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BSC042NE7NS3摹
的OptiMOS
TM
3电源晶体管
产品概述
特点
优化技术，同步整流
适用于高频开关和DC / DC转换器
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
卓越的热电阻
N沟道，正常水平
100 ％雪崩测试
无铅电镀;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
BSC042NE7NS3摹
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
75
4.2
100
V
m
A
包
记号
PG-TDSON-8
042NE7NS
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=10 V,
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 50 K / W
2)
漏电流脉冲
3)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
1)
2)
价值
100
83
单位
A
19
400
220
±20
mJ
V
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
T
C
=25 °C
I
D
=50 A,
R
GS
=25
J- STD20和JESD22
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
3)
参见图3详细信息
4)
参见图13更详细的信息
修订版2.21
第1页
2009-11-11
BSC042NE7NS3摹
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
功耗
符号条件
P
合计
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 50 K / W
2)
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j
,
T
英镑
价值
125
2.5
-55 ... 150
55/150/56
°C
单位
W
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
R
thJC
顶部
器件在PCB上
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
2)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=91 A
V
DS
=75 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=75 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
栅极电阻
跨
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=50 A
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A
75
2.3
-
-
3.1
0.1
-
3.8
1
A
V
-
-
-
-
-
-
1
18
62
50
K / W
-
-
-
-
44
10
10
3.7
2.2
89
100
100
4.2
-
-
nA
m
S
修订版2.21
第2页
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BSC042NE7NS3摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=37.5 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=1.8
V
GS
=0 V,
V
DS
=37.5 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3600
810
40
14
17
34
9
4800
1100
-
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=37.5 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=37.5 V,
I
D
=50 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
18.3
10.4
17.6
52
5.1
53
-
-
-
69
-
71
nC
V
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
-
-
0.9
44
64
100
400
1.2
-
-
A
V
ns
nC
V
R
=40 V,
I
F
=25A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
参见图16栅极电荷参数定义
修订版2.21
第3页
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BSC042NE7NS3摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
150
120
125
100
100
80
P
合计
[W]
75
I
D
[A]
0
25
50
75
100
125
150
175
60
50
40
25
20
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
10 s
10
2
100 s
1
Z
thJC
〔 K / W〕
0.5
I
D
[A]
10
1
1毫秒
0.2
0.1
10
0
10毫秒
0.1
0.05
DC
0.02
0.01
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
单脉冲
0.01
0
0
0
0
0
0
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版2.21
第4页
2009-11-11
BSC042NE7NS3摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
400
360
320
280
10 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
12
10
7V
5V
5.5 V
6V
7V
8
200
160
6V
R
DS （ ON）
[m
]
240
I
D
[A]
6
120
80
40
0
0
1
2
5.5 V
4
10 V
2
5V
4.5 V
0
3
0
100
200
300
400
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
200
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
200
160
160
120
120
80
g
fs
[S]
80
40
40
150 °C
25 °C
I
D
[A]
0
0
2
4
6
8
0
0
40
80
120
160
200
V
GS
[V]
I
D
[A]
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第5页
2009-11-11
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