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分立半导体
数据表
dbook , halfpage
MBD127
BZA800AL系列
四ESD瞬态电压
抑制器
产品数据表
2002年1月11日
恩智浦半导体
产品数据表
四ESD瞬态电压
抑制器
特点
ESD额定值>8 kV接触放电,根据
IEC1000-4-2
SOT353 ( SC - 88A )表面贴装封装
共阳极配置。
应用
计算机及外设
音频和视频设备
通信系统。
描述
在五带头单片瞬态电压抑制二极管
SOT353 ( SC - 88A )包4位宽的ESD瞬变
抑制。
记号
类型编号
BZA856AL
BZA862AL
BZA868AL
标识代码
M1
M2
M3
1
2
3
5
手册, halfpage
4
BZA800AL系列
钉扎
1
2
3
4
5
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
描述
1
3
2
4
5
MGT580
Fig.1简化外形( SOT353 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每二极管
I
Z
I
F
I
FSM
P
合计
P
ZSM
工作电流
连续正向电流
总功耗
非重复性峰值反向功率
功耗:
BZA856AL
BZA862AL
BZA868AL
T
英镑
T
j
笔记
1.直流工作电流限制为P
托特(最大)
.
2.装置安装在标准的印刷电路板。
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
注意2 ;见图5
方波脉冲;吨
p
= 1毫秒;见图3
65
16
15
14
+150
150
W
W
W
°C
°C
注1
200
4
300
mA
mA
A
mW
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
非重复峰值正向电流吨
p
= 1毫秒;方波脉冲
2002年1月11日
2
恩智浦半导体
产品数据表
四ESD瞬态电压
抑制器
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
参数
从结点到环境的热阻
从结点到焊点热阻;
注1
条件
所有的二极管装
一个二极管加载
所有的二极管装
BZA800AL系列
价值
410
200
185
单位
K / W
K / W
K / W
1.焊接点共阳极( 2脚)的。
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
参数
正向电压
反向电流
BZA856AL
BZA862AL
BZA868AL
V
Z
工作电压
BZA856AL
BZA862AL
BZA868AL
r
DIF
微分电阻
BZA856AL
BZA862AL
BZA868AL
S
Z
温度COEF网络cient
BZA856AL
BZA862AL
BZA868AL
C
d
二极管电容
BZA856AL
BZA862AL
BZA868AL
I
ZSM
非重复性峰值反向电流
BZA856AL
BZA862AL
BZA868AL
t
p
= 1毫秒;牛逼
AMB
= 25
°C
2.2
2.1
2
A
A
A
F = 1兆赫; V
R
= 0
125
105
90
pF
pF
pF
I
Z
= 1毫安
0.3
1.6
2.2
毫伏/ K
毫伏/ K
毫伏/ K
I
Z
= 1毫安
400
300
200
V
R
= 3 V
V
R
= 4 V
V
R
= 4.3 V
I
Z
= 1毫安
5.32
5.89
6.46
5.6
6.2
6.8
5.88
6.51
7.14
V
V
V
1 000
500
100
nA
nA
nA
条件
I
F
= 200毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
1.3
单位
V
2002年1月11日
3
恩智浦半导体
产品数据表
四ESD瞬态电压
抑制器
BZA800AL系列
手册, halfpage
10
MLD790
手册, halfpage
10
2
MLD791
IZSM
(A)
BZA856AL
PZSM
(W)
BZA856AL
BZA862AL
1
BZA868AL
10
BZA862AL
BZA868AL
10
1
10
2
10
1
1
TP( ms)的
10
1
10
2
10
1
1
TP( ms)的
10
P
ZSM
= V
ZSM
×
I
ZSM
.
V
ZSM
是我的非重复性峰值反向电压
ZSM
.
Fig.3
Fig.2
最大非重复性峰值反向
电流的脉冲时间的函数。
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间(矩形脉冲) 。
手册, halfpage
120
Cd
MLD792
手册, halfpage
400
MLD793
(PF )
80
P合计
( mW)的
300
200
BZA856AL
40
BZA862AL
BZA868AL
100
0
0
2
4
6
VR ( V)
8
0
0
50
100
TAMB ( ° C)
150
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
图5功率降额曲线。
2002年1月11日
4
恩智浦半导体
产品数据表
四ESD瞬态电压
抑制器
BZA800AL系列
手册,全页宽
防静电测试仪
RZ
CZ
450
RG 223 / U
50
10×
衰减器
注1
数字化
示波器
50
IEC 61000-4-2网
CZ = 150 pF的; RZ = 330
1/4 BZA800AL
注1:衰减器仅用于开
插座高电压测量
垂直刻度= 100 V /格
水平比例尺= 50 ns /格
BZA868AL
垂直比例尺= 5 V /格
水平比例尺= 50 ns /格
BZA862AL
BZA856AL
GND
松开
+1
KV ESD电压波形
( IEC 61000-4-2网)
+1
KV ESD电压波形
( IEC 61000-4-2网)
GND
GND
垂直刻度= 100 V /格
水平比例尺= 50 ns /格
垂直比例尺= 5 V /格
水平比例尺= 50 ns /格
松开
1
KV ESD电压波形
( IEC 61000-4-2网)
1
KV ESD电压波形
( IEC 61000-4-2网)
MLD794
图6的ESD钳位测试设置和波形。
2002年1月11日
5
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SOT353
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