BCW33LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
基地 - 发射极电压上
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
的hFE
420
V
CE （ SAT ）
—
V
BE（上）
0.55
0.70
0.25
VDC
800
VDC
—
小信号特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 0.2 MADC ，R
S
= 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
C
敖包
NF
—
—
4.0
10
pF
dB
等效开关时间测试电路
+3.0 V
300纳秒
占空比= 2 ％
+10.9 V
10 k
275
10 <吨
1
＆ LT ; 500
s
占空比= 2 ％
0
t
1
+3.0 V
+10.9 V
10 k
C
S
< 4.0 pF的*
275
0.5 V
<1.0 NS
C
S
< 4.0 pF的*
9.1 V
＆ LT ; 1.0纳秒
1N916
测试夹具和连接器的*总并联电容
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
典型噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
20
I
C
= 1.0毫安
恩，噪声电压（NV ）
300
A
带宽= 1.0赫兹
R
S
= 0
中，噪声电流（PA ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
2.0
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
30
A
10
A
I
C
= 1.0毫安
300
A
100
A
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈ ∞
10
7.0
5.0
10
A
3.0
100
A
30
A
图3.噪声电压
图4.噪声电流
http://onsemi.com
2
BCW33LT1
典型静态特性
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
50毫安
BCW33LT1
T
J
= 25°C
100
T
A
= 25°C
脉冲宽度= 300
s
80占空比
≤
2.0%
I
B
= 500
A
400
A
300
A
0.6
百毫安
60
200
A
40
100
A
20
0
0.4
0.2
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图8.集电极饱和区
图9.集电极特性
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
T
J
= 25°C
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
0.8
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/2
25 ° C至125°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
- 55 ° C至25°C时
0.8
25 ° C至125°C
1.6
q
VB
对于V
BE
0.2
- 55 ° C至25°C时
50
100
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
2.4
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
图10. “开”电压
图11.温度系数
http://onsemi.com
4
BCW33LT1
典型的动态特性
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
1.0
2.0
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 VDC
t
r
1000
700
500
300
200
T， TIME （ NS ）
100
70
50
30
20
10
1.0
t
f
t
s
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
20 30
5.0 7.0 10
3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
50 70
100
图12.开启时间
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图13.开启，关闭时间
500
T
J
= 25°C
F = 100 MHz的
300
200
C，电容（pF ）
V
CE
= 20 V
5.0 V
10
7.0
5.0
C
ib
C
ob
T
J
= 25°C
F = 1.0 MHz的
3.0
2.0
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图14.电流增益 - 带宽积
R（T ），瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
图15.电容
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100 200
P
（ PK）
t
1
t
2
图19A
占空比D = T
1
/t
2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
（见AN- 569 ）
Z
qJA （T ）
= R （t）的
w
R
qJA
T
J（下PK）
- T
A
= P
（ PK）
Z
qJA （T ）
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01 0.02
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
图16.热响应
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BCW33LT1 / D
通用晶体管
NPN硅
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
20
30
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
BCW33LT1
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
BCW33LT1 = D3
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 2.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
ADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 32 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 32 VDC ， IE = 0 ， TA = 100 ° C）
1， FR- 5 = 1.0
0.75
2.氧化铝= 0.4 0.3
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
—
—
100
10
NADC
μAdc
32
32
5.0
—
—
—
VDC
VDC
VDC
0.062英寸
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BCW33LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
基地 - 发射极电压上
（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
420
VCE （ SAT ）
—
VBE （ON）的
0.55
0.70
0.25
VDC
800
VDC
—
小信号特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ VCE = 5.0伏， IC = 0.2 MADC ， RS = 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
科博
NF
—
—
4.0
10
pF
dB
等效开关时间测试电路
+ 3.0 V
300纳秒
占空比= 2 ％
– 0.5 V
<1.0 NS
+10.9 V
10 k
0
CS < 4.0 pF的*
– 9.1 V
＆ LT ; 1.0纳秒
1N916
CS < 4.0 pF的*
275
+ 3.0 V
t1
+10.9 V
10 k
275
10 < T1 < 500
s
占空比= 2 ％
测试夹具和连接器的*总并联电容
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BCW33LT1
典型噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
20
IC = 1.0毫安
恩，噪声电压（NV ）
300
A
带宽= 1.0赫兹
RS = 0
中，噪声电流（PA ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
2.0
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
30
A
10
A
IC = 1.0毫安
300
A
100
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈ ∞
10
7.0
5.0
10
A
3.0
100
A
30
A
图3.噪声电压
图4.噪声电流
噪声系数等值线
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500 k
RS ，源电阻（欧姆）
RS ，源电阻（欧姆）
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
100
50
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
500 700
1k
带宽= 1.0赫兹
1M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
带宽= 1.0赫兹
2.0分贝
3.0分贝4.0分贝
6.0分贝
10分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
8.0分贝
500 700
1k
图5.窄带， 100赫兹
图6.窄带， 1.0千赫
500 k
RS ，源电阻（欧姆）
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
100
50
10
20
30
50 70 100
10 Hz至15.7千赫
噪声系数的定义是：
NF
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
8.0分贝
200 300
500 700
1k
+
20 LOG10
en2
)
4KTRS
)
在2RS2 1 2
4KTRS
晶体管的EN =噪声电压折合到输入端。 （图3）
在=噪声晶体管的电流折合到输入端。 （图4）
K =波尔兹曼常数（ 1.38× 10-23焦耳/ ° K）的
源电阻的T =温度（° K）
RS =信号源阻抗（欧姆）
IC ，集电极电流（ μA ）
图7.宽带
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BCW33LT1
典型静态特性
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
BCW33LT1
TJ = 25°C
100
0.8
IC = 1.0毫安
10毫安
50毫安
TA = 25°C
脉冲宽度= 300
s
80占空比
≤
2.0%
IB = 500
A
400
A
300
A
0.6
百毫安
60
200
A
40
100
A
20
0.4
0.2
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
IB ，基极电流（毫安）
0
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图8.集电极饱和区
图9.集电极特性
TJ = 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 1.0 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.1
0.2
2.0
5.0
10
20
0.5 1.0
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
0.8
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
25 ° C至125°C
0
*
q
VC的VCE （SAT）
- 55 ° C至25°C时
– 0.8
25 ° C至125°C
– 1.6
q
VB的VBE
– 2.4
0.1
0.2
- 55 ° C至25°C时
50
100
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
IC ，集电极电流（毫安）
图10. “开”电压
图11.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BCW33LT1
典型的动态特性
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
1.0
2.0
TD @ VBE （关闭） = 0.5伏
tr
1000
VCC = 3.0 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
700
500
300
200
T， TIME （ NS ）
100
70
50
30
20
10
1.0
tf
ts
T， TIME （ NS ）
VCC = 3.0 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
50
70 100
20 30
5.0 7.0 10
3.0
IC ，集电极电流（毫安）
50 70
100
图12.开启时间
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图13.开启，关闭时间
500
TJ = 25°C
F = 100 MHz的
300
200
5.0 V
C，电容（pF ）
VCE = 20 V
10
7.0
5.0
兴业银行
COB
3.0
2.0
TJ = 25°C
F = 1.0 MHz的
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
图14.电流增益 - 带宽积
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
t1
t2
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100 200
图15.电容
R（T ），瞬态热阻
（归一化）
D = 0.5
0.2
图19A
占空比D = T1 / T2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
阅读时间T1（见AN- 569 ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.01
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
500 1.0 k 2.0 k
图16.热响应
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
NPN硅
3
集热器
1
BASE
BCW33LT1
3
2
辐射源
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
价值
20
30
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
BCW33LT1 = D3
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 2.0mAdc ，我
B
= 0 )
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
μAdc ，
I
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 32 VDC ，我
E
= 0 )
(V
CB
= 32 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
1， FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
V
（ BR ） EBO
I
CBO
—
—
100
10
NADC
μAdc
5.0
—
VDC
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
32
—
VDC
32
—
VDC
M8–1/6
BCW33LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
基地 - 发射极电压上
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
的hFE
420
V
CE （ SAT ）
—
V
BE（上）
0.55
0.70
0.25
VDC
800
VDC
—
小信号特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 0.2 MADC ，R
S
= 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
C
敖包
NF
—
—
4.0
10
pF
dB
等效开关时间测试电路
+3.0 V
300纳秒
占空比= 2 ％
+10.9 V
10 k
275
10 <吨
1
＆ LT ; 500
s
占空比= 2 ％
0
t
1
+3.0 V
+10.9 V
10 k
C
S
< 4.0 pF的*
275
0.5 V
<1.0 NS
C
S
< 4.0 pF的*
9.1 V
＆ LT ; 1.0纳秒
1N916
测试夹具和连接器的*总并联电容
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
典型噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
20
I
C
= 1.0毫安
恩，噪声电压（NV ）
300
A
带宽= 1.0赫兹
R
S
= 0
中，噪声电流（PA ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
2.0
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
30
A
10
A
I
C
= 1.0毫安
300
A
100
A
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈ ∞
10
7.0
5.0
10
A
3.0
100
A
30
A
图3.噪声电压
图4.噪声电流
http://onsemi.com
2
BCW33LT1
典型静态特性
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
50毫安
BCW33LT1
T
J
= 25°C
100
T
A
= 25°C
脉冲宽度= 300
s
80占空比
≤
2.0%
I
B
= 500
A
400
A
300
A
0.6
百毫安
60
200
A
40
100
A
20
0
0.4
0.2
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图8.集电极饱和区
图9.集电极特性
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
T
J
= 25°C
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
0.8
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/2
25 ° C至125°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
- 55 ° C至25°C时
0.8
25 ° C至125°C
1.6
q
VB
对于V
BE
0.2
- 55 ° C至25°C时
50
100
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
2.4
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
BCW33LT1
典型的动态特性
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
1.0
2.0
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 VDC
t
r
1000
700
500
300
200
T， TIME （ NS ）
100
70
50
30
20
10
1.0
t
f
t
s
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
20 30
5.0 7.0 10
3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
50 70
100
图12.开启时间
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图13.开启，关闭时间
500
T
J
= 25°C
F = 100 MHz的
300
200
C，电容（pF ）
V
CE
= 20 V
5.0 V
10
7.0
5.0
C
ib
C
ob
T
J
= 25°C
F = 1.0 MHz的
3.0
2.0
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图14.电流增益 - 带宽积
R（T ），瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
图15.电容
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100 200
P
（ PK）
t
1
t
2
图19A
占空比D = T
1
/t
2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
（见AN- 569 ）
Z
qJA （T ）
= R （t）的
w
R
qJA
T
J（下PK）
- T
A
= P
（ PK）
Z
qJA （T ）
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01 0.02
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
图16.热响应
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5
BCW33LT1G
通用晶体管
NPN硅
特点
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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集热器
3
1
BASE
2
辐射源
3
1
2
最大额定值
等级
集热器
发射极电压
集热器
基极电压
辐射源
基极电压
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
32
32
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2 ） ，
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
SOT23
(TO236AB)
CASE 318
类型6
标记图
D3 M
G
G
D3
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
BCW33LT1G
BCW33LT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第4版
1
出版订单号：
BCW33LT1/D
BCW33LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 2.0 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
B
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 32 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 32 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 0.2 MADC ，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
C
敖包
NF
4.0
10
pF
dB
的hFE
420
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.55
800
VDC
0.25
VDC
0.70
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
32
32
5.0
VDC
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
100
10
NADC
MADC
等效开关时间测试电路
+ 3.0 V
300纳秒
占空比= 2 ％
+10.9 V
10 k
275
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
0
+ 3.0 V
t
1
+10.9 V
10 k
275
- 0.5 V
<1.0 NS
C
S
< 4.0 pF的*
- 9.1 V
＆ LT ; 1.0纳秒
1N916
C
S
< 4.0 pF的*
测试夹具和连接器的*总并联电容
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
http://onsemi.com
2
BCW33LT1G
典型静态特性
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
BCW33LT1
T
J
= 25°C
100
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
50毫安
T
A
= 25°C
脉冲宽度= 300
ms
80占空比
≤
2.0%
I
B
= 500
mA
400
mA
300
mA
0.6
百毫安
60
200
mA
40
100
mA
20
0.4
0.2
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
0
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图8.集电极饱和区
图9.集电极特性
T
J
= 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
0.8
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/2
25 ° C至125°C
0
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
- 55 ° C至25°C时
- 0.8
25 ° C至125°C
- 1.6
q
VB
对于V
BE
- 2.4
0.1
0.2
- 55 ° C至25°C时
50
100
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
图10. “开”电压
图11.温度系数
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
1.0
2.0
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 VDC
t
r
1000
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
700
500
300
200
T， TIME （ NS ）
100
70
50
30
20
10
1.0
t
f
t
s
T， TIME （ NS ）
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
20 30
3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
50 70
100
图12.开启时间
图13.开启，关闭时间
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4
BCW33LT1G
典型的动态特性
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
500
T
J
= 25°C
F = 100 MHz的
300
200
5.0 V
C，电容（pF ）
V
CE
= 20 V
5.0
10
7.0
C
ib
T
J
= 25°C
F = 1.0 MHz的
C
ob
3.0
2.0
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图14.电流增益 - 带宽积
R（T ），瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.1
0.05
P
（ PK）
0.02
0.01
t
1
单脉冲
图15.电容
D = 0.5
0.2
图19A
占空比D = T
1
/t
2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
（见AN- 569 ）
Z
qJA （T ）
= R （t）的
w
R
qJA
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
Z
qJA （T ）
t
2
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100 200
0.01
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
图16.热响应
10
4
V
CC
= 30 V直流
IC ，集电极电流（ NA）
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
I
CBO
和
I
CEX
@ V
BE （OFF）的
= 3.0伏
I
首席执行官
设计说明：使用热响应数据
周期性功率脉冲的列车可以通过模型来表示
如图16A 。使用该模型和该设备的热
响应的归一化有效瞬态热阻
图16是计算不同的占空比。
找
qJA （T ）
，乘以由从图16中得到的值
稳态值R
qJA
.
例如：
该MPS3904正在消退以下下2.0瓦特高峰
条件：
t
1
= 1.0毫秒，T
2
= 5.0毫秒。 （D = 0.2）
使用图16以1.0毫秒的脉冲宽度和D = 0.2，的读出
R（T ）为0.22 。
因此，峰值上升，结温
DT
= R（T ）× P
（ PK）
个R
qJA
= 0.22 ×2.0 ×200 = 88 ℃。
欲了解更多信息，请参阅AN- 569 。
-4
0
-2
0
0
+ 20 + 40 + 60 + 80 + 100 + 120 + 140 + 160
T
J
，结温（ ° C）
图16A 。
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5
QQ：2880707522 复制
