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初步
V I晶片母线转换模块
BCM
V I晶片 - BCM
母线转换模块
TM
B048K160T24
K表示BGA配置。对于其他
安装选项编号见下面的部分。
48 V至16 V V I晶片转换器
240瓦( 360瓦1毫秒)
高密度 - 974 W /中
3
占用空间小 - 220 W /中
2
低体重 - 0.5盎司(14克)
ZVS / ZCS分离正弦
振幅转换器
典型效率为96%
125°C操作
<1微秒的瞬态响应
3.5万小时MTBF
无需输出滤波
表面贴装BGA或J形引线
套餐
VIN = 38 - 55 V
VOUT = 12.7 - 18.3 V
IOUT = 15.0
K = 1/3
狂胜= 35.0 mΩ以下
实际尺寸
产品说明
在V I晶片母线转换模块( BCM )是一种高
效率( >96 % ) ,窄范围输入正弦振幅
转换器( SAC )从38到55伏直流主操作系统
总线提供一个孤立的12.7 V至18.3 V次要的。
BCM的可用于功率非隔离式负载点
转换器或作为一个独立的12.7 - 18.3 V电源。
由于快速的响应时间和低噪声
BCM ,需要对有限的生命铝电解或
钽电容器在负载减小,或
淘汰,从而节省电路板面积,材料
和总的系统成本。
BCM的实现了974 W上的功率密度/中
3
可表面安装有一个轮廓低至0.16"
(直径4 mm )在PCB上。其V I晶片功率封装是
板载或内侧表面安装兼容。
在V I晶片封装提供了灵活的热
通过低结至外壳和管理
结到BGA的热阻。由于它的高
转换效率和安全的工作温度
范围时,BCM不需要在一个离散的散热器
典型的应用程序。超低的结到外壳和结
导致热阻抗保证低结
温度和寿命长在最恶劣
环境。
绝对最大额定值
参数
+进行-IN
+进行-IN
电脑-IN
+ OUT到-OUT
隔离电压
输出电流
峰值输出电流
输出功率
峰值输出功率
外壳温度
工作结温
(1)
储存温度
注意:
(1)引用结被定义为具有最高温度的半导体。
该温度是由一个关断比较监测。
-1.0至60.0
100
-0.3 7.0
-0.5至25.0
2,250
20
22.5
240
360
208
-40至125
-55至125
-40至150
-65到150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
A
A
W
W
°C
°C
°C
°C
°C
笔记
为100毫秒
输入到输出
连续
对于1毫秒
连续
对于1毫秒
在回流
牛逼 - 级
米 - 级
牛逼 - 级
米 - 级
零件编号
B
总线转换器
模块
048
输入电压
代号
K
160
输出电压
代号
(=V
OUT
x10)
T
24
输出功率
代号
(=P
OUT
/10)
CON组fi guration选项
F =板载(图20)
K =内侧(图19)
产品等级温度( ℃)
GRADE
存储操作
T
-40至150 -40 to125
M
-65至150 -55 to125
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V I晶片母线转换模块
B048K160T24
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初步
特定网络阳离子
输入
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输入电压范围
输入的dv / dt
输入欠压开启
输入欠压关断
输入过压开启
输入过压关断
输入静态电流
浪涌电流过冲
输入电流
输入反射纹波电流
无负载功耗
内置输入电容
内部输入电感
推荐的外部输入电容
V I晶片母线转换模块
38
典型值
48
最大
55
1
38.0
单位
VDC
V / μs的
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
A
ADC
毫安P-P
W
F
nH
F
32.0
55.0
59.5
2.57
2.9
5.4
138
3.1
4.0
20
47
4.3
PC低
使用测试电路在图21中;见图1
使用测试电路在图21中;参见图4
200 nH的最大源极电感;见图21
输入波形
图1-
浪涌瞬态电流在满载和48输入电压与PC机启用
图2-
在满负荷使输出电压的导通波形与PC
48输入电压
图3输出
电压导通波形与输入开启满负荷
48输入电压
图4 ?
输入反射纹波电流在满负载和输入电压48
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V I晶片母线转换模块
B048K160T24
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初步
特定网络阳离子
(续)
V I晶片母线转换模块
产量
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输出电压
输出功率
额定直流电流
重复峰值功率
当前股价精度
效率
半载
满载
内部输出电感
内部输出电容
负载电容
输出过压设定值
输出纹波电压
无需外部旁路
10 μF旁路电容
短路保护设定点
平均短路电流
有效开关频率
线路调整
K
负载调整率
R
OUT
瞬态响应
电压过冲
响应时间
恢复时间
输出过冲
输入打开,在
PC ENABLE
输出开启延迟
从应用的功率
从PC引脚释放
5
95.5
95.0
96.0
95.7
1.6
25.4
600
18.3
153
13.4
23.0
0.176
3.6
1/3
29.7
245
200
1
0
0
280
67
220
25.0
3.7
0.3367
35.0
m
mV
ns
s
mV
mV
ms
ms
100 %负载阶跃;请参阅图10和11
请参阅图10和11
请参阅图10和11
无输出滤波器;见图3
无输出滤波器;参见图2
无输出滤波器;见图3
无需输出滤波器
12.7
12.2
0
0
典型值
最大
18.3
17.9
240
20
360
10
单位
VDC
VDC
W
ADC
W
%
%
%
nH
F
F
VDC
mV
mV
ADC
A
兆赫
空载
满载
38 - 55 V
IN
P
OUT
240 W
最大脉冲宽度为1ms ,最大占空比10% ,
基准电源50 %
见并联运行第12页
参见图5
参见图5
有效值
模块将关闭
参见图7和9
参见图8
模块将关闭
每相固定, 1.8兆赫
V
OUT
= K V
IN
在无负载
20.2
3.3
0.3300
输出波形
效率与输出功率
98
12
96
94
11
10
9
8
7
6
5
4
3
0
24
48
72
96
120
144
168
192
216
240
2
0
24
48
72
96
120
144
168
192
216
240
功耗
92
90
88
86
84
82
80
功耗( W)
效率(%)
输出功率( W)
图5
效率与输出功率48输入电压
输出功率( W)
图6功率
耗散作为输出功率的函数
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第15 3
初步
特定网络阳离子
(续)
V I晶片母线转换模块
图7-
输出电压纹波在满载和48输入电压;没有任何
外部旁路电容。
图8的输出
电压纹波在满载和48输入电压与10 μF的陶瓷
外部旁路电容和20 nH的分布电感。
纹波与输出功率
160
输出纹波( mVpk -PK )
140
120
100
80
60
40
0
24
48
72
96
120
144
168
192
216
240
输出功率( W)
图9-
输出电压纹波与输出功率在48 Vin的行不
任何外部旁路电容。
图10
0 -15.0与47 μF的输入电容和负载阶跃无
输出电容器。
图11 ?
15.0- 0与47 μF的输入电容载荷步。
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第15 4
初步
特定网络阳离子
一般
参数
MTBF
MIL-HDBK-217F
绝缘特性
电压
电容
阻力
机构认证(待定)
力学参数
重量
尺寸
宽度
高度
1.26 / 32
0.85 / 21.5
0.23 / 6
在/毫米
在/毫米
在/毫米
0.50 / 14
盎司/克
10
cTUVus等
CE标志
2,250
3,000
VDC
pF
M
输入到输出
输入到输出
输入到输出
UL / CSA 60950 , EN 60950
低电压指令
见机械制图,图15和图17
3.5
MHrs
25 ° C, GB
(续)
V I晶片母线转换模块
典型值
最大
单位
辅销
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
主控制( PC )
直流电压
模块禁止电压
模块使能电压
电流限制
启用延迟时间
关闭延迟时间
2.4
4.8
2.4
5.0
2.5
2.5
2.5
67
10
2.6
2.9
5.2
VDC
VDC
VDC
mA
ms
s
参见图12的时间,从PC的低输出低电平
唯一来源
典型值
最大
单位
图12-
V
OUT
在满负荷与个人电脑禁用
图13 ?
故障期间, PC信号
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V I晶片母线转换模块
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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