BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
512K ×16位
（单CE引脚）
BS616LV8017
宽的Vcc工作电压： 2.4 5.5V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 30毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 31毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 24毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 25毫安（ @为70ns ）工作电流
1.5uA （典型值）。
CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 75毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 76毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 60毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 61毫安（ @为70ns ）工作电流
8.0uA （典型值）。
CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV8017是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为524288的单词和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
of
1.5uA
在3V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供使能（CE ）
，低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV8017具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8017是48B BGA和44L TSOP2封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV8017EC
BS616LV8017FC
BS616LV8017EI
BS616LV8017FI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 5.5V
为70ns ： 2.7 5.5V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
TSOP2-44
BGA-48-0912
TSOP2-44
BGA-48-0912
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
70ns
Vcc=5V
70ns
55 / 70
55 / 70
5uA
10uA
55uA
110uA
24mA
25mA
60mA
61mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
A8
A9
A10
A11
A12
A13
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 4096
BS616LV8017EC
BS616LV8017EI
4096
D0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
1
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
.
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A 14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A 15
A 13
A 10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A 11
6
NC
D0
D2
V CC
V SS
D6
D7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
V SS
V CC
D14
D15
A 18
.
.
.
.
D15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
VSS
控制
16
地址输入缓冲器
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A18
48球CSP顶视图
华晨半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV8017
1
修订版2.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS616LV8017
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288个16位字中的一个。
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时，数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活，取消选择器件，是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
名字
A0 - A18地址输入
CE芯片使能输入
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
VSS
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
CE
H
X
L
L
L
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
L
LB
X
H
H
X
L
读
H
L
L
写
L
L
X
H
L
UB
X
H
H
X
L
L
H
L
L
H
D0~D7
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
D8~D15
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
单位
V
O
O
工作范围
环境
范围
温度
广告
产业
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
C
IN
V
IN
=0V
10
pF
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
C
DQ
V
I / O
=0V
12
pF
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
R0201-BS616LV8017
2
修订版2.1
一月
2004
BSI
DC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(4)
BS616LV8017
测试条件
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
MIN 。 TYP 。
-0.5
2.0
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
(1)
马克斯。
0.8
VCC
+
0.3
1
1
0.4
--
25
61
1
2
10
110
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
,
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE = V
IL
,I
DQ
= 0毫安
， F =最大频率
(2)
CE = V
IH
,I
DQ
= 0毫安
CE
≧
VCC -0.2V ，
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
70ns
70ns
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流
-
TTL
待机电流
-
CMOS
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
1.5
8.0
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4.电流Icc
=最大。
是31毫安在55ns操作（ @ 3.0V ） / 76毫安（ @ 5.0V ） 。
5.I
cc
s
B1
is
5uA/55uA
在Vcc = 3.0V / 5.0V和T
A
=70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V ，
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V ，
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
见保留波形
分钟。
1.5
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.8
--
--
马克斯。
--
2.5
--
--
单位
V
uA
ns
ns
2. t
RC
=读周期时间
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
3. I
cc
DR
（最大值）为
1.3uA
在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形
（ CE控制）
数据保持方式
VCC
V
IH
VCC
V
DR
≥
1.5V
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS616LV8017
3
修订版2.1
一月
2004
BSI
AC测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
BS616LV8017
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 30pF的+ 1TTL
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
,
AC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
读周期
JEDEC
参数
参数
名字
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
(1)
循环时间： 70ns的周期时间： 55ns
分钟。典型值。马克斯。
VCC = 2.7 5.5V
分钟。典型值。马克斯。
VCC = 3.0 5.5V
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
ELQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
70
--
（ CE）
（ LB ， UB ）
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
55
--
--
--
--
10
5
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
30
30
--
--
--
30
30
25
--
--
--
--
10
5
5
--
--
--
10
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
数据字节控制到输出高Z（ LB ， UB ）
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
注意：
1. t
BA
是为35ns / 30ns的（ @ =速度为70ns / 55ns ）与地址切换。
t
BA
是为70ns / 55ns （ @ =速度为70ns / 55ns ）没有地址切换。
R0201-BS616LV8017
4
修订版2.1
一月
2004
超低功耗CMOS SRAM
512K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV8017
n
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 31毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.8uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V
工作电流： 76毫安为55ns （最大）
10mA（最）在1MHz
待机电流： 3.5uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616LV8017是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为524,288和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
0.8uA的电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV8017具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8017可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV8017DC
BS616LV8017EC
BS616LV8017FI
BS616LV8017EI
BS616LV8017FI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
50uA
8.0uA
10mA
40mA
76mA
2mA
20mA
31mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
25uA
4.0uA
9mA
39mA
75mA
1.5mA
19mA
30mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
TSOP II- 44
BGA-48-0912
TSOP II- 44
BGA-48-0912
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
A8
A9
A10
A11
A12
A13
n
框图
BS616LV8017EC
BS616LV8017EI
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 8192
8192
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
数据
输入
卜FF器
16
512
列解码器
9
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
A18
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
16
数据
产量
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
控制
A14 A15 A16 A17 A18 A0 A1 A2 A3
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616LV8017
1
修订版2.3
五月。
2006
BS616LV8017
n
引脚说明
名字
A0 - A18地址输入
CE芯片使能输入
功能
这19个地址输入端选择524,288中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616LV8017
2
修订版2.3
五月。
2006
BS616LV8017
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
O
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
5.5
单位
V
输入低电压
--
0.8
V
CC
+0.3
(3)
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
CE = V
IH
输出漏电流
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
输出低电压
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
2.2
--
V
输入漏电流
--
--
1
uA
--
--
1
uA
--
--
0.4
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
V
CC
=3.0V
2.4
--
--
31
76
V
--
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
--
mA
--
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
--
2
10
mA
--
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
--
0.8
3.5
1.0
2.0
mA
待机电流
–
CMOS
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
--
V
CC
=5.0V
8.0
50
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CC （ MAX 。 ）
为30mA / 75毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为4.0uA / 25uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
R0201-BS616LV8017
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修订版2.3
五月。
2006
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