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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第505页 > BZA956AVL
分立半导体
数据表
M3D743
BZA900AVL系列
四低电容ESD
抑制器
产品speci fi cation
取代2003年的数据04月15日
2003年10月20
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四低电容ESD抑制器
特点
低电容二极管
低漏电流
SOT665表面贴装封装
共阳极配置。
应用
通信系统
计算机及外设
音频和视频设备。
描述
在五带头单片瞬态电压抑制二极管
SOT665封装的4位宽ESD瞬变
抑制。
记号
类型编号
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
订购信息
包
类型编号
名字
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
描述
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料表面贴装封装; 5线索
标识代码
V3
V2
V1
1
2
3
手册， halfpage
5
BZA900AVL系列
钉扎
针
1
2
3
4
5
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
描述
4
1
3
2
4
5
MGW315
Fig.1简化外形（ SOT665 ）和符号。
VERSION
SOT665
SOT665
SOT665
2003年10月20
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四低电容ESD抑制器
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
I
Z
I
F
I
FSM
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
ESD
工作电流
连续正向电流
非重复峰值正向电流
总功耗
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
静电放电
HBM MIL -STD 883
笔记
1.直流工作电流限制为P
托特（最大）
.
2.装置安装在标准的印刷电路板。
ESD标准符合性
标准
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
参数
热阻结到
环境
热阻结到
焊点;注1
条件
所有的二极管装
一个二极管加载
所有的二极管装
>4千伏
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
T
AMB
= 25
°C;
注意2 ;见图5
方波脉冲;吨
p
= 1毫秒
参数
条件
BZA900AVL系列
分钟。
65
马克斯。
单位
注1
200
3.5
335
6
+150
150
mA
mA
A
mW
W
°C
°C
kV
kV
IEC 61000-4-2 （接触放电） 15
10
条件
>15千伏（空气） ; >8千伏（接触放电）
价值
370
135
125
单位
K / W
K / W
K / W
记
1.焊接点共阳极（ 2脚）的。
2003年10月20
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四低电容ESD抑制器
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
参数
正向电压
反向电流
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
V
Z
工作电压
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
r
DIF
微分电阻
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
S
Z
温度COEF网络cient
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
C
d
二极管电容
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
二极管电容
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
I
ZSM
非重复性峰值反向电流
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
t
p
= 1毫秒;牛逼
AMB
= 25
°C
F = 1兆赫; V
R
= 5 V
F = 1兆赫; V
R
= 0
I
Z
= 1毫安
I
Z
= 1毫安
V
R
= 3 V
V
R
= 4 V
V
R
= 4.3 V
I
Z
= 1毫安
5.32
5.89
6.46
条件
I
F
= 200毫安
分钟。
BZA900AVL系列
典型值。
5.6
6.2
6.8
1.3
2.4
2.9
22
18
16
12
9
8
马克斯。
1.2
200
100
20
5.88
6.51
7.14
200
150
100
28
22
19
17
12
11
0.90
0.85
0.80
单位
V
nA
nA
nA
V
V
V
毫伏/ K
毫伏/ K
毫伏/ K
pF
pF
pF
pF
pF
pF
A
A
A
2003年10月20
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四低电容ESD抑制器
BZA900AVL系列
手册， halfpage
10
MLE001
10
2
手册， halfpage
MLE003
IZSM
(A)
PZSM
(W)
BZA956AVL
BZA956AVL
1
10
BZA968AVL
BZA962AVL/BZA968AVL
BZA962AVL
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
Fig.3
Fig.2
最大非重复性峰值反向
电流的脉冲时间的函数。
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间（矩形脉冲） 。
手册， halfpage
26
Cd
22
MLE002
MGT586
手册， halfpage
400
（PF ）
P合计
（ mW）的
300
18
200
BZA956AVL
14
BZA962AVL
100
10
BZA968AVL
6
0
1
2
3
4
VR （ V）
5
0
0
50
100
TAMB （
°
C)
150
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
图5功率降额曲线。
2003年10月20
5
分立半导体
数据表
M3D743
BZA900AVL系列
四低电容ESD
抑制器
产品数据表
取代2003年的数据04月15日
2003年10月20
恩智浦半导体
产品数据表
四低电容ESD
抑制器
特点
低电容二极管
低漏电流
SOT665表面贴装封装
共阳极配置。
应用
通信系统
计算机及外设
音频和视频设备。
描述
在五带头单片瞬态电压抑制二极管
SOT665封装的4位宽ESD瞬变
抑制。
记号
类型编号
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
订购信息
包
类型编号
名字
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
描述
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料表面贴装封装; 5线索
标识代码
V3
V2
V1
1
2
3
手册， halfpage
5
BZA900AVL系列
钉扎
针
1
2
3
4
5
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
描述
4
1
3
2
4
5
MGW315
Fig.1简化外形（ SOT665 ）和符号。
VERSION
SOT665
SOT665
SOT665
2003年10月20
2
恩智浦半导体
产品数据表
四低电容ESD
抑制器
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
I
Z
I
F
I
FSM
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
ESD
工作电流
连续正向电流
非重复峰值正向电流
总功耗
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
静电放电
HBM MIL -STD 883
笔记
1.直流工作电流限制为P
托特（最大）
.
2.装置安装在标准的印刷电路板。
ESD标准符合性
标准
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
参数
热阻结到
环境
热阻结到
焊点;注1
条件
所有的二极管装
一个二极管加载
所有的二极管装
>4千伏
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
T
AMB
= 25
°C;
注意2 ;见图5
方波脉冲;吨
p
= 1毫秒
参数
条件
BZA900AVL系列
分钟。
65
马克斯。
单位
注1
200
3.5
335
6
+150
150
mA
mA
A
mW
W
°C
°C
kV
kV
IEC 61000-4-2 （接触放电） 15
10
条件
>15千伏（空气） ; >8千伏（接触放电）
价值
370
135
125
单位
K / W
K / W
K / W
记
1.焊接点共阳极（ 2脚）的。
2003年10月20
3
恩智浦半导体
产品数据表
四低电容ESD
抑制器
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
参数
正向电压
反向电流
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
V
Z
工作电压
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
r
DIF
微分电阻
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
S
Z
温度COEF网络cient
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
C
d
二极管电容
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
二极管电容
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
I
ZSM
非重复性峰值反向电流
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
t
p
= 1毫秒;牛逼
AMB
= 25
°C
F = 1兆赫; V
R
= 5 V
F = 1兆赫; V
R
= 0
I
Z
= 1毫安
I
Z
= 1毫安
V
R
= 3 V
V
R
= 4 V
V
R
= 4.3 V
I
Z
= 1毫安
5.32
5.89
6.46
条件
I
F
= 200毫安
分钟。
BZA900AVL系列
典型值。
5.6
6.2
6.8
1.3
2.4
2.9
22
18
16
12
9
8
马克斯。
1.2
200
100
20
5.88
6.51
7.14
200
150
100
28
22
19
17
12
11
0.90
0.85
0.80
单位
V
nA
nA
nA
V
V
V
毫伏/ K
毫伏/ K
毫伏/ K
pF
pF
pF
pF
pF
pF
A
A
A
2003年10月20
4
恩智浦半导体
产品数据表
四低电容ESD
抑制器
BZA900AVL系列
手册， halfpage
10
MLE001
10
2
手册， halfpage
MLE003
IZSM
(A)
PZSM
(W)
BZA956AVL
BZA956AVL
1
10
BZA968AVL
BZA962AVL/BZA968AVL
BZA962AVL
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
Fig.3
Fig.2
最大非重复性峰值反向
电流的脉冲时间的函数。
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间（矩形脉冲） 。
手册， halfpage
26
Cd
22
MLE002
MGT586
手册， halfpage
400
（PF ）
P合计
（ mW）的
300
18
200
BZA956AVL
14
BZA962AVL
100
10
BZA968AVL
6
0
1
2
3
4
VR （ V）
5
0
0
50
100
TAMB （
°
C)
150
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
图5功率降额曲线。
2003年10月20
5
分立半导体
数据表
M3D743
BZA900AVL系列
四低电容ESD
抑制器
产品speci fi cation
取代2003年的数据04月15日
2003年10月20
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四低电容ESD抑制器
特点
低电容二极管
低漏电流
SOT665表面贴装封装
共阳极配置。
应用
通信系统
计算机及外设
音频和视频设备。
描述
在五带头单片瞬态电压抑制二极管
SOT665封装的4位宽ESD瞬变
抑制。
记号
类型编号
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
订购信息
包
类型编号
名字
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
描述
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料表面贴装封装; 5线索
标识代码
V3
V2
V1
1
2
3
手册， halfpage
5
BZA900AVL系列
钉扎
针
1
2
3
4
5
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
描述
4
1
3
2
4
5
MGW315
Fig.1简化外形（ SOT665 ）和符号。
VERSION
SOT665
SOT665
SOT665
2003年10月20
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四低电容ESD抑制器
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
I
Z
I
F
I
FSM
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
ESD
工作电流
连续正向电流
非重复峰值正向电流
总功耗
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
静电放电
HBM MIL -STD 883
笔记
1.直流工作电流限制为P
托特（最大）
.
2.装置安装在标准的印刷电路板。
ESD标准符合性
标准
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
参数
热阻结到
环境
热阻结到
焊点;注1
条件
所有的二极管装
一个二极管加载
所有的二极管装
>4千伏
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
T
AMB
= 25
°C;
注意2 ;见图5
方波脉冲;吨
p
= 1毫秒
参数
条件
BZA900AVL系列
分钟。
65
马克斯。
单位
注1
200
3.5
335
6
+150
150
mA
mA
A
mW
W
°C
°C
kV
kV
IEC 61000-4-2 （接触放电） 15
10
条件
>15千伏（空气） ; >8千伏（接触放电）
价值
370
135
125
单位
K / W
K / W
K / W
记
1.焊接点共阳极（ 2脚）的。
2003年10月20
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四低电容ESD抑制器
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
参数
正向电压
反向电流
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
V
Z
工作电压
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
r
DIF
微分电阻
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
S
Z
温度COEF网络cient
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
C
d
二极管电容
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
二极管电容
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
I
ZSM
非重复性峰值反向电流
BZA956AVL
BZA962AVL
BZA968AVL
t
p
= 1毫秒;牛逼
AMB
= 25
°C
F = 1兆赫; V
R
= 5 V
F = 1兆赫; V
R
= 0
I
Z
= 1毫安
I
Z
= 1毫安
V
R
= 3 V
V
R
= 4 V
V
R
= 4.3 V
I
Z
= 1毫安
5.32
5.89
6.46
条件
I
F
= 200毫安
分钟。
BZA900AVL系列
典型值。
5.6
6.2
6.8
1.3
2.4
2.9
22
18
16
12
9
8
马克斯。
1.2
200
100
20
5.88
6.51
7.14
200
150
100
28
22
19
17
12
11
0.90
0.85
0.80
单位
V
nA
nA
nA
V
V
V
毫伏/ K
毫伏/ K
毫伏/ K
pF
pF
pF
pF
pF
pF
A
A
A
2003年10月20
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四低电容ESD抑制器
BZA900AVL系列
手册， halfpage
10
MLE001
10
2
手册， halfpage
MLE003
IZSM
(A)
PZSM
(W)
BZA956AVL
BZA956AVL
1
10
BZA968AVL
BZA962AVL/BZA968AVL
BZA962AVL
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
Fig.3
Fig.2
最大非重复性峰值反向
电流的脉冲时间的函数。
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间（矩形脉冲） 。
手册， halfpage
26
Cd
22
MLE002
MGT586
手册， halfpage
400
（PF ）
P合计
（ mW）的
300
18
200
BZA956AVL
14
BZA962AVL
100
10
BZA968AVL
6
0
1
2
3
4
VR （ V）
5
0
0
50
100
TAMB （
°
C)
150
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
图5功率降额曲线。
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BTS50080-1TMA
BC857/T1
BUZ901X4S
BP06RKE
B37872R0101J041
BTB12-600
BUS-65163
B72520T250K62
BZX84C2V7T-7-F
BQ2092SN
BR5002
B82522V
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BZA956AVL
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