【BZM55B...威世德律风根硅外延平面的Z-二极管特点DDDDDDDDDD节省空间气密密封件配合上】,IC型号BZM55B6V2,BZM55B6V2 PDF资料,BZM55B6V2经销商,ic,电子元器件-51电子网

BZM55B...

威世德律风根

硅外延平面的Z-二极管

特点

D

节省空间

气密密封件

配合上323 SOD / SOT 23脚印

电气数据相同的设备

BZT55B ... / TZMB ...

非常尖锐的反向特性

低反向电流水平

非常高的稳定性

低噪音

可以用更严格的公差

V

Z

*公差

±

2%

96 12315

应用

电压稳定

绝对最大额定值

T

j

= 25

_

C

参数

功耗

Z-电流

结温

存储温度范围

测试条件

R

thJA

300K/W

x

TYPE

符号

P

V

I

Z

T

j

T

英镑

价值

500

P

V

/V

Z

175

–65...+175

单位

mW

mA

°

C

°

C

最大热阻

T

j

= 25

_

C

参数

测试条件

交界处的环境安装在环氧树脂玻璃硬组织，图1

结领带35点

m

米覆铜板， 0.9毫米

2

每个电极铜面积

符号

R

thJA

R

thJL

价值

500

300

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25

_

C

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1.5

单位

V

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第3版， 01 -APR- 99

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1 (6)

BZM55B...

威世德律风根

TYPE

BZM55B...

2V4

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

V

ZNOM

V

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

I

ZT

mA

5

2.5

为

V

ZT

和

V

2.35至2.45

2.64至2.76

2.94至3.06

3.24至3.36

3.52至3.68

3.82至3.98

4.22至4.38

4.60 4.80

5.00至5.20

5.48至5.72

6.08至6.32

6.66至6.94

7.35至7.65

8.04至8.36

8.92至9.28

9.80到10.20

10.78至11.22

11.76至12.24

12.74至13.26

14.70至15.30

15.70至16.30

17.64至18.36

19.60至20.40

21.55至22.45

23.5至24.5

26.4至27.6

29.4 30.6

32.4 33.6

35.3至36.7

38.2 39.8

42.1至43.9

46.1 47.9

50.0 52.0

54.9 57.1

60.8至63.2

66.6至69.4

73.5 76.5

r

ZJT

r

张家口

at

I

ZK

mA

1

0.5

I

R

我

R

at

m

A

m

A

2)

< 100 < 50

< 10 < 50

<4

＆ LT ; 40

<2

＆ LT ; 40

<2

＆ LT ; 40

<2

＆ LT ; 40

<1

＆ LT ; 20

< 0.5 < 10

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<5

＆ LT ; 0.1

<5

＆ LT ; 0.1

<5

< 0.1 < 10

V

R

V

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

TK

VZ

%/K

-0.09至-0.06

-0.08 -0.05至

-0.06 -0.03至

-0.05 +0.02至

-0.02 +0.02至

-0.05 +0.05至

0.03 0.06

为0.03 0.07

为0.03 0.08

0.03 0.09

0.03 0.1

0.03 0.11

0.04 0.12

W

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

< 110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

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2 (6)

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BZM55B...

威世德律风根

特征

(T

j

= 25

_

C除非另有说明）

600

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

500

400

300

200

100

0

95 9602

200

C

D

- 二极管电容（pF ）

150

V

R

= 2V

100

T

j

= 25°C

50

0

40

80

120

160

200

95 9601

0

5

10

15

20

25

T

AMB

- 环境温度（

°C

)

V

Z

- z - 电压（V）

总功耗对比

环境温度

1000

V

ZTN

- 相对电压变化

- 电压变化（MV ）

1.3

二极管电容与Z-电压

V

ZTN

=V

Zt

/V

Z

(25°C)

1.2

TK

VZ

=10

10

–4

/K

8

6

10

–4

/K

10

–4

/K

10

–4

/K

10

–4

/K

T

j

= 25°C

100

1.1

4

2

I

Z

=5mA

10

1.0

0.9

0.8

–60

0

–2 10

–4

/K

–4

10

–4

/K

D

V

Z

1

0

95 9598

5

10

15

20

25

95 9599

0

60

120

180

240

V

Z

- z - 电压（V）

T

j

- 结温（

°C

)

工作电压的典型变化

根据工作条件在T

AMB

=25

°

C

TK

VZ

- 温度V系数

Z

( 10

–4

/K )

15

I

F

- 正向电流（mA ）

工作电压与典型的变化

结温

100

10

T

j

= 25°C

1

5

I

Z

=5mA

0

0.1

0.01

0.001

–5

0

10

20

30

40

50

V

Z

- z - 电压（V）

0

95 9605

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

95 9600

V

F

- 正向电压（ V）

Vz的温度系数与Z-电压

正向电流与正向电压

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3 (6)

BZM55B...

威世德律风根

100

r

Z

- 微分Z-电阻（

W

)

1000

I

Z

- Z-电流（mA ）

80

P

合计

=500mW

T

AMB

=25°C

60

I

Z

=1mA

100

5mA

10 10毫安

40

20

0

4

8

12

16

20

1

0

95 9606

T

j

= 25°C

5

10

15

20

25

95 9604

V

Z

- z - 电压（V）

V

Z

- z - 电压（V）

Z-电流与Z-电压

50

P

合计

=500mW

T

AMB

=25°C

差分Z-电阻与Z-电压

I

Z

- Z-电流（mA ）

40

30

20

10

0

15

20

25

30

35

95 9607

V

Z

- z - 电压（V）

Z-电流与Z-电压

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（K / W）

1000

t

p

/T=0.5

100

t

p

/T=0.2

单脉冲

10

t

p

/T=0.1

t

p

/T=0.05

1

10

–1

t

p

/T=0.02

i

ZM

=(–V

Z

+(V

Z2

+4r

zj

t

p

/T=0.01

D

T=T

JMAX

–T

AMB

R

thJA

=300K/W

D

T /

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

10

0

10

1

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

95 9603

热响应

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4 (6)

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BZM55B...

威世德律风根

0.71

1.3

1.27

95 10331

波峰焊

0.152

1.4

9.9

25

0.355

0.7

1.4

2.8

10

0.7

推荐的脚垫（单位mm）

2.5

24

95 10329

董事会对R

thJA

定义（单位mm）

再溢流焊接

95 10330

1.2

0.6

1.2

2.4

0.6

推荐的脚垫（单位mm）

尺寸（mm）

96 12072

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BZM55-Series

威世半导体

小信号齐纳二极管

特点

节省空间

密封的密封件

e2

电气数据相同的设备

BZT55..Series / TZM..Series

适合到SOD323 / SOD110脚印

非常尖锐的反向特性

低反向电流水平

非常高的稳定性

- 低噪声

有严格的公差

铅（Pb） -free组件

按照RoHS 2002/95 / EC组件

和WEEE 2002/96 / EC

9612315

应用

电压稳定

机械数据

案例：

MicroMELF

重量：

约。 12毫克

包装代码/选项：

TR / 2.5 每7"卷轴， 12.5 K /盒

每13"卷轴TR3 / 10 K， 10 K /盒

绝对最大额定值

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

功耗

Z-电流

结温

存储温度范围

测试条件

R

thJA

≤

300 K / W

符号

P

V

I

Z

T

j

T

英镑

价值

500

P

V

/V

Z

175

- 65 + 175

单位

mW

mA

°C

热特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

结到环境空气

结领带点

测试条件

安装在环氧树脂 - 玻璃硬

组织，图1

35微米的铜包铝， 0.9毫米

2

每个电极铜面积

符号

R

thJA

R

thJL

价值

500

300

单位

K / W

电气特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

正向电压

测试条件

I

F

= 200毫安

符号

V

F

民

典型值。

最大

1.5

单位

V

文档编号85597

修订版1.9 ， 10 -MAR -06

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1

BZM55-Series

威世半导体

电气特性

BZM55C..

部分号码

齐纳电压

范围

1)

动态

阻力

r

ZJT

at

I

ZT

,

F = 1kHz时

Ω

r

张家口

at

I

ZK

,

F = 1kHz时

TEST

当前

I

ZT

温度

系数

TK

VZ

TEST

当前

I

ZK

反向漏电流

I

R

I

R

在T

AMB

在T

AMB

= 25 °C = 150 °C

A

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

在V

R

V

Z

在我

ZT

V

民

BZM55C2V4

BZM55C2V7

BZM55C3V0

BZM55C3V3

BZM55C3V6

BZM55C3V9

BZM55C4V3

BZM55C4V7

BZM55C5V1

BZM55C5V6

BZM55C6V2

BZM55C6V8

BZM55C7V5

BZM55C8V2

BZM55C9V1 *

BZM55C10 *

BZM55C11 *

BZM55C12 *

BZM55C13 *

BZM55C15 *

BZM55C16 *

BZM55C18 *

BZM55C20 *

BZM55C22 *

BZM55C24 *

BZM55C27 *

BZM55C30 *

BZM55C33 *

BZM55C36 *

BZM55C39 *

BZM55C43 *

BZM55C47 *

BZM55C51 *

BZM55C56 *

BZM55C62 *

BZM55C68 *

BZM55C75 *

1)

*)

mA

民

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

5

2.5

- 0.09

- 0.08

-0.08

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

%/K

最大

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

mA

1

0.5

V

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

最大

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

0.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

110

125

135

150

200

250

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

t

p

≤

10毫秒，T / T

p

＆ GT ; 1000

电压组9V1到75的95 ％V其它附加的测量

ZMIN

≤

35 nA的在T

j

25 °C

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2

文档编号85597

修订版1.9 ， 10 -MAR -06

BZM55-Series

威世半导体

电气特性

BZM55B..

部分号码

齐纳电压

范围

1)

动态

阻力

r

ZJT

at

I

ZT

,

F = 1kHz时

Ω

r

张家口

at

I

ZK

,

F = 1kHz时

TEST

当前

I

ZT

温度

系数

TK

VZ

TEST

当前

I

ZK

反向漏电流

I

R

at

T

AMB

=

25 °C

A

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

I

R

at

T

AMB

=

150 °C

在V

R

V

Z

在我

ZT

V

民

BZM55B2V4

BZM55B2V7

BZM55B3V0

BZM55B3V3

BZM55B3V6

BZM55B3V9

BZM55B4V3

BZM55B4V7

BZM55B5V1

BZM55B5V6

BZM55B6V2

BZM55B6V8

BZM55B7V5

BZM55B8V2

BZM55B9V1 *

BZM55B10 *

BZM55B11 *

BZM55B12 *

BZM55B13 *

BZM55B15 *

BZM55B16 *

BZM55B18 *

BZM55B20 *

BZM55B22 *

BZM55B24 *

BZM55B27 *

BZM55B30 *

BZM55B33 *

BZM55B36 *

BZM55B39 *

BZM55B43 *

BZM55B47 *

BZM55B51 *

BZM55B56 *

BZM55B62 *

BZM55B68 *

BZM55C75 *

1)

*)

mA

民

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

5

2.5

- 0.09

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

%/K

最大

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

mA

1

0.5

V

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

最大

2.45

2.76

3.06

3.36

3.68

3.98

4.38

4.80

5.20

5.72

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.20

11.22

12.24

13.26

15.30

16.30

18.36

20.40

22.45

24.5

27.6

30.6

33.6

36.7

39.8

43.9

47.9

52.0

57.1

63.2

69.4

76.5

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

< 110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

2.35

2.64

2.94

3.24

3.52

3.82

4.22

4.6

5

5.48

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.8

10.78

11.76

12.74

14.7

15.7

17.64

19.6

21.55

23.5

26.4

29.4

32.4

35.3

38.2

42.1

46.1

50

54.9

60.8

66.6

73.5

t

p

≤

10毫秒，T / T

p

＆ GT ; 1000

电压组9V1到75的95 ％V其它附加的测量

ZMIN

≤

35 nA的在T

j

25 °C

文档编号85597

修订版1.9 ， 10 -MAR -06

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3

BZM55-Series

威世半导体

典型特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

500

400

300

200

100

0

C

D

- 二极管电容（pF ）

600

200

150

V

R

= 2

V

T

j

= 25 °C

100

50

0

40

80

120

160

200

0

95 9601

5

10

15

20

25

95 9602

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

V

Z

- z - 电压（V）

图1.总功率耗散与环境温度

图4.二极管电容与Z-电压

V

ZTN

- 相对

电压

变化

1000

V

Z

-

电压

CHANGE （MV ）

1.3

V

ZTN

=

V

Zt

/V

Z

(25 °C)

T

j

= 25 °C

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

- 60

95 9599

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8

x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

100

I

Z

= 5毫安

10

0

- 2 x 10

-4

/K

- 4 x 10

-4

/K

1

0

95 9598

5

10

15

20

25

0

60

120

180

240

V

Z

- z - 电压（V）

T

j

- 结温（ ° C）

工作电压下运行图2.典型的变化

在T条件

AMB

=25°C

工作电压图5.典型的变化与结

温度

TK

VZ

- 温度系数

V

Z

(10

-4

/K)

15

I

F

- 正向电流（mA ）

100

10

T

j

= 25 °C

10

1

5

I

Z

= 5毫安

0.1

0.01

0.001

0

-5

0

95 9600

10

20

40

30

V

Z

- z - 电压（V）

50

95 9605

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

F

- 前进

电压

(V)

Vz的图3.温度系数与Z-电压

图6.正向电流与正向电压

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BZM55-Series

威世半导体

100

80

I

Z

- Z-电流（mA ）

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

0.71

1.3

1.27

0.152

60

25

9.9

0.355

40

10

20

2.5

0

95 9604

4

6

8

12

20

95 10329

24

V

Z

- z - 电压（V）

图7. Z-电流与Z-电压

图10.董事会对R

thJA

定义（单位mm）

50

40

30

20

10

0

15

95 9607

I

Z

- Z-电流（mA ）

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

再溢流焊接

1.2

0.8

20

25

30

35

0.8

2.4

0.8

16773

V

Z

- z - 电压（V）

图8. Z-电流与Z-电压

图11.推荐的脚垫（单位mm）

r

Z

- 微分Z-电阻（Ω ）

1000

WAVE

焊接

I

Z

= 1毫安

100

1.4

5毫安

10

10毫安

0.9

1

TJ = 25 C

1.0

2.8

0.9

0

95 9606

5

10

15

20

25

16774

V

Z

- z - 电压（V）

图9.差分Z-电阻与Z-电压

图12.推荐的脚垫（单位mm）

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BZM55-Series

威世半导体

小信号齐纳二极管

特点

节省空间

密封的密封件

电气数据相同的设备

BZT55..Series/TZM..Series

适合到SOD- 323 / SOD- 110的脚印

非常尖锐的反向特性

低反向电流水平

非常高的稳定性

- 低噪声

有严格的公差

AEC- Q101标准

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

符合IEC 61249-2-21无卤素

德网络nition

9612315

机械数据

案例：

MicroMELF

重量：

约。 12毫克

包装代码/选项：

TR / 2.5 每7"卷轴， 12.5 K /盒

每13"卷轴TR3 / 10 K， 10 K /盒

应用

电压稳定

绝对最大额定值

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

功耗

Z-电流

结温

存储温度范围

测试条件

R

thJA

≤

300 K / W

符号

P

V

I

Z

T

j

T

英镑

价值

500

P

V

/V

Z

175

- 65 + 175

单位

mW

mA

°C

热特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

结到环境空气

结领带点

测试条件

安装在环氧树脂 - 玻璃硬

组织，图1

35微米的铜包铝， 0.9毫米

2

每个电极铜面积

符号

R

thJA

R

thJL

价值

500

300

单位

K / W

电气特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

正向电压

测试条件

I

F

= 200毫安

符号

V

F

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

单位

V

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1

BZM55-Series

威世半导体

电气特性

BZM55C..

齐纳电压

范围

产品型号

1)

动态

阻力

r

ZJT

at

I

ZT

,

F = 1kHz时

Ω

r

张家口

at

I

ZK

,

F = 1kHz时

TEST

当前

I

ZT

mA

温度

系数

TK

VZ

%/K

分钟。

马克斯。

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

- 0.09

- 0.08

-0.08

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

TEST

当前

I

ZK

mA

1

0.5

反向漏电流

I

R

I

R

在T

AMB

在T

AMB

= 25 °C = 150 °C

A

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

V

Z

在我

ZT

V

分钟。

马克斯。

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

0.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

在V

R

V

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

BZM55C2V4

BZM55C2V7

BZM55C3V0

BZM55C3V3

BZM55C3V6

BZM55C3V9

BZM55C4V3

BZM55C4V7

BZM55C5V1

BZM55C5V6

BZM55C6V2

BZM55C6V8

BZM55C7V5

BZM55C8V2

BZM55C9V1 *

BZM55C10 *

BZM55C11 *

BZM55C12 *

BZM55C13 *

BZM55C15 *

BZM55C16 *

BZM55C18 *

BZM55C20 *

BZM55C22 *

BZM55C24 *

BZM55C27 *

BZM55C30 *

BZM55C33 *

BZM55C36 *

BZM55C39 *

BZM55C43 *

BZM55C47 *

BZM55C51 *

BZM55C56 *

BZM55C62 *

BZM55C68 *

BZM55C75 *

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

110

125

135

150

200

250

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

5

2.5

注意事项：

1)

t

p

≤

10毫秒，T / T

p

＆ GT ; 1000

*)

电压组9V1的其它附加测量到75％，在95 ％的V

ZMIN 。

≤

35 nA的在T

j

25 °C

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BZM55-Series

威世半导体

电气特性

BZM55B..

齐纳电压

范围

产品型号

1)

动态

阻力

r

ZJT

at

I

ZT

,

F = 1kHz时

Ω

r

张家口

at

I

ZK

,

F = 1kHz时

TEST

当前

I

ZT

mA

温度

系数

TK

VZ

%/K

分钟。

马克斯。

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

- 0.09

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

TEST

当前

I

ZK

mA

1

0.5

反向漏电流

I

R

at

T

AMB

=

25 °C

A

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

I

R

at

T

AMB

=

150 °C

V

Z

在我

ZT

V

分钟。

马克斯。

2.45

2.76

3.06

3.36

3.68

3.98

4.38

4.80

5.20

5.72

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.20

11.22

12.24

13.26

15.30

16.30

18.36

20.40

22.45

24.5

27.6

30.6

33.6

36.7

39.8

43.9

47.9

52.0

57.1

63.2

69.4

76.5

在V

R

V

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

BZM55B2V4

BZM55B2V7

BZM55B3V0

BZM55B3V3

BZM55B3V6

BZM55B3V9

BZM55B4V3

BZM55B4V7

BZM55B5V1

BZM55B5V6

BZM55B6V2

BZM55B6V8

BZM55B7V5

BZM55B8V2

BZM55B9V1 *

BZM55B10 *

BZM55B11 *

BZM55B12 *

BZM55B13 *

BZM55B15 *

BZM55B16 *

BZM55B18 *

BZM55B20 *

BZM55B22 *

BZM55B24 *

BZM55B27 *

BZM55B30 *

BZM55B33 *

BZM55B36 *

BZM55B39 *

BZM55B43 *

BZM55B47 *

BZM55B51 *

BZM55B56 *

BZM55B62 *

BZM55B68 *

BZM55B75 *

2.35

2.64

2.94

3.24

3.52

3.82

4.22

4.6

5

5.48

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.8

10.78

11.76

12.74

14.7

15.7

17.64

19.6

21.55

23.5

26.4

29.4

32.4

35.3

38.2

42.1

46.1

50

54.9

60.8

66.6

73.5

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

< 110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

5

2.5

注意事项：

1)

t

p

≤

10毫秒，T / T

p

＆ GT ; 1000

*)

电压组9V1的其它附加测量到75％，在95 ％的V

ZMIN 。

≤

35 nA的在T

j

25 °C

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BZM55-Series

威世半导体

典型特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

600

500

400

300

200

100

0

95 9602

200

C

D

- 二极管电容（pF ）

150

V

R

= 2

V

T

j

= 25 °C

100

50

0

80

120

160

40

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

200

95 9601

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

图1.总功率耗散与环境温度

图4.二极管电容与Z-电压

1000

1.3

V

ZTN

- 相对电压变化

V

ZTN

= V

Zt

/V

Z

(25 °C)

1.2

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8 x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

V

Z

-

电压

CHANGE （MV ）

T

j

= 25 °C

100

1.1

I

Z

= 5毫安

10

1.0

0.9

0.8

0

- 2 x 10

-4

/K

- 4 x 10

-4

/K

1

0

95 9598

5

10

15

20

25

95 9599

- 60

0

60

120

180

240

V

Z

- z - 电压（V）

T

j

- 结温（ ° C）

工作电压下运行图2.典型的变化

在T条件

AMB

=25°C

15

工作电压与图5.典型的变化

结温

100

TK

VZ

- 温度系数

of

V

Z

(10

-4

/K)

I

F

- 正向电流（mA ）

10

T

j

= 25 °C

1

5

I

Z

= 5毫安

0

0.1

0.01

-5

0.001

0

95 9600

10

20

30

40

50

95 9605

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

Z

- z - 电压（V）

V

F

- 前进

电压

(V)

Vz的图3.温度系数与Z-电压

图6.正向电流与正向电压

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4

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2.0版本， 26 - 8 - 10

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BZM55-Series

威世半导体

100

0.71

0.152

1.3

1.27

80

I

Z

- Z-电流（mA ）

60

25

0.355

40

10

20

2.5

0

95 9604

0

4

6

8

12

20

95 10329

24

V

Z

- z - 电压（V）

图7. Z-电流与Z-电压

图10.董事会对R

thJA

定义（单位mm）

50

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

再溢流焊接

40

I

Z

- Z-电流（mA ）

30

1.2

20

10

0.8

15

20

25

30

35

16773

0.8

2.4

0.8

0

95 9607

V

Z

- z - 电压（V）

图8. Z-电流与Z-电压

图11.推荐的脚垫（单位mm）

1000

r

Z

- 微分Z-电阻（Ω ）

WAVE

焊接

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

10 10毫安

1.4

0.9

1

0

5

10

15

T

j

= 25 °C

20

25

16774

1.0

2.8

0.9

95 9606

V

Z

- z - 电压（V）

图9.差分Z-电阻与Z-电压

图12.推荐的脚垫（单位mm）

文档编号85597

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5

9.9

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

BZM55B...

威世德律风根

硅外延平面的Z-二极管

特点

D

节省空间

气密密封件

配合上323 SOD / SOT 23脚印

电气数据相同的设备

BZT55B ... / TZMB ...

非常尖锐的反向特性

低反向电流水平

非常高的稳定性

低噪音

可以用更严格的公差

V

Z

*公差

±

2%

96 12315

应用

电压稳定

绝对最大额定值

T

j

= 25

_

C

参数

功耗

Z-电流

结温

存储温度范围

测试条件

R

thJA

300K/W

x

TYPE

符号

P

V

I

Z

T

j

T

英镑

价值

500

P

V

/V

Z

175

–65...+175

单位

mW

mA

°

C

°

C

最大热阻

T

j

= 25

_

C

参数

测试条件

交界处的环境安装在环氧树脂玻璃硬组织，图1

结领带35点

m

米覆铜板， 0.9毫米

2

每个电极铜面积

符号

R

thJA

R

thJL

价值

500

300

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25

_

C

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1.5

单位

V

文档编号85597

第3版， 01 -APR- 99

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1 (6)

BZM55B...

威世德律风根

TYPE

BZM55B...

2V4

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

V

ZNOM

V

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

I

ZT

mA

5

2.5

为

V

ZT

和

V

2.35至2.45

2.64至2.76

2.94至3.06

3.24至3.36

3.52至3.68

3.82至3.98

4.22至4.38

4.60 4.80

5.00至5.20

5.48至5.72

6.08至6.32

6.66至6.94

7.35至7.65

8.04至8.36

8.92至9.28

9.80到10.20

10.78至11.22

11.76至12.24

12.74至13.26

14.70至15.30

15.70至16.30

17.64至18.36

19.60至20.40

21.55至22.45

23.5至24.5

26.4至27.6

29.4 30.6

32.4 33.6

35.3至36.7

38.2 39.8

42.1至43.9

46.1 47.9

50.0 52.0

54.9 57.1

60.8至63.2

66.6至69.4

73.5 76.5

r

ZJT

r

张家口

at

I

ZK

mA

1

0.5

I

R

我

R

at

m

A

m

A

2)

< 100 < 50

< 10 < 50

<4

＆ LT ; 40

<2

＆ LT ; 40

<2

＆ LT ; 40

<2

＆ LT ; 40

<1

＆ LT ; 20

< 0.5 < 10

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<2

＆ LT ; 0.1

<5

＆ LT ; 0.1

<5

＆ LT ; 0.1

<5

< 0.1 < 10

V

R

V

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

TK

VZ

%/K

-0.09至-0.06

-0.08 -0.05至

-0.06 -0.03至

-0.05 +0.02至

-0.02 +0.02至

-0.05 +0.05至

0.03 0.06

为0.03 0.07

为0.03 0.08

0.03 0.09

0.03 0.1

0.03 0.11

0.04 0.12

W

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

< 110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

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2 (6)

文档编号85597

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BZM55B...

威世德律风根

特征

(T

j

= 25

_

C除非另有说明）

600

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

500

400

300

200

100

0

95 9602

200

C

D

- 二极管电容（pF ）

150

V

R

= 2V

100

T

j

= 25°C

50

0

40

80

120

160

200

95 9601

0

5

10

15

20

25

T

AMB

- 环境温度（

°C

)

V

Z

- z - 电压（V）

总功耗对比

环境温度

1000

V

ZTN

- 相对电压变化

- 电压变化（MV ）

1.3

二极管电容与Z-电压

V

ZTN

=V

Zt

/V

Z

(25°C)

1.2

TK

VZ

=10

10

–4

/K

8

6

10

–4

/K

10

–4

/K

10

–4

/K

10

–4

/K

T

j

= 25°C

100

1.1

4

2

I

Z

=5mA

10

1.0

0.9

0.8

–60

0

–2 10

–4

/K

–4

10

–4

/K

D

V

Z

1

0

95 9598

5

10

15

20

25

95 9599

0

60

120

180

240

V

Z

- z - 电压（V）

T

j

- 结温（

°C

)

工作电压的典型变化

根据工作条件在T

AMB

=25

°

C

TK

VZ

- 温度V系数

Z

( 10

–4

/K )

15

I

F

- 正向电流（mA ）

工作电压与典型的变化

结温

100

10

T

j

= 25°C

1

5

I

Z

=5mA

0

0.1

0.01

0.001

–5

0

10

20

30

40

50

V

Z

- z - 电压（V）

0

95 9605

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

95 9600

V

F

- 正向电压（ V）

Vz的温度系数与Z-电压

正向电流与正向电压

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3 (6)

BZM55B...

威世德律风根

100

r

Z

- 微分Z-电阻（

W

)

1000

I

Z

- Z-电流（mA ）

80

P

合计

=500mW

T

AMB

=25°C

60

I

Z

=1mA

100

5mA

10 10毫安

40

20

0

4

8

12

16

20

1

0

95 9606

T

j

= 25°C

5

10

15

20

25

95 9604

V

Z

- z - 电压（V）

V

Z

- z - 电压（V）

Z-电流与Z-电压

50

P

合计

=500mW

T

AMB

=25°C

差分Z-电阻与Z-电压

I

Z

- Z-电流（mA ）

40

30

20

10

0

15

20

25

30

35

95 9607

V

Z

- z - 电压（V）

Z-电流与Z-电压

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（K / W）

1000

t

p

/T=0.5

100

t

p

/T=0.2

单脉冲

10

t

p

/T=0.1

t

p

/T=0.05

1

10

–1

t

p

/T=0.02

i

ZM

=(–V

Z

+(V

Z2

+4r

zj

t

p

/T=0.01

D

T=T

JMAX

–T

AMB

R

thJA

=300K/W

D

T /

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

10

0

10

1

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

95 9603

热响应

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4 (6)

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BZM55B...

威世德律风根

0.71

1.3

1.27

95 10331

波峰焊

0.152

1.4

9.9

25

0.355

0.7

1.4

2.8

10

0.7

推荐的脚垫（单位mm）

2.5

24

95 10329

董事会对R

thJA

定义（单位mm）

再溢流焊接

95 10330

1.2

0.6

1.2

2.4

0.6

推荐的脚垫（单位mm）

尺寸（mm）

96 12072

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5 (6)

RoHS指令

BZM55B2V0-BZM55B75

稳压二极管

特点

1.节省空间

2.适合到323 SOD / SOT 23脚印

3.微晶圆电阻包

4. Vz的公差± 2 ％

应用

电压稳定

施工

硅外延平面

绝对最大额定值

T

j

=25℃

参数

功耗

Z-电流

结温

存储温度范围

最大热阻

T

j

=25℃

交界处的环境

W

电气特性

T

j

=25℃

参数

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1.5

单位

V

正向电压

J

E

参数

E

C

E

L

测试条件

R

thJA

≦300K/W

R

T

O

N

C

I

符号

P

V

I

Z

T

j

T

英镑

C

O

L

,

.

D

T

TYPE

价值

500

P

V

/V

Z

175

-65~+175

单位

mW

mA

℃

测试条件

在PC板50毫米×50 × 1.6毫米

符号

R

thJA

价值

500

单位

K / W

永而佳电子有限公司。

HTTP ： // www.wej.cn

电子信箱： wej@yongerjia.com

RoHS指令

BZM55B2V0-BZM55B75

TYPE

BZM55B.

2V0

2V2

2V4

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

W

1)

2)

BZM55C ... ± Vznom 5％

BZM55B…

±2%

V的

ZNOM

J

E

V

ZNOM

V

2.0

2.2

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

E

I

ZT

mA

5

2.5

C

E

L

对于V

ZT

和

r

ZJT

1)

V

Ω

1.96~2.04

100

2.15~2.25

100

2.35~2.45

<85

2.64~2.76

<85

2.94~3.06

<85

3.24~3.36

<85

3.52~3.68

<85

3.82~3.98

<85

4.22~4.38

<75

4.6~4.8

<60

5.0~5.2

<35

5.48~5.72

<25

6.08~6.32

<10

6.66~6.94

<8

7.35~7.65

<7

8.04~8.36

<7

8.92~9.28

<10

9.8~10.2

<15

10.78~11.22

<20

11.76~12.24

<20

12.74~13.26

<26

14.7~15.3

<30

15.7~16.3

<40

17.64~18.36

<50

19.6~20.4

<55

21.55~22.45

<55

23.5~24.5

<80

26.4~27.6

<80

29.4~30.6

<80

32.4~33.6

<80

35.3~36.7

<80

38.2~39.8

<90

42.1~43.9

<90

46.1~47.9

<110

50~52

<125

54.9~57.1

<135

60.8~63.2

<150

66.6~69.4

<200

73.5~76.5

<250

R

T

r

张家口

at

Ω

<600

<550

<450

<200

<150

<50

<70

<90

<110

<170

<220

<500

<600

<700

<1000

<1500

O

I

ZK

mA

1

0.5

N

I

R

我

R

at

2)

μA

<150 <300

<50

<100

<10

<50

<4

<40

<2

<40

<2

<40

<2

<40

<1

<20

<0.5

<10

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<2

<0.1

<5

<0.1

<5

<0.1

<5

<0.1

<10

<0.1

<10

<0.1

<10

<0.1

<10

<0.1

<10

C

I

C

V

R

V

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

O

TK

VZ

%/K

-0.09~-0.06

-0.08~-0.05

-0.06~-0.03

-0.05~+0.02

-0.02~+0.02

-0.05~+0.05

0.03~0.06

0.03~0.07

0.03~0.08

0.03~0.09

0.03~0.1

0.03~0.11

0.04~0.12

L

,

.

D

T

在T

j

=150℃

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特征

(T

j

= 25 ℃除非另有规定）

图1.总功率耗散与环境

温度

工作电压与图4.典型的变化

结温

工作电压下图2.典型的变化

工作条件在T

AMB

=25℃

W

J

E

C

E

L

R

T

O

N

C

I

C

O

L

,

.

D

T

Vz的图5.温度系数与Z-电压

图3.二极管电容与Z-电压

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图6.正向电流与正向电压

图8. Z-电流与Z-电压

图7. Z-电流与Z-电压

W

J

E

C

E

L

R

T

O

N

C

I

C

O

L

,

.

D

T

图9.差分Z-电阻Vz的与Z-电压

图10.热响应

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尺寸（mm）

阴极鉴定

1.35

玻璃

R≥2.5

玻璃

1.9±0.1

玻璃柜

微型晶圆电阻

W

J

E

C

E

L

R

T

O

N

C

I

C

O

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Φ1.25

- 0.05

L

,

.

D

T

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