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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 30 （分） @我
C
= -
0.3A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= -40V （最小值） - BDT42F ; -60V （最小值） - BDT42AF
-80V （最小值） - BDT42BF ; -100V （最小值） - BDT42CF
.Complement
到类型BDT41F / AF / BF / CF
应用
·设计
在通用放大器和开关的使用
应用
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
BDT42F
BDT42AF
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDT42BF
BDT42CF
BDT42F
集电极 - 发射极
电压
BDT42AF
BDT42BF
BDT42CF
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT42F/AF/BF/CF
价值
-80
-100
单位
V
-120
-140
-40
-60
V
-80
-100
-5
-6
-10
-3
32
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
6.3
单位
℃/W
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDT42F
BDT42AF
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
BDT42BF
BDT42CF
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CES
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
BDT42F/AF
BDT42BF/CF
I
C
= -6A ;我
B
= -0.6A
B
BDT42F/AF/BF/CF
条件
民
-40
-60
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-80
-100
-1.5
-2.0
-0.4
V
V
mA
I
C
= -6A ; V
CE
= -4V
V
CE
= V
CEOMAX
; V
BE
= 0
V
CE
= -30V ;我
B
= 0
B
I
首席执行官
集热器
截止目前
-0.2
V
CE
= -60V ;我
B
= 0
B
mA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -0.3A ; V
CE
= -4V
I
C
= -3A ; V
CE
= -4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -10V
30
15
3
-0.5
mA
75
兆赫
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= -6A ;我
B1
= -I
B2
= -0.6A
打开-O FF时间
1.0
μs
0.6
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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