【BZD27C3V6P到BZD27C200P威世半导体齐纳二极管与浪涌电流规格特点酸化镍平面齐纳二极管】,IC型号BZD27C16P-GS08,BZD27C16P-GS08 PDF资料,BZD27C16P-GS08经销商,ic,电子元器件-51电子网

BZD27C3V6P到BZD27C200P

威世半导体

齐纳二极管与浪涌电流规格

特点

酸化镍平面齐纳二极管

薄型表面贴装封装

e3

稳压和浪涌电流规格

低漏电流

卓越的稳定性

高温焊接：

260 ℃/ 10秒。在终端

铅（Pb） -free组件

按照RoHS 2002/95 / EC组件

和WEEE 2002/96 / EC

17249

机械数据

案例：

JEDEC DO- 219AB （ SMF

）塑料外壳

重量：

约。 15毫克

包装代码/选项：

每13 "卷轴GS18 / 10 K，（8毫米磁带）， 50 K /盒

每7 "卷轴GS08 / 3 K，（8毫米磁带）， 30 K /盒

绝对最大额定值

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

功耗

测试条件

T

L

= 80 °C

T

A

= 25 °C

非重复性峰值脉冲功率100

s

方波脉冲

2)

耗散

10/1000

s

波形（ BZD27-

C7V5P到BZD27 - C100P ）

C110P到BZD27 - C200P ）

1)

2)

符号

P

合计

P

合计

P

ZSM

P

RSM

P

RSM

价值

2.3

0.8

1)

300

150

100

单位

W

10/1000

s

波形（ BZD27-

2)

安装在环氧玻璃印刷电路板用3 ×3mm的铜焊盘（ ≥ 40

m

厚）

T

J

= 25℃至暴涨前

热特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

热阻结到环境

热电阻交界处领导

最高结温

存储温度范围

1)

测试条件

空气

1)

符号

R

thJA

R

thJL

T

j

T

S

价值

180

30

150

- 55至+ 150

单位

K / W

°C

安装在环氧玻璃印刷电路板用3 ×3mm的铜焊盘（ ≥ 40

m

厚）

电气特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

正向电压

文档编号85810

修订版1.8 ， 13 -APR- 05

测试条件

I

F

= 0.2 A

符号

V

F

民

典型值。

最大

1.2

单位

V

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1

BZD27C3V6P到BZD27C200P

威世半导体

电气特性

当作为稳压二极管使用（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

部分号码

记号

CODE

工作电压

1)

V

Z

@ I

ZT

V

民

BZD27C3V6P

BZD27C3V9P

BZD27C4V3P

BZD27C4V7P

BZD27C5V1P

BZD27C5V6P

BZD27C6V2P

BZD27C6V8P

BZD27C7V5P

BZD27C8V2P

BZD27C9V1P

BZD27C10P

BZD27C11P

BZD27C12P

BZD27C13P

BZD27C15P

BZD27C16P

BZD27C18P

BZD27C20P

BZD27C22P

BZD27C24P

BZD27C27P

BZD27C30P

BZD27C33P

BZD27C36P

BZD27C39P

BZD27C43P

BZD27C47P

BZD27C51P

BZD27C56P

BZD27C62P

BZD27C68P

BZD27C75P

BZD27C82P

BZD27C91P

BZD27C100P

BZD27C110P

BZD27C120P

BZD27C130P

BZD27C150P

BZD27C160P

BZD27C180P

BZD27C200P

1)

迪FF erential

阻力

r

DIF

@ I

Z

典型值

4

3

2

1

2

4

5

6

7

8

21

24

25

30

60

80

110

130

150

180

200

最大

8

7

6

4

3

2

4

7

10

15

40

45

60

80

100

200

250

300

350

400

500

温度

系数

α

Z

@ I

Z

%/°C

民

-0.14

-0.12

-0.1

-0.08

-0.04

-0.01

0

0.03

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

最大

-0.04

-0.02

0

0.02

0.04

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

0.13

TEST

当前

I

ZT

mA

100

50

25

10

5

反向电流

反向电压

I

R

A

最大

100

50

25

10

5

10

5

10

50

10

7

4

3

2

1

2

3

5

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

V

R

V

最大

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

87

96

106

116

127

141

156

171

191

212

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

D8

D9

E0

E1

E2

E3

E4

E5

E6

E7

E8

E9

F0

F1

F2

F3

F4

F5

F6

F7

F8

F9

G0

G1

G2

G3

G4

G5

G6

G7

G8

G9

H0

H1

H2

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

77

85

94

104

114

124

138

153

168

188

脉冲测试： TP

≤

5毫秒。

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2

文档编号85810

修订版1.8 ， 13 -APR- 05

BZD27C3V6P到BZD27C200P

威世半导体

电气特性

当作为保护用二极管（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

部分号码

启示录

击穿

电压

V

（ BR ）R

at

I

TEST

V

民

BZD27C7V5P

BZD27C8V2P

BZD27C9V1P

BZD27C10P

BZD27C11P

BZD27C12P

BZD27C13P

BZD27C15P

BZD27C16P

BZD27C18P

BZD27C20P

BZD27C22P

BZD27C24P

BZD27C27P

BZD27C30P

BZD27C33P

BZD27C36P

BZD27C39P

BZD27C43P

BZD27C47P

BZD27C51P

BZD27C56P

BZD27C62P

BZD27C68P

BZD27C75P

BZD27C82P

BZD27C91P

BZD27C100P

BZD27C110P

BZD27C120P

BZD27C130P

BZD27C150P

BZD27C160P

BZD27C180P

BZD27C200P

1)

TEST

当前

I

TEST

mA

温度COEF网络cient

钳位电压

反向电流

对峙电压

I

R

A

最大

1500

1200

100

20

5

在V

WM

V

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

α

Z

@ I

TEST

%/°C

民

最大

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

0.13

0

0.03

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

V

C

V

最大

11.3

12.3

13.3

14.8

15.7

17

18.9

20.9

22.9

25.6

28.4

31

33.8

38.1

42.2

46.2

50.1

54.1

60.7

65.5

70.8

78.6

86.5

94.4

103.5

114

126

139

152

169

187

205

229

254

在我

RSM1)

A

13.3

12.2

11.3

10.1

9.6

8.8

7.9

7.2

6.6

5.9

5.3

4.8

4.4

3.9

3.6

3.2

3

2.8

2.5

2.3

2.1

1.9

1.7

1.6

1.5

1.3

1.2

1.1

0.72

0.65

0.59

0.53

0.48

0.43

0.39

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

77

85

94

104

114

124

138

153

168

188

100

50

25

10

5

按照"IEC 60-1 ，第8"非重复性峰值反向电流（ 10/1000

s

脉冲） ;参照图5 。

文档编号85810

修订版1.8 ， 13 -APR- 05

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3

BZD27C3V6P到BZD27C200P

威世半导体

典型特性（环境温度Tamb = 25

°C

除非另有规定编）

P

RSM

-max 。脉冲功率耗散（ W）

10.00

160

140

120

100

80

60

40

20

0

25

50

75 100 125 150 175 200

V

ZNOM

- 齐纳电压（V ）

I

F

- 正向电流（ A）

（典型值）。 V

F

最大。 V

F

1.00

0.10

0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6

17411

V

F

- 正向电压（ V）

17414

图1.正向电流与正向电压

图4.最大脉冲功率耗散与齐纳电压

C

D

- 典型。结电容（pF ）

10000

C5V1P

1000

C6V8P

C12P

C18P

I

RSM

(%)

100

90

t

1

= 10

s

t

2

= 1000

s

100

C27P

C200P

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

V

R

- 反向电压（ V）

3.0

C51P

50

10

t

1

17415

10

t

2

17412

图2.典型。二极管电容与反向电压

图5.非重复性峰值反向电流脉冲的定义

3.0

P - 功率耗散（ W）

合计

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0

连接点的温度

环境温度

25

50

75

100

125

150

17413

T

AMB

- 环境温度（ ℃）

图3.功耗与环境温度

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4

文档编号85810

修订版1.8 ， 13 -APR- 05

BZD27C3V6P到BZD27C200P

威世半导体

单位：mm包装尺寸（英寸）

0.85 (0.033)

0.35 (0.014)

3.9 (0.152)

3.5 (0.137)

5

0.99 (0.039)

0.97 (0.038)

0.16 (0.006)

5

Z

详细信息

Z

扩大

阴极带

顶视图

1.9 (0.074)

1.7 (0.066)

0.10最大

1.2 (0.047)

0.8 (0.031)

2.9 (0.113)

2.7 (0.105)

ISO方法E

贴装焊盘布局

1.6 (0.062)

1.3 (0.051)

1.4 (0.055)

17247

文档编号85810

修订版1.8 ， 13 -APR- 05

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5