
TYPE
销2
D
记号
3脚
S
引脚4
D
V
DS
100 V
I
D
1A
R
DS （ ON）
0.8
包
BSP 296
TYPE
BSP 296
SOT-223
BSP 296
订购代码
Q67000-S067
磁带和卷轴信息
E6327
最大额定值
参数
符号
值
单位
漏源电压
漏极 - 栅极电压
R
GS
= 20 k
V
DS
V
DGR
100
V
100
V
GS
门源电压
ESD敏感度（ HBM）按照MIL -STD 883
连续漏电流
T
A
= 42 C
±
20
1级
A
1
I
D
直流漏电流，脉冲
T
A
= 25 C
I
Dpuls
4
P
合计
功耗
T
A
= 25 C
W
1.8
数据表
1
05.99
BSP 296
最大额定值
参数
符号
值
单位
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
Therminal性，结焊接点
1)
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
70
≤
10
E
55 / 150 / 56
K / W
1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米
2
铜区的漏极连接
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 C
V
（ BR ） DSS
V
100
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
0.8
I
DSS
1.4
2
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
-
-
-
I
GSS
0.1
8
-
1
50
100
A
nA
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
100
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A
-
-
0.55
0.95
0.8
1.4
数据表
2
05.99
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