BYW51/F/G/FP/R-200
高效快速恢复整流二极管
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(最大)
TRR (最大值)
2 ×10
200 V
150 °C
0.85 V
25纳秒
K
A1
A2
A1
K
A2
特点和优点
期适用于SMPS
非常低正向损失
开关损耗极小
高浪涌电流能力
预绝缘包( ISOWATT220AB /
TO- 220FP ) :
绝缘电压= 2000 V DC
电容= 12 pF的
s
s
s
s
s
TO-220FPAB
BYW51FP-200
K
K
A1
A2
TO-220AB
BYW51-200
A2
A1
PAK
BYW51G-200
A2
A1
K
2
描述
双中心抽头整流器适用于开关模式
电源和高频DC到DC
转换器。
封装采用TO- 220AB , ISOWATT220AB ,
TO- 220FP ,D
2
PAK还是我
2
PAK ,该装置是
旨在用于低电压,高频率
逆变器,续流和极性保护
应用程序。
绝对额定值
(限制值,每二极管)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
RMS正向电流
参数
反向重复峰值电压
ISOWATT220AB
BYW51F-200
A2
K
A1
I
2
PAK
BYW51R-200
价值
200
20
单位
V
A
A
平均正向电流TO- 220AB / D PAK锝= 120 ℃,每二极管
δ
= 0.5
I
2
PAK
每个器件
ISOWATT220AB
TO-220FPAB
Tc=95°C
Tc=85°C
每二极管
每个器件
每二极管
每个器件
TP = 10ms的正弦
2
10
20
10
20
10
20
100
- 65至+ 150
150
I
FSM
TSTG
Tj
浪涌不重复正向电流
存储温度范围
最大工作结温
A
°C
°C
1/9
2002年8月 - 埃德: 3E
BYW51/F/G/FP/R-200
图。 1 :
正向平均功耗与
平均正向电流(每二极管) 。
图。 2 :
峰电流与外形(每二极管) 。
PF (AV) (W)的
14
12
10
8
60
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
IM ( A)
120
T
100
δ
=1
80
P=10W
δ
= TP / T
tp
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
T
P=15W
40
P=5W
IF ( AV ) (A )
6
7
8
9
20
δ
= TP / T
tp
10 11 12 13
0
0.0
δ
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
图。 3-1 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5 ,D
2
PAK , TO- 220AB ) 。
图。 3-2 :
平均正向电流随
环境温度( δ = 0.5, ISOWATT220AB ,
TO-220FPAB).
IF ( AV ) (A )
12
IF ( AV ) (A )
12
RTH ( J- A)=的Rth (J -C )
10
8
Rth(j-a)=15°C/W
10
8
6
RTH ( J- A)=的Rth (J -C )
ISOWATT220AB
TO-220FP
6
4
2
0
δ
= TP / T
tp
T
Rth(j-a)=15°C/W
4
T
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
2
0
δ
= TP / T
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
0
25
0
25
图。 4-1 :
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间(D
2
PAK , TO- 220AB )
图。 4-2 :
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间( ISOWATT220AB ) 。
IM ( A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
I
M
10
0
1E-3
80
70
60
Tc=25°C
IM ( A)
50
40
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=75°C
30
20
10
I
M
t
Tc=100°C
t
Tc=100°C
δ
=0.5
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
0
1E-3
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BYW51/F/G/FP/R-200
图。 4-3 :
不重复浪涌峰值正向电流
相对于过载持续时间(TO- 220FPAB ) 。
图。 5-1 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间(D
2
PAK ,
TO-220AB).
IM ( A)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-3
I
M
K = [第Z (J -C ) / Rth的(J -C ) ]
1.0
δ
= 0.5
δ
= 0.2
Tc=25°C
Tc=75°C
δ
= 0.1
T
Tc=100°C
t
单脉冲
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
0.1
1E-3
1E-2
T( S)
1E-1
δ
= TP / T
tp
1E+0
图。 5-2 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间
( ISOWATT220AB ,TO- 220FPAB ) 。
图。 6 :
正向压降与前进
电流(最大值,每个二极管) 。
K = [第Z (J -C ) / Rth的(J -C ) ]
1.0
δ
= 0.5
IFM ( A)
100.0
Tj=125°C
δ
= 0.2
δ
= 0.1
10.0
Tj=25°C
T
单脉冲
1.0
VFM ( V)
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
T( S)
0.1
1E-2
1E-1
1E+0
δ
= TP / T
tp
1E+1
图。 7 :
结电容与反向
施加电压(典型值,每二极管) 。
图。 8 :
反向恢复电荷对的dI
F
/ DT
(每二极管) 。
C( pF)的
100
F=1MHz
Tj=25°C
QRR ( NC )
500
IF = IF ( AV)
90%的置信
Tj=125°C
50
200
100
50
20
20
VR ( V)
10
1
10
100
200
10
10
20
DIF / DT ( A / μs)内
50
100
200
500
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BYW51/F/G/FP/R-200
图。 9 :
峰值反向恢复电流对的dI
F
/ DT
(每二极管) 。
图。 10 :
动态参数与结
温度。
IRM ( A)
50
IF = IF ( AV)
90%的置信
Tj=125°C
QRR ; IRM [ TJ ] /的Qrr ; IRM [ TJ = 125 ° C]
1.25
1.00
10
0.75
0.50
IRM
QRR
DIF / DT ( A / μs)内
1
10
20
50
100
200
500
0.25
0
25
50
TJ ( ° C)
75
100
125
150
图。 11 :
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度为35μm )
(D
2
PAK ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
S(铜)(平方厘米)
15
20
25
30
35
40
5/9