【BZX55-Serieswww.vishay.com威世半导体小信号齐纳二极管特点非常尖锐的反向特性】,IC型号BZX55C15-TAP,BZX55C15-TAP PDF资料,BZX55C15-TAP经销商,ic,电子元器件-51电子网

BZX55-Series

www.vishay.com

威世半导体

小信号齐纳二极管

特点

非常尖锐的反向特性

低反向电流水平

非常高的稳定性

- 低噪声

AEC- Q101标准

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

无卤素，符合IEC 61249-2-21定义

主要特征

参数

V

Z

范围NOM 。

测试电流I

ZT

V

Z

规范

诠释。施工

价值

2.4 75

2.5; 5

脉冲电流

单身

单位

V

mA

应用

电压稳定

订购信息

设备名称

BZX55-series

订购代码

BZX55-series-TR

BZX55-series-TAP

每卷胶带单位

每13"卷轴10000

10 000元ammopack

（52毫米磁带）

最小起订量

30 000 /盒

包

包名称

DO-35

重量

125毫克

模塑料湿度敏感度

可燃性等级

水平

符合UL 94 V -0

MSL等级1

（根据J- STD- 020 ）

焊接

条件

260 ℃/ 10秒，在终端

绝对最大额定值

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

功耗

齐纳电流

结到环境空气

结温

存储温度范围

正向电压（最大）

I

F

= 200毫安

升= 4毫米，T

L

=常数

测试条件

升= 4毫米，T

L

= 25 °C

符号

P

合计

I

Z

R

thJA

T

j

T

英镑

V

F

价值

500

P

合计

/V

Z

300

175

- 65 + 175

1.5

单位

mW

mA

K / W

°C

V

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文档编号： 85604

1

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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

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受到特定的免责声明，阐明的AT

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BZX55-Series

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威世半导体

TEST

当前

I

ZT1

mA

马克斯。

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

5

2.5

1

0.5

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

I

ZT2

反向漏

当前

I

R

在V

R

T

AMB

= T

AMB

=

25 °C 150 °C

μA

V

马克斯。

< 85

< 75

< 60

＆ LT ; 35

＆ LT ; 25

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

< 110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Z

ZK

在我

ZT2

TK

VZ

%/K

马克斯。

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

分钟。

- 0.09

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

马克斯。

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

温度

系数

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。

BZX55C2V4

BZX55C2V7

BZX55C3V0

BZX55C3V3

BZX55C3V6

BZX55C3V9

BZX55C4V3

BZX55C4V7

BZX55C5V1

BZX55C5V6

BZX55C6V2

BZX55C6V8

BZX55C7V5

BZX55C8V2

BZX55C9V1

BZX55C10

BZX55C11

BZX55C12

BZX55C13

BZX55C15

BZX55C16

BZX55C18

BZX55C20

BZX55C22

BZX55C24

BZX55C27

BZX55C30

BZX55C33

BZX55C36

BZX55C39

BZX55C43

BZX55C47

BZX55C51

BZX55C56

BZX55C62

BZX55C68

BZX55C75

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

喃。

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

F = 1千赫

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威世半导体

TEST

当前

I

ZT1

mA

I

ZT2

反向漏

当前

I

R

在V

R

T

AMB

=

25 °C

T

AMB

=

150 °C

V

马克斯。

5

2.5

1

0.5

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

< 110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Z

ZK

在我

ZT2

TK

VZ

%/K

马克斯。

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

分钟。

- 0.09

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

马克斯。

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

温度

系数

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。

BZX55B2V4

BZX55B2V7

BZX55B3V0

BZX55B3V3

BZX55B3V6

BZX55B3V9

BZX55B4V3

BZX55B4V7

BZX55B5V1

BZX55B5V6

BZX55B6V2

BZX55B6V8

BZX55B7V5

BZX55B8V2

BZX55B9V1

BZX55B10

BZX55B11

BZX55B12

BZX55B13

BZX55B15

BZX55B16

BZX55B18

BZX55B20

BZX55B22

BZX55B24

BZX55B27

BZX55B30

BZX55B33

BZX55B36

BZX55B39

BZX55B43

BZX55B47

BZX55B51

BZX55B56

BZX55B62

BZX55B68

BZX55B75

2.35

2.64

2.94

3.24

3.52

3.82

4.22

4.6

5

5.48

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.8

10.78

11.76

12.74

14.7

15.7

17.64

19.6

21.55

23.5

26.4

29.4

32.4

35.3

38.2

42.1

46.1

50

54.9

60.8

66.6

73

喃。

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

马克斯。

2.45

2.76

3.06

3.36

3.68

3.98

4.38

4.8

5.2

5.72

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.2

11.22

12.24

13.26

15.3

16.3

18.36

20.4

22.45

24.5

27.6

30.6

33.6

36.7

39.8

43.9

47.9

52

57.1

63.2

69.4

76.5

F = 1千赫

μA

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基本特征

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

R

thJA

- 千卡。抗拒。交界处的环境（K / W）

500

V

ZTN

- 相对电压变化

400

300

l

200

100

T

L

=常数

0

5

10

15

20

95 9611

95 9599

威世半导体

1.3

V

ZTN

= V

Zt

/V

Z

(25 °C)

1.2

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8 x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

1.1

l

1.0

0.9

0

- 2 x 10

-4

/K

- 4 x 10

-4

/K

0.8

- 60

0

60

120

180

240

我 - 引线长度（mm ）

T

j

- 结温（ ° C）

图。 1 -

热敏电阻与导线长度

图。 4 - 工作电压与典型的变化

结温

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

600

500

400

300

200

100

0

80

120

160 200

40

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

TK

VZ

- 温度系数

of

V

Z

(10

-4

/K)

15

10

5

I

Z

= 5毫安

0

-5

0

95 9600

10

20

30

40

50

95 9602

V

Z

- z - 电压（V）

图。 2 -

总功率耗散与环境温度

图。 5 - 温度V系数

Z

与Z-电压

1000

200

T

j

= 25 °C

100

C

D

- 二极管电容（pF ）

V

Z

-

电压

CHANGE （MV ）

150

V

R

= 2

V

T

j

= 25 °C

100

I

Z

= 5毫安

10

50

1

0

95 9598

0

5

10

15

20

25

95 9601

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

V

Z

- z - 电压（V）

图。 3 -

工作电压下工作的典型变化

在T条件

AMB

= 25 °C

图。 6 - 二极管电容与Z-电压

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威世半导体

50

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

100

I

F

- 正向电流（mA ）

10

T

j

= 25 °C

40

1

I

Z

- Z-电流（mA ）

1.0

30

0.1

20

0.01

10

0.001

0

95 9605

0

15

95 9607

0.2

0.4

0.6

0.8

20

25

30

35

V

F

- 前进

电压

(V)

V

Z

- z - 电压（V）

图。 9 -

Z-电流与Z-电压

图。 7 -

正向电流与正向电压

100

1000

80

r

Z

- 微分Z-电阻（Ω ）

I

Z

- Z-电流（mA ）

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

60

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

10 10毫安

40

20

0

95 9604

1

4

6

8

12

20

95 9606

T

j

= 25 °C

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

图。 8 - Z-电流与Z-电压

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（ KW ）

V

Z

- z - 电压（V）

图。 10 -

差分Z-电阻与Z-电压

1000

t

p

/T = 0.5

100

t

p

/T = 0.2

单脉冲

R

thJA

= 300°K / W的

T = T

JMAX

- T

AMB

t

p

/T = 0.01

t

p

/T = 0.1

t

p

/T = 0.02

i

ZM

= (-

V

Z

+ (V

Z2

+ 4r

zj

x深/ Z

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

t

p

/T = 0.05

10

1

10

-1

10

0

10

1

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

95 9603

图。 11 - 热响应

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