【BC 846PNNPN / PNP硅AF晶体管阵列对于AF输入级和驱动器应用高电流增益低集电极 - 】,IC型号BC846PN,BC846PN PDF资料,BC846PN经销商,ic,电子元器件-51电子网

BC 846PN

NPN / PNP硅AF晶体管阵列

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

二（电流）的内部分离NPN / PNP

在一个封装晶体管

4

5

6

2

磁带加载方向

3

VPS05604

1

引脚配置

TYPE

BC 846PN

订购代码标识

1Os

Q62702-C2537

包装NPN三极管

1 = E 2 = B 6 = C

SOT-363

PNP三极管

4 = E 5 = B 3 = C

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

总功耗，

T

S

= 115 °C

结温

储存温度

热阻

交界处的环境

1)

结 - 焊接点

符号

价值

65

80

5

100

200

250

150

-65...+150

≤275

≤140

K / W

mW

°C

V

mA

单位

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

P

合计

T

j

T

英镑

R

thJA

R

thjs

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米2铜

半导体集团

1

Sep-07-1998

1998-11-01

BC 846PN

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

每个晶体管直流特性

集电极 - 发射极击穿电压

典型值。

-

马克斯。

-

15

5

单位

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CES

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CBO

h

FE

65

80

5

-

V

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

B

= 0

集电极 - 发射极击穿电压

V

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

nA

A

-

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

直流电流增益1 ）

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

-

200

250

290

90

200

700

900

660

-

450

mV

300

650

-

V

750

820

V

CESAT

-

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

V

BESAT

-

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极电压1）

V

BE（上）

580

-

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

半导体集团

2

Sep-07-1998

1998-11-01

BC 846PN

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

每个晶体管的交流特性

跃迁频率

典型值。

250

2

10

4.5

2

330

30

马克斯。

-

单位

f

T

C

cb

C

eb

h

11e

h

12e

h

21e

h

22e

-

兆赫

pF

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

短路输入阻抗

k

10

-4

-

s

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

开路反向电压传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

短路正向电流传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

半导体集团

3

Sep-07-1998

1998-11-01

BC 846PN

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

300

mW

T

S

P

合计

200

T

A

150

100

50

0

20

40

60

80

100

120

°C

Kein

150

T

A

,T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

K / W

10

3

P

totmax

/ P

totDC

-

10

2

10

2

10

1

10

0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

R

thjs

10

1

10

-1 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

t

p

半导体集团

4

Sep-07-1998

1998-11-01

BC 846PN

集电极 - 基极capacitt

C

CB

=

f

(V

CBO

)

发射极 - 基capacitt

C

EB

=

f

(V

EBO

)

公元前846 ... 850

EHP00361

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

兆赫

EHP00363

C

CB0

(

C

EB0

)

12

pF

10

f

T

5

8

C

EB

10

2

6

4

5

C

CB

2

0

10

-1

5

10

0

V

10

1

10

1

10

-1

5 10

0

5

10

1

mA

10

2

V

CB0

(

V

EB0

)

Ι

C

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

f

(T

A

)

集电极 - 发射极饱和电压

V

CB

= 30V

10

4

nA

EHP00381

I

C

=

f

(V

CESAT

),

h

FE

= 20

10

2

EHP00367

Ι

CB0

10

3

5

10

2

5

10

1

5

10

5

10

-1

0

Ι

C

mA

100 C

25 C

-50 C

最大

10

1

5

典型值

10

5

0

50

100

C

150

10

-1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

V 0.5

T

A

V

CESAT

半导体集团

5

Sep-07-1998

1998-11-01

1.品名： TRX BC846PN

2.敘述：TRX,NPN/PNP,BC846PN,SOT363

3.電性特性：

除非有其他规定的公差ON：

X

＝±

X.X

＝±

X.XX

＝

角

＝±

孔直径

＝±

规模：

单位：mm

DRAWN BY ：王俊人

DESIGNED BY ：王俊人

检查：蔡岳霖

批准人：许倬纲

INPAQ TECHNOLOGY CO。， LTD 。

本图纸和规格INPAQ的财产

TECHNOLOGY CO。， LTD.AND不得转载或使用作为

对于制造或销售设备或基础

器件擅自

标题： TRX BC846PN

文件

号

MTS300001940

页面

启示录

1

OF

A0

3

4.外觀：

除非有其他规定的公差ON：

X

＝±

X.X

＝±

X.XX

＝

角

＝±

孔直径

＝±

规模：

单位：mm

DRAWN BY ：王俊人

DESIGNED BY ：王俊人

检查：蔡岳霖

批准人：许倬纲

INPAQ TECHNOLOGY CO。， LTD 。

本图纸和规格INPAQ的财产

TECHNOLOGY CO。， LTD.AND不得转载或使用作为

对于制造或销售设备或基础

器件擅自

标题： TRX BC846PN

文件

号

MTS300001940

页面

启示录

2

OF

A0

3

除非有其他规定的公差ON：

X

＝±

X.X

＝±

X.XX

＝

角

＝±

孔直径

＝±

规模：

单位：mm

DRAWN BY ：王俊人

DESIGNED BY ：王俊人

检查：蔡岳霖

批准人：许倬纲

INPAQ TECHNOLOGY CO。， LTD 。

本图纸和规格INPAQ的财产

TECHNOLOGY CO。， LTD.AND不得转载或使用作为

对于制造或销售设备或基础

器件擅自

标题： TRX BC846PN

文件

号

MTS300001940

页面

启示录

3

OF

A0

3

BC846PN

NPN / PNP硅AF晶体管阵列

4

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

二（电流）的内部分离NPN / PNP

在一个封装晶体管

5

6

磁带加载方向

顶视图

6 5 4

W1s

1 2 3

退绕方向

在磁带位置：脚1

进料孔侧对面

EHA07193

TR1

2

1

3

VPS05604

在SOT -363封装标识

（例如W1S ）

对应引脚1设备

C1

6

B2

5

E2

4

TR2

1

E1

2

B1

3

C2

EHA07177

TYPE

BC846PN

最大额定值

参数

记号

1Os

引脚配置

包

1 = E 2 = B 3 = C 4 = E 5 = B 6 = C SOT363

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

P

合计

T

j

T

英镑

价值

65

80

5

100

200

250

150

-65 ... 150

mW

°C

V

mA

单位

V

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

总功耗，

T

S

= 115 °C

结温

储存温度

热阻

结 - 焊接点

1)

R

thjs

140

K / W

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

Nov-29-2001

BC846PN

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

每个晶体管直流特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

直流电流增益1 ）

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

V

BE（上）

V

BESAT

V

CESAT

h

FE

I

CBO

I

CBO

V

（ BR ） EBO

V

（ BR ） CES

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

典型值。

马克斯。

单位

65

80

5

-

15

5

V

nA

A

-

200

-

580

-

250

290

90

200

700

900

660

-

450

mV

300

650

mV

-

750

820

1 ）脉冲测试：吨< 300秒; < 2 ％

2

Nov-29-2001

BC846PN

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

每个晶体管的交流特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

开路反向电压transf.ratio

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

短路正向电流transf.ratio

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

开路输出导纳

h

21e

h

22e

-

330

30

-

h

12e

-

2

-

短路输入阻抗

C

eb

h

11e

-

10

4.5

-

C

cb

-

2

-

f

T

-

250

-

典型值。

马克斯。

单位

兆赫

pF

10

-4

-

S

3

Nov-29-2001

k

BC846PN

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

)

300

mW

P

合计

200

150

100

50

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

K / W

10

3

P

totmax

/ P

totDC

-

10

2

10

2

10

1

10

0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

R

thjs

10

1

10

-1 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

t

p

4

Nov-29-2001

BC846PN

集电极 - 基极电容

C

CB

=

f

(V

CBO

)

发射极 - 基极电容

C

EB

=

f

(V

EBO

)

公元前846 ... 850

EHP00361

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

兆赫

EHP00363

C

CB0

(

C

EB0

)

12

pF

10

f

T

5

8

C

EB

6

10

2

4

5

C

CB

2

0

10

-1

5

10

0

V

CB0

10

1

(

V

EB0

)

10

1

10

-1

5 10

0

5

10

1

mA

10

2

Ι

C

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

f

(T

A

)

V

CB

= 30V

10

4

nA

EHP00381

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CESAT

),

h

FE

= 20

10

2

EHP00367

Ι

CB0

10

3

5

10

2

5

10

1

5

10

5

10

-1

0

Ι

C

mA

100 C

25 C

-50 C

最大

10

1

5

典型值

10

5

0

50

100

C

T

A

150

10

-1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

V 0.5

V

CESAT

5

Nov-29-2001