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分立半导体
数据表
BUJ403A
硅扩散型功率晶体管
产品
规范
1998年12月
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ403A
概述
高电压,在TO220AB信封高速平面钝化npn型功率开关晶体管旨在用于
在高频电子照明镇流器应用中,转换器,逆变器,开关稳压器,马达控制
系统等。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
h
FEsat
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
0.15
15.5
170
马克斯。
1200
1200
550
6
10
100
1.0
-
300
单位
V
V
V
A
A
W
V
ns
T
mb
25 C
I
C
= 2 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 3 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 2.5 A;我
B1
=0.5 A
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
BASE
集热器
辐射源
集热器
描述
引脚配置
TAB
符号
c
b
1 23
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值( IEC 134 )
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
CBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压(开基)
集电极基极电压(发射极开路)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流(DC)的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1200
550
1200
6
10
3
5
100
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
mb
25 C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
在自由空气
条件
典型值。
-
60
马克斯。
1.25
-
单位
K / W
K / W
1998年12月
1
启1.200
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ403A
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
,I
CBO
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FEsat
h
FEsat
参数
集电极截止电流
1
集电极截止电流
1
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
首席执行官
= V
CEOMmax
(550V)
V
EB
= 7 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 0 ;我
C
= 10毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 2.0 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 2.0 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 2.0 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 3.0 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
-
550
-
-
13
20
13
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.15
0.91
25
30
18.5
15.5
马克斯。
1.0
2.0
0.1
0.1
-
1.0
1.5
-
47
25
-
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
参数
开关时间(阻性负载)
t
on
t
s
t
f
t
s
t
f
t
s
t
f
开启时间
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间(感性负载)
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间(感性负载)
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
CON
= 2.5 A;我
BON
= -I
B关
= 0.5 A;
R
L
= 75欧姆; V
BB2
= 4 V;
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
0.5
3
0.3
s
s
s
I
CON
= 2.5 A;我
BON
= 0.5 A; L
B
= 1
H;
-V
BB
= 5 V
I
CON
= 2.5 A;我
BON
= 0.5 A; L
B
= 1
H;
-V
BB
= 5 V ;牛逼
j
= 100 C
-
170
1.5
300
s
ns
-
-
1.8
300
s
ns
1
测量正弦半波电压(波形记录器) 。
1998年12月
2
启1.200
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ403A
+ 50v
100-200R
IC
90 %
图标
90 %
10 %
示波器
垂直
300R
30-60赫兹
6V
1R
IB
ts
花花公子
IBON
10 %
tr
30ns
-IBoff
tf
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间波形与电阻性负载。
IC / MA
VCC
250
200
LC
IBON
100
LB
T.U.T.
-VBB
0
VCE / V
VCEOsust
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。测试电路的电感性负载。
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V ; L
C
= 200 uH容; L
B
= 1 uH容
图标
90 %
IC
VCC
RL
VIM
0
tp
IB
RB
T.U.T.
ts
花花公子
IBON
10 %
tf
t
T
-IBoff
t
如图3所示。测试电路电阻负载。 V
IM
= -6至+ 8V
V
CC
= 250 V ;吨
p
= 20
s;
δ
= t
p
/ T = 0.01.
R
B
和R
L
从我计算
CON
BON
要求。
图6 。开关时间波形带感性负载。
1998年12月
3
启1.200
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ403A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD %
归一化功率降额
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
VBEsat / V
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.1
1
IC / A
10
图7 。归一化的功率耗散。
PD % = 100
PD / PD
25C
= F(T
mb
)
图10 。基射极饱和电压。
实线=典型值,V
BESAT
= F( IC);在IC / IB = 4 。
VCESAT / V
h
FE
100
5V
0.5
0.4
0.3
10
0.2
TJ = 25℃
0.1
1V
0.0
0.1
1
IC / A
10
1
0.01
0.1
IC / A
1
10
图8 。典型的直流电流增益。
FE
= F(我
C
)
参数V
CE
VCESAT / V
图11 。集电极 - 发射极饱和电压。
实线=典型值,V
CESAT
= F( IC);在IC / IB = 4 。
2.0
10
第Z / (K / W)
1.6
IC=1A
IC=1A
1.2
2A
3A
4A
1
D= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
0.8
0.1
P
D
tp
D=
t
p
T
t
0.4
T
0.0
0.01
0.01
1E-06
0.10
IB / A
1.00
10.00
1E-04
1E-02
T / S
1E+00
图9 。集电极 - 发射极饱和电压。
实线=典型值,V
CESAT
= F (ⅠB ) ;牛逼
j
=25C.
图12 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F(T) ;参数D = T
p
/T
1998年12月
4
启1.200
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