MAGNA
TEC
25.0
+0.1
-0.15
BUZ907
BUZ908
机械数据
尺寸（mm）
P- CHANNEL
功率MOSFET
8.7最大。
1.50
典型值。
11.60
± 0.3
10.90 ± 0.1
功率MOSFET
音频应用
30.2 ± 0.15
20男斧头。
39.0 ± 1.1
16.9 ± 0.15
1
2
1.0
特点
高开关速度
SEMEFAB DESIGNED并扩散
高电压（ 220V & 250V ）
高能耗等级
R 4.0 ± 0.1
R 4.4 ± 0.2
增强型
积分保护二极管
免费N沟道
BUZ902 & BUZ903
案例 - 来源
TO–3
引脚1 - 门
PIN 2 - 漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSX
漏 - 源极电压
V
GSS
I
D
I
D（ PK ）
P
D
T
英镑
T
j
R
θJC
栅 - 源电压
连续漏电流
续流保护二极管
总功耗
存储温度范围
最大工作结温
热阻结 - 壳
@ T
例
= 25°C
BUZ907
-220V
±14V
-8A
-8A
125W
-55 ℃150℃
150°C
1°C/W
BUZ908
-250V
Magnatec 。
电话（ 01455 ） 554711.传真：（ 01455 ） 558843
预赛。 01/97
MAGNA
TEC
特征
BV
DSX
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
DS （ SAT ）
*
R
DS （ ON）
*
BUZ907
BUZ908
静态特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
BUZ907
BUZ908
I
G
= ±100A
I
D
= -100mA
I
D
= -8A
I
D
= -8A
V
DS
= -220V
I
DSX
漏 - 源截止电流
V
GS
= 10V
BUZ907
V
DS
= -250V
BUZ908
YFS *
正向转移导纳
V
DS
= -10V
I
D
= -3A
0.7
2
S
-10
mA
I
D
= -10mA
门 - 源极击穿电压V
DS
= 0
栅 - 源截止电压
漏 - 源极饱和电压
静态 - 源电阻
V
DS
= -10V
V
GD
= 0
V
GS
= -10
分钟。
-220
-250
±14
-0.15
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
漏极 - 源极击穿电压V
GS
= 10V
-1.5
-12
1.5
-10
V
V
mA
动态特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
特征
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
DS
= -10V
F = 1MHz的
V
DS
= -20V
I
D
= -5A
分钟。
典型值。
TBA
TBA
TBA
TBA
TBA
马克斯。
单位
pF
ns
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2%.
D
G
S
Magnatec 。
电话（ 01455 ） 554711.传真：（ 01455 ） 558843
预赛。 01/97
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