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BZT52-V-Series
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
这些二极管也可在其他
e3
表壳款式等配置
其中包括： SOT -23例沙漠型
ignation BZX84系列，双齐纳二极管的COM
在SOT -23的情况下与周一阳极配置
型号命名AZ23系列和双齐纳
在SOT-二极管共阴极配置
23例类型指定DZ23系列。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17431
机械数据
案例：
SOD- 123塑料外壳
重量：
约。 9.3毫克
包装代码/选项：
GS18 / 10％ 13 "卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 3元7 "卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流见表"
特点"
功耗
功耗
1)
2)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
P
合计
500
2)
410
1)
mW
mW
二极管上的陶瓷基板0.7毫米; 2.5毫米
2
焊盘区
二极管上的陶瓷基板0.7毫米; 5毫米
2
焊盘区
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
J
T
S
价值
300
1)
150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度
文档编号85760
修订版1.5 ， 21 -APR- 05
www.vishay.com
1
BZT52-V-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
记号
CODE
齐纳电压
范围
1)
动态电阻
r
zj
@ I
ZT1
r
zj
@ I
ZT2
TEST
当前
I
ZT1
温度。
系数
@ I
ZT1
反向
电压
V
R
@ I
R
=
100 nA的，
V
受理的齐纳
当前
4)
I
Z
@
T
AMB
=
45 °C,
mA
I
Z
@
T
AMB
=
25 °C,
V
Z
@ I
ZT1
V
民
BZT52C2V4-V
BZT52C2V7-V
BZT52C3V0-V
BZT52C3V3-V
BZT52C3V6-V
BZT52C3V9-V
BZT52C4V3-V
BZT52C4V7-V
BZT52C5V1-V
BZT52C5V6-V
BZT52C6V2-V
BZT52C6V8-V
BZT52C7V5-V
BZT52C8V2-V
BZT52C9V1-V
BZT52C10-V
BZT52C11-V
BZT52C12-V
BZT52C13-V
BZT52C15-V
BZT52C16-V
BZT52C18-V
BZT52C20-V
BZT52C22-V
BZT52C24-V
BZT52C27-V
BZT52C30-V
BZT52C33-V
BZT52C36-V
BZT52C39-V
BZT52C43-V
BZT52C47-V
BZT52C51-V
BZT52C56-V
BZT52C62-V
BZT52C68-V
BZT52C75-V
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
85
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
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10 （ < 40 ）
4.8 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
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28 （ < 80 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
40 （ < 90 ）
50 （ < 90 ）
60 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
＆ LT ; 135
(2)
mA
α
VZ
(10
-4
/°C)
600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
(3)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
- 9 - 4
- 9 - 4
- 9 - 3
- 8 - 3
- 8 - 3
- 7 - 3
- 6 - 1
- 5 2
- 3 4
- 2 6
- 1 7
2至+7
3至+7
+4到+7
+5到+8
+5到+8
+5到+9
+6至+9
+7 +9
+7 +9
8至9.5
8至9.5
+8至+10
+8至+10
+8至+10
+8至+10
+8至+10
+8至+10
+8至+10
+10至+12
+10至+12
+10至+12
+10至+12
（典型值） 。 +10
(2)
-
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
-
-
-
-
-
113
98
92
85
77
71
64
56
50
45
41
37
34
30
28
25
23
21
19
17
15
14
13
11
10
9
8
8
7
6
5
5
-
-
-
-
-
134
118
109
100
92
84
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
-
-
-
-
＆ LT ; 150
(2)
＆ LT ; 200
(2)
＆ LT ; 250
(2)
＆ LT ; 1000
(3)
＆ LT ; 1000
(3)
＆ LT ; 1500
(3)
（典型值） 。 +10
(2)
（典型值） 。 +10
(2)
（典型值） 。 +10
(2)
I
ZT1
= 5毫安，我
ZT2
= 1毫安
(1)
(2)
(3)
(4)
测量脉冲牛逼
p
= 5毫秒
= I
ZT1
= 2.5毫安
= I
ZT2
- 0.5毫安
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
www.vishay.com
2
文档编号85760
修订版1.5 ， 21 -APR- 05
BZT52-V-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
记号
CODE
齐纳电压
范围
1)
动态电阻
r
zj
@ I
ZT1
r
zj
@ I
ZT2
TEST
当前
I
ZT1
温度。
系数
@ I
ZT1
反向
电压
V
R
@ I
R
=
100 nA的，
V
受理的齐纳
当前
4)
I
Z
@
T
AMB
=
45 °C,
mA
I
Z
@
T
AMB
=
25 °C,
V
Z
@ I
ZT1
V
民
BZT52B2V4-V
BZT52B2V7-V
BZT52B3V0-V
BZT52B3V3-V
BZT52B3V6-V
BZT52B3V9-V
BZT52B4V3-V
BZT52B4V7-V
BZT52B5V1-V
BZT52B5V6-V
BZT52B6V2-V
BZT52B6V8-V
BZT52B7V5-V
BZT52B8V2-V
BZT52B9V1-V
BZT52B10-V
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BZT52B12-V
BZT52B13-V
BZT52B15-V
BZT52B16-V
BZT52B18-V
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BZT52B22-V
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BZT52B27-V
BZT52B30-V
BZT52B33-V
BZT52B36-V
BZT52B39-V
BZT52B43-V
BZT52B47-V
BZT52B51-V
BZT52B56-V
BZT52B62-V
BZT52B68-V
BZT52B75-V
W1
W2
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W4
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W7
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WA
WB
WC
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WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.35
2.65
2.94
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4.61
5
5.49
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19.6
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50
54.9
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73.5
最大
2.45
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11.2
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15.3
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18.4
20.4
22.4
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47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
85
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
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4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
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40 （ < 90 ）
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60 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
＆ LT ; 135
(2)
mA
α
VZ
(10
-4
/°C)
600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
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＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
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< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
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(3)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
- 9 - 4
- 9 - 4
- 9 - 3
- 8 - 3
- 8 - 3
- 7 - 3
- 6 - 1
- 5至+ 2
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+2至+ 7
+ 3 + 7的
+ 4 + 7
+5至+ 8
+5至+ 8
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+ 8 + 9.5
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+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 10 + 12
+ 10 + 12
+ 10 + 12
+ 10 + 12
（典型值） 。 + 10
(2)
-
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
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＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
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> 29
> 32
> 35
> 38
-
-
-
-
-
113
98
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85
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64
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50
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41
37
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23
21
19
17
15
14
13
11
10
9
8
8
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5
5
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-
-
-
-
134
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109
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33
30
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25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
-
-
-
-
＆ LT ; 150
(2)
＆ LT ; 200
(2)
＆ LT ; 250
(2)
＆ LT ; 1000
(3)
＆ LT ; 1000
(3)
＆ LT ; 1500
(3)
（典型值） 。 + 10
(2)
（典型值） 。 + 10
(2)
（典型值） 。 + 10
(2)
I
ZT1
= 5毫安，我
ZT2
= 1毫安
1)
2)
3)
4)
测量脉冲牛逼
p
= 5毫秒
= I
ZT1
= 2.5毫安
= I
ZT2
- 0.5毫安
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85760
修订版1.5 ， 21 -APR- 05
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3
BZT52-V-Series
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
18114
18117
图1.正向特性
图4.动态电阻与齐纳电流
18888
18118
图2.容许功耗与环境温度
图5.电容与齐纳电压
°
C
18116
18119
图3.脉冲热电阻与脉冲宽度
图6.动态电阻与齐纳电流
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4
文档编号85760
修订版1.5 ， 21 -APR- 05
BZT52-V-Series
威世半导体
°C
18120
18135
, =
图7.动态电阻与齐纳电流
齐纳电压 - 齐纳图10.温度依赖性
电压
° C / W
18121
18124
图8.热微分电阻与齐纳电压
图11.更改齐纳电压与结温
°C
18122
18136
图9.动态电阻与齐纳电压
齐纳电压 - 齐纳图12.温度依赖性
电压
文档编号85760
修订版1.5 ， 21 -APR- 05
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BTB16-800BW3G
BQ24010DRC
B125C5000-3300
B32653A7223
B32620-A5154
BAR64-02W
BAR64-06
BRUS120
BUZ908
BLF6G38-100
B88069X1200T502
BER-12/625-D12
B43521C5567M007
BUS-61559-440Y
B59525T1120A062
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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