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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第211页 > BYW55
BYW52...BYW56
威世德律风根
硅梅萨整流器
特点
D
D
D
D
D
D
控制雪崩特性
玻璃钝化结
密封包装
低反向电流
高浪涌电流负载
电相当于二极管：
BYW52 - 1N5059
BYW53 - 1N5060
BYW54 - 1N5061
BYW55 - 1N5062
94 9539
应用
整流器，通用
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
g
=重复峰值反向电压
测试条件
TYPE
BYW52
BYW53
BYW54
BYW55
BYW56
符号
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
P
R
E
R
i
2
*t
T
j
=T
英镑
价值
200
400
600
800
1000
50
12
2
1000
20
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
mJ
A
2
*s
°
C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
平均正向电流
雪崩脉冲峰值功率
t
p
= 10毫秒，半正弦波
=180
°
t
p
=20
m
半。窦波，
T
j
=175
°
C
在雪崩模式下的脉冲能量，我
（ BR ）R
= 1A ，T
j
=175
°
C
不重复
（感性负载开关关闭）
i
2
* T -评级
结存储
温度范围
8
–55...+175
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
L = 10mm时，牛逼
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
45
100
单位
K / W
K / W
文档编号86049
第2版， 24军， 98
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BYW52...BYW56
威世德律风根
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
反向电流
击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
y
反向恢复电荷
测试条件
I
F
=1A
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
, T
j
=100
°
C
I
R
=100
m
A，T
p
/T=0.01, t
p
=0.3ms
V
R
= 0中，f = 0.47MHz
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
R
=0.25A
I
F
= 1A ，的di / dt = 5A /
m
S，V
R
=50V
I
F
= 1A ，的di / dt = 5A /
m
s
TYPE
符号
V
F
I
R
I
R
V
（ BR ）
C
D
t
rr
t
rr
Q
rr
民
典型值
0.9
0.1
5
50
4
4
200
最大
1.0
1
10
1600
单位
V
m
A
m
A
V
pF
m
s
m
s
nC
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
R
thJA
- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）
120
l
100
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
25
30
94 9172
l
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
40
80
120
160
200
T
L
=常数
R
thJA
45K/W
l=12mm
V
R
= V
RM
v
94 9101
L - 引线长度（mm ）
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.典型。热敏电阻与导线长度
图3.最大。平均正向电流与
环境温度
1000
I
R
- 反向电流（
m
A )
1.2
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
94 9163
100
散射极限
10
R
thJA
=100K/W
PCB
V
R
= V
RM
40
80
120
160
200
1
V
R
= V
RM
0
40
80
120
160
200
0.1
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
94 9176
T
j
- 结温（
°C
)
图2.最大。平均正向电流与
环境温度
图4.反向电流与结温
www.vishay.de
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2 (4)
文档编号86049
第2版， 24军， 98
BYW52...BYW56
威世德律风根
100
C
D
- 二极管电容（pF ）
T
j
= 25°C
I
F
- 正向电流（ A）
10
T
j
= 175°C
80
F = 0.47 MHz的
T
j
= 25°C
60
1
40
0.1
20
0.01
0
94 9175
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
94 9177
0.1
1
10
100
V
F
- 正向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图5.典型。正向电流与正向电压
图6.典型。二极管电容与反向电压
Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 （K / W）
1000
V
RM
= 1000 V ，R
thJA
=100K/W
100
t
p
/T=0.5
t
p
/T=0.2
10
t
p
/T=0.1
t
p
/T=0.05
t
p
/T=0.02
t
p
/T=0.01
1
10
–5
10
–4
T
AMB
= 60°C
T
AMB
= 70°C
T
AMB
= 100°C
10
–3
10
–2
10
–1
10
0
10
1
10
0
10
1
I
FRM
- 重复峰值
正向电流（ A）
10
2
T
AMB
= 25°C
T
AMB
= 45°C
94 9178
t
p
- 脉冲宽度（S ）
图7.热响应
尺寸（mm）
3.6最大。
烧结玻璃柜
SOD 57
重最大。 0.5克
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9538
0.82最大。
26分钟。
4.2 MAX 。
26分钟。
文档编号86049
第2版， 24军， 98
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3 (4)
BYW52...BYW56
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号86049
第2版， 24军， 98
分立半导体
数据表
手册， 2列
M3D116
BYW54到BYW56
控制雪崩整流器
产品speci fi cation
取代1996年的数据06月11日
1996年10月3日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
控制雪崩整流器器
特点
玻璃钝化
较高的最大工作
温度
低漏电流
卓越的稳定性
保证雪崩能量
吸收能力
提供弹药包。
描述
BYW54到BYW56
坚固的玻璃封装，使用高
高温合金建设。
2/3页
k
（数据表）
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
RRM
BYW54
BYW55
BYW56
V
RWM
峰值反向工作电压
BYW54
BYW55
BYW56
V
R
连续反向电压
BYW54
BYW55
BYW56
I
F（ AV ）
平均正向电流
参数
反向重复峰值电压

这个包是密封的
和疲劳免费为系数
扩展使用的所有部件都
匹配。
a
MAM047
Fig.1简化外形（ SOD57 ）和符号。
条件
分钟。
马克斯。
600
800
1000
600
800
1000
600
800
1000
2.0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
单位
T
tp
= 45
°C;
导线长度= 10毫米;
平均超过任何20毫秒
期;参见图2和图4
T
AMB
= 80
°C;
PCB安装
（参见图9） ;
平均超过任何20毫秒
期;参见图3和图4
0.8
A
I
FSM
E
RSM
T
英镑
T
j
非重复峰值正向电流
非重复性峰值反向雪崩
能源
储存温度
结温
T = 10 ms半正弦波
L = 120 mH的;牛逼
j
= T
j max的情况
之前
浪涌;感性负载断开
见图5
65
65
50
20
+175
+175
A
mJ
°C
°C
1996年10月3日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
控制雪崩整流器器
电气特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
F
V
（ BR ）R
参数
正向电压
反向雪崩
击穿电压
BYW54
BYW55
BYW56
I
R
反向电流
V
R
= V
RRMmax
;见图7
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 165
°C;
见图7
t
rr
反向恢复时间
从我开机时，
F
= 0.5 A至
I
R
= 1 ;在我测
R
= 0.25 A;
见图10
V
R
= 0 V ; F = 1兆赫;参见图8
条件
I
F
= 1 ;牛逼
j
= T
j max的情况
;见图6
I
F
= 1 ;见图6
I
R
- 0.1毫安
650
900
1100
分钟。
BYW54到BYW56
典型值。
马克斯。
0.8
1.0
V
V
单位
3
1
150
V
V
V
A
A
s
C
d
二极管电容
50
pF
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
记
1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚;铜的厚度
≥40 m,
见图9 。
欲了解更多信息，请参阅
“总则相关手册” 。
参数
从结热阻，以配合点
从结点到环境的热阻
注1
条件
导线长度= 10毫米
价值
46
100
单位
K / W
K / W
1996年10月3日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
控制雪崩整流器器
图形数据
BYW54到BYW56
手册， halfpage
3
MBG044
手册， halfpage
1.6
MBG054
IF （ AV ）
(A)
2
IF （ AV ）
(A)
1.2
0.8
1
0.4
0
0
40
80
120
160
200
TTP （ ° C）
0
0
40
80
120
200
160
TAMB （ ° C）
A = 1.57 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5;铅长度为10毫米。
A = 1.57 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5;设备安装如图9所示。
Fig.2
最大允许正向平均
当前，作为扎点温度的函数
（包括因损失反向漏） 。
Fig.3
最大允许正向平均
当前环境温度的函数的
（包括因损失反向漏） 。
MGC745
手册， halfpage
4
200
MBH387
P
(W)
3
2.5
2 1.57 1.42
Tj
(°C)
2
a=3
100
54
55
56
1
0
0
1
2
I
F（ AV ）
(A)
3
0
0
400
800
VR （ V）
1200
一个=我
F（ RMS ）
/I
F（ AV ）
; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
Fig.4
最大稳态功耗
（正向加漏电流损耗，
除开关损耗），为功能
平均正向电流。
实线= V
R
.
虚线= V
RRM
;
δ
= 0.5.
Fig.5
最大允许结温
作为反向电压的函数。
1996年10月3日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
控制雪崩整流器器
BYW54到BYW56
MGC735
MGC734
手册， halfpage
15
10
3
手册， halfpage
IR
(A)
10
2
IF
(A)
10
最大
10
5
1
0
0
1
V (V)
F
2
10
1
0
40
80
120
160
TJ （ C）
o
200
实线：T已
j
= 25
°C.
虚线：T已
j
= T
j max的情况
.
V
R
= V
RRMmax
.
Fig.6
正向电流为正向功能
电压;最大值。
Fig.7
反向电流交界处的函数
温度;最大值。
10
2
手册， halfpage
MBG031
手册， halfpage
50
25
Cd
（PF ）
7
10
50
2
3
1
10
VR （ V）
10
2
MGA200
1
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
尺寸（mm） 。
Fig.8
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
图9中的设备安装在一个印刷电路板。
1996年10月3日
5
BYW52 ， BYW53 ， BYW54 ， BYW55 ， BYW56
威世半导体
标准的雪崩二极管Sinterglass
特点
控制雪崩特性
玻璃钝化结
密封包装
低反向电流
高浪涌电流负载
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
949539
机械数据
案例：
SOD-57
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
约。 369毫克
应用
改正，通用
零件表
部分
BYW52
BYW53
BYW54
BYW55
BYW56
类型分化
V
R
= 200 V ;我
FAV
= 2 A
V
R
= 400 V ;我
FAV
= 2 A
V
R
= 600 V ;我
FAV
= 2 A
V
R
= 800 V ;我
FAV
= 2 A
V
R
= 1000 V ;我
FAV
= 2 A
包
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
部分
BYW52
BYW53
反向电压=重复峰值
反向电压
请参阅电气特性
BYW54
BYW55
BYW56
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
平均正向电流
雪崩脉冲峰值功率
在雪崩模式下的脉冲能量，非
重复（感性负载开关关闭）
i
2
T-评级
结温和存储温度
范围
= 180 °
t
p
= 20 μs的半正弦波，T
j
= 175 °C
l
（ BR ）R
= 1 A，T
j
= 175 °C
t
p
= 10毫秒，半正弦波
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
P
R
E
R
i
2
t
T
j
= T
英镑
价值
200
400
600
800
1000
50
12
2
1000
20
8
- 55 + 175
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
mJ
A
2
s
°C
最大热阻
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
交界处的环境
测试条件
导线长度L = 10毫米，T
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
45
100
单位
K / W
K / W
文档编号： 86049
修订版1.7 ， 25 - 8 - 10
www.vishay.com
158
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
BYW52 ， BYW53 ， BYW54 ， BYW55 ， BYW56
标准雪崩Sinterglass
二极管
威世半导体
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
反向电流
击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
F
= 1 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 100 °C
I
R
= 100 μA ，T
p
/T = 0.01, t
p
0.3毫秒
V
R
= 4 V，F = 1兆赫
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
R
= 0.25 A
I
F
= 1 A， di / dt的= 5 A / μs的，V
R
= 50 V
l
F
= 1 A， di / dt的= 5 A / μs的
符号
V
F
I
R
I
R
V
（ BR ）
C
D
t
rr
t
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.9
0.1
5
-
18
-
-
-
最大
1
1
10
1600
-
4
4
200
单位
V
μA
μA
V
pF
μs
μs
nC
典型特征
(T
AMB
= 25
°C,
除非另有规定编）
R
thJA
- 疗法。抗拒。结/环境（K / W）
120
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
l
100
80
l
2.5
V
R
= V
RRM
半
正弦
WAVE
2.0
T
L
=常数
60
40
20
0
0
949101
1.5
R
thJA
= 45 K / W
L = 10毫米
1.0
0.5
R
thJA
= 100 K / W
PCB ： D = 25毫米
0.0
5
10
15
20
25
30
16351
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
L - 引线长度（mm ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 典型。热敏电阻与导线长度
图。 3 - 马克斯。平均正向电流与
环境温度
10
T
j
= 175 °C
1000
V
R
= V
RRM
1
T
j
= 25 °C
0.1
I
R
- 反向电流（ μA ）
1.6
I
F
- 正向电流（ A）
100
10
0.01
0.001
0.0
16350
1
0.4
0.8
1.2
25
16352
50
75
100
125
150
175
V
F
- 正向电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
图。 2 - 正向电流与正向电压
图。 4 - 反向电流与结温
文档编号： 86049
修订版1.7 ， 25 - 8 - 10
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BYW52 ， BYW53 ， BYW54 ， BYW55 ， BYW56
威世半导体
标准雪崩Sinterglass
二极管
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
400
V
R
= V
RRM
40
300
P
R
- 100 ％V极限
R
250
200
150
P
R
- 80 ％V极限
R
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
C
D
- 二极管电容（pF ）
350
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
F = 1 MHz的
16353
100
T
j
- 结温（ ° C）
16354
V
R
- 反向电压（ V）
图。 5 - 最大。反向功率耗散与结温
图。 6 - 二极管电容与反向电压
1000
V
RRM
= 1000 V ，R
thJA
= 100 K / W
Z
THP
- 热敏电阻
脉冲电导率。 （K / W）
100
t
p
/T = 0.5
t
p
/T = 0.2
10
t
p
/T = 0.1
t
p
/T = 0.05
t
p
/T = 0.02
1
t
p
/T = 0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T
AMB
= 60 °C
T
AMB
= 70 °C
T
AMB
= 100 °C
1
10
100
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 45 °C
10
-5
94 9178
t
p
- 脉冲宽度（S ）
I
FRM
- 重复峰值
正向电流（ A）
图。 7 - 热响应
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SOD-57
0.82（ 0.032 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
4 （ 0.157 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
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160
3.6 （ 0.142 ）最大。
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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1
BYW54 - BYW56
PRV ： 600 - 1000Volts
IO： 2.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
雪崩整流二极管
D2
0.161 (4.1)
0.154 (3.9)
1.00 (25.4)
分钟。
0.284 (7.2)
0.268 (6.8)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据：
·案例： D2模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.465克
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值和电气特性
等级
最大重复峰值反向电压
最大峰值工作电压反向
最大连续反向电压
分钟。反向雪崩击穿电压@ I
R
- 0.1毫安
最大平均正向电流
T
tp
= 45
°C
（注1 ）
最大非重复性峰值正向浪涌电流
最大重复峰值正向电流
最大正向电压在我
F
= 1.0 A
在V最大反向电流
R
= V
RRM
在V最大反向电流
R
= V
RRM
， TJ = 165
°C
典型的反向恢复时间（注2 ）
热阻 - 结到环境
结温范围
存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）引线长度10毫米。
（2）试验条件：我
F
= 0.5 A至I
R
= 1 ;在测量IRR = 0.25 A
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
（ BR ） R-分钟。
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FRM
V
F
I
R
I
R（高）
TRR
R
θ
JA
T
J
T
英镑
BYW54
600
600
600
650
BYW55
800
800
800
900
2.0
50
12
1.0
1.0
150
3.0
100
- 65 + 175
- 65 + 175
BYW56
1000
1000
1000
1300
单位
V
V
V
V
A
A
A
V
A
A
s
K / W
°C
°C
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
额定值和特性曲线（ BYW54 - BYW56 ）
图1 - 反向恢复时间特性和试验电路图
50
10
+ 0.5 A
D.U.T.
50 VDC
（约）
1
脉冲
发电机
（注2 ）
示波器
（注1 ）
0
- 0.25 A
TRR
+
- 1.0 A
注：1.上升时间= 7 ns（最大值） ，输入阻抗为1兆欧， 22 pF的。
2.上升时间= 10 ns最大值，源阻抗为50欧姆。
3.所有电阻=无感型。
图2 - 降额曲线输出
整流电流
平均正向输出
当前，安培
2.0
50
图3 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌
当前，安培
1.6
40
1.2
30
0.8
20
0.4
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
4
6
10
20
40
60
100
TIE -点温度， （
°
C)
循环次数在60Hz
100
反向电流微安
图4 - 典型正向特性
图5 - 典型的反向特性
10
T
J
= 100
°C
正向电流，安培
10
1.0
1.0
T
J
= 25
°C
0.1
T
J
= 25
°C
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
百分比额定反向
电压， （ ％ ）
正向电压，伏
第2页2
启示录02 ： 2005年3月25日
BYW52 / 53 /54 / 56分之55
威世半导体
标准的雪崩二极管Sinterglass
特点
控制雪崩特性
玻璃钝化结
e2
密封包装
低反向电流
高浪涌电流负载
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
949539
应用
精馏，通用
机械数据
案例：
SOD- 57烧结玻璃柜
终端：
镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
约。 369毫克
零件表
部分
BYW52
BYW53
BYW54
BYW55
BYW56
类型分化
V
R
= 200 V ;我
FAV
= 2 A
V
R
= 400 V ;我
FAV
= 2 A
V
R
= 600 V ;我
FAV
= 2 A
V
R
= 800 V ;我
FAV
= 2 A
V
R
= 1000 V ;我
FAV
= 2 A
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复
峰值反向电压
测试条件
请参阅电气特性
部分
BYW52
BYW53
BYW54
BYW55
BYW56
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
平均正向电流
雪崩脉冲峰值功率
= 180 °
t
p
= 20
s
半正弦波，
T
j
= 175 °C
t
p
= 10毫秒，半正弦波
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
P
R
价值
200
400
600
800
1000
50
12
2
1000
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
文档编号86049
修订版1.6 ， 14 -APR- 05
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1
BYW52 / 53 /54 / 56分之55
威世半导体
参数
在脉冲雪崩能量
模式，不重复（感性
负荷开关关闭）
i
2
* T -评级
结存储
温度范围
测试条件
I
（ BR ）R
= 1 A，T
j
= 175 °C
部分
符号
E
R
价值
20
单位
mJ
i
2
*t
T
j
= T
英镑
8
- 55 + 175
A
2
*s
°C
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
测试条件
升= 10毫米，T
L
=常数
在PC板间距
25 mm
符号
R
thJA
R
thJA
价值
45
100
单位
K / W
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 1 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 100 °C
I
R
= 100
A,
t
p
/T = 0.01,
t
p
0.3毫秒
V
R
= 4 V，F = 1兆赫
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
R
= 0.25 A
I
F
= 1 A， di / dt的= 5 A / μs的，V
R
= 50 V
I
F
= 1 A， di / dt的= 5 A / μs的
测试条件
符号
V
F
I
R
I
R
V
（ BR ）
C
D
t
rr
t
rr
Q
rr
18
4
4
200
民
典型值。
0.9
0.1
5
最大
1.0
1
10
1600
单位
V
A
A
V
pF
s
s
nC
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
R
thJA
千卡。抗拒。结/环境（K / W）
120
l
100
- 正向电流（ A）
l
10.000
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
25
30
L - 引线长度（mm ）
T
L
=常数
1.000
T
j
= 175 °C
0.100
T
j
= 25 °C
94 9101
0.001
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
16350
V
F
- 正向电压（ V）
图1.典型。热敏电阻与导线长度
I
F
0.010
图2.正向电流与正向电压
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2
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修订版1.6 ， 14 -APR- 05
BYW52 / 53 /54 / 56分之55
威世半导体
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
V
R
= V
RRM
半正弦波
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
R
thJA
= 45 K / W
L = 10毫米
P - 反向功率耗散（MW ）
R
2.5
400
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100 125 150 175
T
j
- 结温（ ° C）
P
R
-limit
@100 % V
R
V
R
= V
RRM
P
R
-limit
@80 % V
R
R
thJA
= 100 K / W
PCB ： D = 25毫米
16351
16353
图3.最大。平均正向电流与环境温度
图5.最大。反向功率耗散与结
温度
1000
C
D
- 二极管电容（pF ）
40
V
R
= V
RRM
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
16354
F = 1 MHz的
I
R
- 反向电流（ A）
100
10
1
25
16352
50
75
100 125 150 175
T
j
- 结温（ ° C）
1.0
10.0
V
R
- 反向电压（ V）
100.0
图4.反向电流与结温
Z
THP
- 散热阻力PulseCond 。 （K / W）
图6.二极管电容与反向电压
1000
V
RRM
= 1000 V ，R
thJA
= 100K / W
100
t
p
/T = 0.5
t
p
/T = 0.2
10
t
p
/T = 0.1
t
p
/T = 0.05
t
p
/T = 0.02
t
p
/T = 0.01
1
10
–5
10
–4
T
AMB
= 60 °C
T
AMB
= 70°C
T
AMB
= 100°C
10
–3
10
–2
10
–1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
I
FRM
- 重复峰值
正向电流（ A）
T
AMB
= 25°C
T
AMB
= 45°C
94 9178
t
p
- 脉冲宽度（S ）
图7.热响应
文档编号86049
修订版1.6 ， 14 -APR- 05
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3
BYW52 / 53 /54 / 56分之55
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
烧结玻璃柜
SOD-57
3.6 （ 0.140 ）最大。
阴极鉴定
ISO方法E
94 9538
0.82（ 0.032 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
4.0 （ 0.156 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
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BYW52 / 53 /54 / 56分之55
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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B82422-T1331-+
BYV42
BSL214N
BCY59-9
B82144A2154J000
BAT15-043S
BC107C
B43501A0337M000
BSFR53G03
BSC042NE7NS3G
BS62LV1027JI-55
B57875S0103H002
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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