BZX84BxxxLT1G,
BZX84CxxxLT1G系列，
SZBZX84BxxxLT1G,
SZBZX84CxxxLT1G系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
特点
http://onsemi.com
SOT23
CASE 318
风格8
3
阴极
1
阳极
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳击穿电压范围
2.4 V至75 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
紧公差系列可用（见第4页）
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这些器件是无铅和符合RoHS标准
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
XXX M
G
G
1
xxx
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
BZX84CxxxLT1G
SZBZX84CxxxLT1G
BZX84CxxxLT3G
SZBZX84CxxxLT3G
BZX84BxxxLT1G
SZBZX84BxxxLT1G
BZX84BxxxLT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
五月， 2013
启示录17
1
出版订单号：
BZX84C2V4LT1/D
BZX84BxxxLT1G ， BZX84CxxxLT1G系列， SZBZX84BxxxLT1G ， SZBZX84CxxxLT1G
系列
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注2） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
65
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
2.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25°C
除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
I
F
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
BZX84BxxxLT1G ， BZX84CxxxLT1G系列， SZBZX84BxxxLT1G ， SZBZX84CxxxLT1G
系列
电气特性
BZX84CxxxLT1系列（标准公差）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
（中列出的设备
粗体，斜体
是安森美半导体的优选设备。 ）
V
Z1
（伏）
@ I
ZT1
= 5毫安
（注3）
设备*
BZX84C2V4LT1G
BZX84C2V7LT1G
BZX84C3V0LT1G
BZX84C3V3LT1G
BZX84C3V6LT1G
BZX84C3V9LT1G
BZX84C4V3LT1G
BZX84C4V7LT1/T3G
BZX84C5V1LT1/T3G
BZX84C5V6LT1/T3G
BZX84C6V2LT1/T3G
BZX84C6V8LT1/T3G
BZX84C7V5LT1G
BZX84C8V2LT1G
BZX84C9V1LT1/T3G
BZX84C10LT1G
BZX84C11LT1G
BZX84C12LT1G
BZX84C13LT1G
BZX84C15LT1/T3G
BZX84C16LT1G
BZX84C18LT1/T3G
BZX84C20LT1G
BZX84C22LT1G
BZX84C24LT1G
设备
记号
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
W9
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
喃
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1毫安
（注3）
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4
4.7
5.3
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
（注3）
民
2.6
3
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
最大
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
@
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
q
VZ
（毫伏/ K）的
@ I
ZT1
= 5毫安
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
最大
0
0
0
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
Z
ZT1
(W)
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
Z
ZT2
(W)
@ I
ZT2
=
1毫安
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT3
(W)
@ I
ZT3
=
20毫安
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
C（ pF）的
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
设备*
BZX84C27LT1G
BZX84C30LT1G
BZX84C33LT1/T3G
BZX84C36LT1G
BZX84C39LT1G
BZX84C43LT1G
BZX84C47LT1G
BZX84C51LT1G
BZX84C56LT1G
BZX84C62LT1G
BZX84C68LT1G
BZX84C75LT1G
设备
记号
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
民
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
下面
@ I
ZT2
= 0.1 m-
A
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
民
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
最大
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
@
V
R
(V)
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
q
VZ
（毫伏/ k）的下面
@ I
ZT1
= 2毫安
民
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C（ pF）的
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
3.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*适用包括SZ-前缀的设备。
http://onsemi.com
3
BZX84BxxxLT1G ， BZX84CxxxLT1G系列， SZBZX84BxxxLT1G ， SZBZX84CxxxLT1G
系列
电气特性
BZX84BxxxL （窄偏差系列）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
Z
ZT
(W) @
I
ZT
= 5毫安
（注4 ）
最大
80
60
40
10
15
15
15
15
25
30
40
45
55
70
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
@
V
R
伏
2
2
2
4
4
5
5
6
8
10.5
11.2
12.6
15.4
16.8
设备
BZX84B4V7LT1G
BZX84B5V1LT1G
BZX84B5V6LT1G
BZX84B6V2LT1G
BZX84B6V8LT1G
BZX84B7V5LT1G
BZX84B8V2LT1G
BZX84B9V1LT1G
BZX84B12LT1G
BZX84B15LT1G
BZX84B16LT1G
BZX84B18LT1G
BZX84B22LT1G
BZX84B24LT1G
设备
记号
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T18
T22
T19
T20
T24
T25
V
Z
（伏特） @我
ZT
= 5毫安
（注4 ）
民
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
11.8
14.7
15.7
17.6
21.6
23.5
喃
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
12
15
16
18
22
24
最大
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
12.2
15.3
16.3
18.4
22.4
24.5
q
VZ
（毫伏/ K）的
@ I
ZT
= 5毫安
民
3.5
2.7
2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
6
9.2
10.4
12.4
16.4
18.4
最大
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7
10
13
14
16
20
22
C（ pF）的
@ V
R
=0,
F = 1 MHz的
260
225
200
185
155
140
135
130
130
110
105
100
85
80
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
电气特性
BZX84BxxxL （窄偏差系列）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
Z
ZT
(W) @
I
ZT
= 2毫安
（注4 ）
最大
80
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
0.05
@
V
R
伏
18.9
设备*
BZX84B27LT1G
设备
记号
T27
V
Z
（伏特） @我
ZT
= 2毫安
（注4 ）
民
26.5
喃
27
最大
27.5
q
VZ
（毫伏/ K）的
@ I
ZT
= 2毫安
民
21.4
最大
25.3
C（ pF）的
@ V
R
=0,
F = 1 MHz的
70
*适用包括SZ-前缀的设备。
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4
BZX84BxxxLT1G ， BZX84CxxxLT1G系列， SZBZX84BxxxLT1G ， SZBZX84CxxxLT1G
系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
典型的牛逼
C
值
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
图2.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
1000
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0.6
0°C
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
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