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分立半导体

数据表

手册， 2列

M3D116

BYV2100

快速软恢复

控制雪崩整流器

产品speci fi cation

1996年10月7日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

快速软恢复

控制雪崩整流器器

特点

玻璃钝化

较高的最大工作

温度

低漏电流

卓越的稳定性

保证雪崩能量

吸收能力

提供弹药包。

描述

坚固的玻璃SOD57封装，使用

高温合金

建设。

BYV2100

这个包是密封的

和疲劳免费为系数

扩展使用的所有部件都

匹配。

2/3页

k

（数据表）

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

RRM

V

R

I

F（ AV ）

参数

反向重复峰值电压

连续反向电压

平均正向电流

a

MAM047

Fig.1简化外形（ SOD57 ）和符号。

条件

分钟。

马克斯。

100

100

2.0

V

V

A

单位

T

tp

= 80

°C;

导线长度= 10毫米;

平均超过任何20毫秒的时间;

见图2 ;参见图4

T

AMB

= 60

°C;

PCB安装

（参见图12 ） ;平均超过任何

20毫秒的时间;见图3 ;看

图4还

1.3

A

I

FRM

I

FSM

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

T

tp

= 80

°C;

见图6

T

AMB

= 60

°C;

见图7

T = 10 ms半正弦波;

T

j

= T

j max的情况

前激增;

V

R

= V

RRMmax

L = 120 mH的;牛逼

j

= T

j max的情况

之前

浪涌;感性负载断开

18

12

50

A

A

A

E

RSM

T

英镑

T

j

非重复性峰值反向

雪崩能量

储存温度

结温

65

65

20

+175

+175

mJ

°C

°C

1996年10月7日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

快速软恢复

控制雪崩整流器器

电气特性

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

F

V

（ BR ）R

I

R

参数

正向电压

反向雪崩

击穿电压

反向电流

条件

I

F

= 2 A;牛逼

j

= T

j max的情况

;见图5

I

F

= 2 A;见图5

I

R

- 0.1毫安

V

R

= V

RRMmax

;

参见图8

V

R

= V

RRMmax

; T

j

= 165

°C;

参见图8

t

rr

反向恢复时间

从我开机时，

F

= 0.5 A

到我

R

= 1 ;在测

I

R

= 0.25 A;见图10

F = 1兆赫; V

R

= 0 V ;见图9

从切换时

I

F

= 1 A到V

R

≥

30 V和

dI

F

/ DT =

1

A / μs的;见图11

分钟。

120

典型值。

BYV2100

马克斯。

0.78

0.98

5

150

12.5

V

V

V

单位

A

A

ns

C

d

dI

R

--------

dt

二极管电容

反向的最大斜率

恢复电流

135

2

pF

A / μs的

热特性

符号

R

日J- TP

R

日J-一

记

1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚; Cu层的厚度

≥40 m,

见图12 。

欲了解更多信息，请参阅

“总则相关手册” 。

参数

从结热阻，以配合点

从结点到环境的热阻

注1

条件

导线长度= 10毫米

价值

46

100

单位

K / W

K / W

1996年10月7日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

快速软恢复

控制雪崩整流器器

图形数据

MGD737

BYV2100

手册， halfpage

3

手册， halfpage

2.0

MGD738

IF （ AV ）

(A)

2

IF （ AV ）

(A)

1.6

1.2

0.8

1

0.4

0

0

100

TTP （ ° C）

200

0

0

100

TAMB （ ° C）

200

开关模式的应用。

a = 1.42;

δ

= 0.5; V

R

= V

RRMmax

.

开关模式的应用。

a = 1.42;

δ

= 0.5; V

R

= V

RRMmax

.

设备安装，如图12所示。

Fig.2

最大允许正向平均

当前，作为扎点温度的函数

（包括因损失反向漏）。

Fig.3

最大允许正向平均

当前环境温度的函数的

（包括因损失反向漏）。

手册， halfpage

3

MGD739

手册， halfpage

6

MGD740

P

(W)

a = 3 2.5 2

1.57

1.42

IF

(A)

2

4

1

2

0

0

1

2

IF （ AV ）（A ）

3

0

0

1

VF （ V）

2

一个=我

F（ RMS ）

/I

F（ AV ）

;

δ

= 0.5; V

R

= V

RRMmax

.

Fig.4

最大稳态功耗

（正向加漏电流损耗，

除开关损耗），为功能

平均正向电流。

虚线：T已

j

= 175

°C.

实线：T已

j

= 25

°C.

Fig.5

最大正向电压的一个函数

正向电流。

1996年10月7日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

快速软恢复

控制雪崩整流器器

BYV2100

手册，全页宽

20

MGD741

IFRM

(A)

16

δ

= 0.05

12

0.1

8

0.2

4

0.5

1

0

10

2

10

1

1

10

10

2

10

3

TP（ ms）的

10

4

T

tp

= 80

°C;

R

日J- TP

= 46 K / W ; V

R

= V

RRMmax

在1

δ.

图6最大正向重复峰值电流的脉冲时间（方波脉冲）和关税因素的函数。

手册，全页宽

16

MGD742

IFRM

(A)

12

δ

= 0.05

8

0.1

0.2

4

0.5

1

0

10

2

10

1

1

10

10

2

10

3

TP（ ms）的

10

4

T

AMB

= 60

°C;

R

日J-一

= 100 K / W ; V

R

= V

RRMmax

在1

δ.

图7最大正向重复峰值电流的脉冲时间（方波脉冲）和关税因素的函数。

1996年10月7日

5

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