BYW51/F/G/FP/R-200
高效快速恢复整流二极管
主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
Tj max的
V
F
（最大）
TRR （最大值）
2 ×10
200 V
150 °C
0.85 V
25纳秒
K
A1
A2
A1
K
A2
特点和优点
期适用于SMPS
非常低正向损失
开关损耗极小
高浪涌电流能力
预绝缘包（ ISOWATT220AB /
TO- 220FP ） ：
绝缘电压= 2000 V DC
电容= 12 pF的
s
s
s
s
s
TO-220FPAB
BYW51FP-200
K
K
A1
A2
TO-220AB
BYW51-200
A2
A1
PAK
BYW51G-200
A2
A1
K
2
描述
双中心抽头整流器适用于开关模式
电源和高频DC到DC
转换器。
封装采用TO- 220AB ， ISOWATT220AB ，
TO- 220FP ，D
2
PAK还是我
2
PAK ，该装置是
旨在用于低电压，高频率
逆变器，续流和极性保护
应用程序。
绝对额定值
（限制值，每二极管）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
RMS正向电流
参数
反向重复峰值电压
ISOWATT220AB
BYW51F-200
A2
K
A1
I
2
PAK
BYW51R-200
价值
200
20
单位
V
A
A
平均正向电流TO- 220AB / D PAK锝= 120 ℃，每二极管
δ
= 0.5
I
2
PAK
每个器件
ISOWATT220AB
TO-220FPAB
Tc=95°C
Tc=85°C
每二极管
每个器件
每二极管
每个器件
TP = 10ms的正弦
2
10
20
10
20
10
20
100
- 65至+ 150
150
I
FSM
TSTG
Tj
浪涌不重复正向电流
存储温度范围
最大工作结温
A
°C
°C
1/9
2002年8月 - 埃德： 3E
BYW51/F/G/FP/R-200
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（每二极管） 。
图。 2 ：
峰电流与外形（每二极管） 。
PF （AV） （W）的
14
12
10
8
60
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
IM （ A）
120
T
100
δ
=1
80
P=10W
δ
= TP / T
tp
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
T
P=15W
40
P=5W
IF （ AV ） （A ）
6
7
8
9
20
δ
= TP / T
tp
10 11 12 13
0
0.0
δ
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
图。 3-1 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5 ，D
2
PAK ， TO- 220AB ） 。
图。 3-2 ：
平均正向电流随
环境温度（ δ = 0.5， ISOWATT220AB ，
TO-220FPAB).
IF （ AV ） （A ）
12
IF （ AV ） （A ）
12
RTH （ J- A）=的Rth （J -C ）
10
8
Rth(j-a)=15°C/W
10
8
6
RTH （ J- A）=的Rth （J -C ）
ISOWATT220AB
TO-220FP
6
4
2
0
δ
= TP / T
tp
T
Rth(j-a)=15°C/W
4
T
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
2
0
δ
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
0
25
0
25
图。 4-1 ：
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间（D
2
PAK ， TO- 220AB ）
图。 4-2 ：
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间（ ISOWATT220AB ） 。
IM （ A）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
I
M
10
0
1E-3
80
70
60
Tc=25°C
IM （ A）
50
40
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=75°C
30
20
10
I
M
t
Tc=100°C
t
Tc=100°C
δ
=0.5
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
0
1E-3
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BYW51/F/G/FP/R-200
图。 4-3 ：
不重复浪涌峰值正向电流
相对于过载持续时间（TO- 220FPAB ） 。
图。 5-1 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间（D
2
PAK ，
TO-220AB).
IM （ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-3
I
M
K = [第Z （J -C ） / Rth的（J -C ） ]
1.0
δ
= 0.5
δ
= 0.2
Tc=25°C
Tc=75°C
δ
= 0.1
T
Tc=100°C
t
单脉冲
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
0.1
1E-3
1E-2
T（ S）
1E-1
δ
= TP / T
tp
1E+0
图。 5-2 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间
（ ISOWATT220AB ，TO- 220FPAB ） 。
图。 6 ：
正向压降与前进
电流（最大值，每个二极管） 。
K = [第Z （J -C ） / Rth的（J -C ） ]
1.0
δ
= 0.5
IFM （ A）
100.0
Tj=125°C
δ
= 0.2
δ
= 0.1
10.0
Tj=25°C
T
单脉冲
1.0
VFM （ V）
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
T（ S）
0.1
1E-2
1E-1
1E+0
δ
= TP / T
tp
1E+1
图。 7 ：
结电容与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
图。 8 ：
反向恢复电荷对的dI
F
/ DT
（每二极管） 。
C（ pF）的
100
F=1MHz
Tj=25°C
QRR （ NC ）
500
IF = IF （ AV）
90％的置信
Tj=125°C
50
200
100
50
20
20
VR （ V）
10
1
10
100
200
10
10
20
DIF / DT （ A / μs）内
50
100
200
500
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BYW51/F/G/FP/R-200
图。 9 ：
峰值反向恢复电流对的dI
F
/ DT
（每二极管） 。
图。 10 ：
动态参数与结
温度。
IRM （ A）
50
IF = IF （ AV）
90％的置信
Tj=125°C
QRR ; IRM [ TJ ] /的Qrr ; IRM [ TJ = 125 ° C]
1.25
1.00
10
0.75
0.50
IRM
QRR
DIF / DT （ A / μs）内
1
10
20
50
100
200
500
0.25
0
25
50
TJ （ ° C）
75
100
125
150
图。 11 ：
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷
电路板FR4 ，铜厚度为35μm ）
(D
2
PAK ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
S（铜）（平方厘米）
15
20
25
30
35
40
5/9
QQ：2881677436 复制
