MAGNA
TEC
3 1 .5 (1 .2 4 0 )
3 1 .7 (1 .2 4 8 )
7 .8 (0 .3 0 7 )
8 .2 (0 .3 2 2 )
1 1 .8 (0 .4 6 3 )
1 2 .2 (0 .4 8 0 )
W = 4 .1 (0 .1 6 1 )
4 .3 (0 .1 6 9 )
H=
4 .8 (0 .1 8 7 )
4 .9 (0 .1 9 3 )
（4处）
8 .9 (0 .3 5 0 )
9 .6 (0 .3 7 8 )
BUZ900X4S
BUZ901X4S
正在开发的新产品
机械数据
尺寸mm （英寸）
N沟道
功率MOSFET
六角螺母M 4使用
（4处）
功率MOSFET
音频应用
2 5 .2 (0 .9 9 2 )
2 5 .4 (1 .0 0 0 )
1
R
2
4 .0 (0 .1 5 7 )
4 .2 (0 .1 6 5 )
0 .7 5 (0 .0 3 0 )
0 .8 5 (0 .0 3 3 )
1 2 .6 (0 .4 9 6 )
1 2 .8 (0 .5 0 4 )
特点
高开关速度
4
3.3 (0 .1 2 9)
3.6 (0.14 3 )
1 4 .9 (0.58 7 )
1 5 .1 (0.59 4 )
3 0 .1 (1 .1 8 5 )
3 0 .3 (1 .1 9 3 )
3 8 .0 (1.4 9 6 )
3 8 .2 (1.5 0 4 )
3
5 .1 (0 .2 0 1 )
5 .9 (0 .2 3 2 )
1 .9 5 (0 .0 7 7 )
2 .1 4 (0 .0 8 4 )
R =
4 .0 (0 .1 57 )
（ 2 P LAC （E S） ）
N沟道功率MOSFET
SEMEFAB DESIGNED并扩散
高电压（ 160V ＆安培; 200V ）
高能耗等级
SOT227
引脚1 - 漏极
2脚 - 来源
3脚 - 门
引脚4 - 漏
增强型
积分保护二极管
P-频道也可用
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSX
漏 - 源极电压
V
GS
I
D
I
D（ PK ）
P
D
T
英镑
T
j
R
θJC
栅 - 源电压
连续漏电流
续流保护二极管
总功耗
存储温度范围
最大工作结温
热阻结 - 壳
@ T
例
= 25°C
BUZ900X4S
160V
BUZ901X4S
200V
±14V
32A
32A
500W
-55 ℃150℃
150°C
0.3°C/W
Magnatec 。
电话（ 0455 ） 554711.电传： 341927.传真：（ 0455 ） 552612 。
预赛。 4/94
MAGNA
TEC
特征
BV
DSX
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
栅 - 源截止电压
V
DS （ SAT ）
*漏 - 源极饱和电压
I
DSX
YFS *
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
漏 - 源截止电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
BUZ900X4S
BUZ901X4S
正在开发的新产品
测试条件
V
GS
= –10V
BUZ900X4S
I
D
= 10毫安
V
DS
= 0
V
DS
= 10V
V
GD
= 0
V
GS
= –10V
V
DS
= 160V
V
DS
= 200V
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
BUZ901X4S
I
G
= ±100A
I
D
= 100毫安
I
D
= 32A
BUZ900X4S
BUZ901X4S
I
D
= 5A
F = 1MHz的
2
TBE
TBE
TBE
TBE
TBE
pF
分钟。
160
200
±14
0.1
1.5
12
10
10
6
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
mA
mA
S
电气额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
= 20V
I
D
= 7A
nS
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2%
D
S
G
Magnatec 。
电话（ 0455 ） 554711.电传： 341927.传真：（ 0455 ） 552612 。
预赛。 4/94
MAGNA
TEC
3 1 .5 (1 .2 4 0 )
3 1 .7 (1 .2 4 8 )
7 .8 (0 .3 0 7 )
8 .2 (0 .3 2 2 )
1 1 .8 (0 .4 6 3 )
1 2 .2 (0 .4 8 0 )
W = 4 .1 (0 .1 6 1 )
4 .3 (0 .1 6 9 )
H=
4 .8 (0 .1 8 7 )
4 .9 (0 .1 9 3 )
（4处）
8 .9 (0 .3 5 0 )
9 .6 (0 .3 7 8 )
BUZ900X4S
BUZ901X4S
正在开发的新产品
机械数据
尺寸mm （英寸）
N沟道
功率MOSFET
六角螺母M 4使用
（4处）
功率MOSFET
音频应用
2 5 .2 (0 .9 9 2 )
2 5 .4 (1 .0 0 0 )
1
R
2
4 .0 (0 .1 5 7 )
4 .2 (0 .1 6 5 )
0 .7 5 (0 .0 3 0 )
0 .8 5 (0 .0 3 3 )
1 2 .6 (0 .4 9 6 )
1 2 .8 (0 .5 0 4 )
特点
高开关速度
4
3.3 (0 .1 2 9)
3.6 (0.14 3 )
1 4 .9 (0.58 7 )
1 5 .1 (0.59 4 )
3 0 .1 (1 .1 8 5 )
3 0 .3 (1 .1 9 3 )
3 8 .0 (1.4 9 6 )
3 8 .2 (1.5 0 4 )
3
5 .1 (0 .2 0 1 )
5 .9 (0 .2 3 2 )
1 .9 5 (0 .0 7 7 )
2 .1 4 (0 .0 8 4 )
R =
4 .0 (0 .1 57 )
（ 2 P LAC （E S） ）
N沟道功率MOSFET
SEMEFAB DESIGNED并扩散
高电压（ 160V ＆安培; 200V ）
高能耗等级
SOT227
引脚1 - 漏极
2脚 - 来源
3脚 - 门
引脚4 - 漏
增强型
积分保护二极管
P-频道也可用
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSX
漏 - 源极电压
V
GS
I
D
I
D（ PK ）
P
D
T
英镑
T
j
R
θJC
栅 - 源电压
连续漏电流
续流保护二极管
总功耗
存储温度范围
最大工作结温
热阻结 - 壳
@ T
例
= 25°C
BUZ900X4S
160V
BUZ901X4S
200V
±14V
32A
32A
500W
-55 ℃150℃
150°C
0.3°C/W
Magnatec 。
电话（ 0455 ） 554711.电传： 341927.传真：（ 0455 ） 552612 。
预赛。 4/94
MAGNA
TEC
特征
BV
DSX
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
栅 - 源截止电压
V
DS （ SAT ）
*漏 - 源极饱和电压
I
DSX
YFS *
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
漏 - 源截止电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
BUZ900X4S
BUZ901X4S
正在开发的新产品
测试条件
V
GS
= –10V
BUZ900X4S
I
D
= 10毫安
V
DS
= 0
V
DS
= 10V
V
GD
= 0
V
GS
= –10V
V
DS
= 160V
V
DS
= 200V
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
BUZ901X4S
I
G
= ±100A
I
D
= 100毫安
I
D
= 32A
BUZ900X4S
BUZ901X4S
I
D
= 5A
F = 1MHz的
2
TBE
TBE
TBE
TBE
TBE
pF
分钟。
160
200
±14
0.1
1.5
12
10
10
6
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
mA
mA
S
电气额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
= 20V
I
D
= 7A
nS
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2%
D
S
G
Magnatec 。
电话（ 0455 ） 554711.电传： 341927.传真：（ 0455 ） 552612 。
预赛。 4/94
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