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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第735页 > BYT51A
BYT51.
威世德律风根
硅梅萨整流器
特点
D
玻璃钝化结
D
密封包装
D
低反向电流
应用
整流器
94 9539
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
g
=重复峰值反向电压
测试条件
TYPE
BYT51A
BYT51B
BYT51D
BYT51G
BYT51J
BYT51K
BYT51M
符号
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
I
FAV
T
j
=T
英镑
价值
50
100
200
400
600
800
1000
50
9
1
1.5
–65...+175
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
°
C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
平均正向电流
g
结存储
温度范围
t
p
=10ms,
半正弦波
在PC板
L = 10mm时，牛逼
L
=30
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
L = 10mm时，牛逼
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
45
100
单位
K / W
K / W
文档编号86028
第3版， 24军， 98
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BYT51.
威世德律风根
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
反向电流
反向恢复时间
测试条件
I
F
=1A
I
F
= 1A ，T
j
=175
°
C
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
, T
j
=150
°
C
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
R
=0.25A
TYPE
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
民
典型值
0.95
最大
1.1
1.0
1
100
4
单位
V
V
m
A
m
A
m
s
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
R
thJA
- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）
120
l
100
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
25
30
94 9405
l
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
40
80
120
160
200
V
R
= V
RM
F 1kHz时
l=10mm
v
T
L
=常数
94 9101
L - 引线长度（mm ）
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.典型。热敏电阻与导线长度
图3.最大。平均正向电流与
环境温度
1000
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
2.0
I
R
- 反向电流（
m
A )
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
40
80
120
160
200
94 9407
V
R
= V
RM
F 1kHz时
PC板
v
100
散射极限
10
1
V
R
= V
RM
0
40
80
120
160
200
0.1
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
94 9406
T
j
- 结温（
°C
)
图2.最大。平均正向电流与环境
温度
图4.反向电流与结温
www.vishay.de
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2 (4)
文档编号86028
第3版， 24军， 98
BYT51.
威世德律风根
10
C
D
- 二极管电容（pF ）
3.0
15767
50
40
30
20
10
0
0.1
I
F
- 正向电流（ A）
T
j
= 25°C
1
散射极限
0.1
0.01
0
94 9408
0.6
1.2
1.8
2.4
1.0
10.0
100.0
V
F
- 正向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图5.正向电流与正向电压
图6.典型。二极管电容与反向电压
尺寸（mm）
3.6最大。
烧结玻璃柜
SOD 57
重最大。 0.5克
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9538
0.82最大。
26分钟。
4.2 MAX 。
26分钟。
文档编号86028
第3版， 24军， 98
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (4)
BYT51.
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号86028
第3版， 24军， 98
BYT51.
威世半导体
标准的雪崩二极管Sinterglass
特点
玻璃钝化结
密封包装
e2
低反向电流
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
949539
应用
整流二极管
机械数据
案例：
SOD- 57烧结玻璃柜
终端：
镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
约。 369毫克
零件表
部分
BYT51A
BYT51B
BYT51D
BYT51G
BYT51J
BYT51K
BYT51M
类型分化
V
R
= 50 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 100V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 200 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 400 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 600 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 800 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 1000 V ;我
FAV
= 1.5 A
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复
峰值反向电压
测试条件
请参阅电气特性
部分
BYT51A
BYT51B
BYT51D
BYT51G
BYT51J
BYT51K
BYT51M
峰值正向浪涌电流
文档编号86028
修订版1.7 ， 14 -APR- 05
t
p
= 10毫秒，半正弦波
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
价值
50
100
200
400
600
800
1000
50
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
www.vishay.com
1
BYT51.
威世半导体
参数
重复峰值正向电流
平均正向电流
结存储
温度范围
非反向重复
雪崩能量
I
（ BR ）R
= 1 A
在PC板
L = 10毫米
测试条件
部分
符号
I
FRM
I
FAV
I
FAV
T
j
= T
英镑
E
R
价值
9
1
1.5
- 55 + 175
20
单位
A
A
A
°C
mJ
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
测试条件
升= 10毫米，T
L
=常数
在PC板间距
25 mm
符号
R
thJA
R
thJA
价值
45
100
单位
K / W
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A，T
j
= 175 °C
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 150 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
R
= 0.25 A
测试条件
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
民
典型值。
0.95
最大
1.1
1.0
1
100
4
单位
V
V
A
A
s
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
R
thJA
千卡。抗拒。结/环境（K / W）
120
l
100
I
F
- 正向电流（ A）
l
10
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
25
30
L - 引线长度（mm ）
T
L
=常数
1
T
j
= 175°C
0.1
T
j
= 2 5°C
0.01
0.001
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
16323
94 9101
V
F
- 正向电压（ V）
图1.典型。热敏电阻与导线长度
图2.正向电流与正向电压
www.vishay.com
2
文档编号86028
修订版1.7 ， 14 -APR- 05
BYT51.
威世半导体
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
R
thJA
= 100 K / W
PCB ： D = 25毫米
R
thJA
= 45 K / W
L = 10毫米
P - 反向功率耗散（MW ）
R
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
1.6
350
V
R
= V
RRM
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
T
j
- 结温（
°C
)
P
R
-limit
@80 % V
R
P
R
-limit
@100 % V
R
80 100 120 140 160 180
16326
16324
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.最大。平均正向电流与环境温度
图5.最大。反向功率耗散与结
温度
1000
V
R
= V
RRM
I
R
- 反向电流（
A
)
C
D
- 二极管电容（pF ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
F = 1 MHz的
100
10
1
25
16325
50
75
100
125
150
175
16327
0
0.1
1
10
100
T
j
- 结温（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图4.反向电流与结温
图6.二极管电容与反向电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
烧结玻璃柜
SOD-57
3.6 （ 0.140 ）最大。
阴极鉴定
ISO方法E
94 9538
0.82（ 0.032 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
4.0 （ 0.156 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
文档编号86028
修订版1.7 ， 14 -APR- 05
www.vishay.com
3
BYT51.
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号86028
修订版1.7 ， 14 -APR- 05
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
BYT51A ， BYT51B ， BYT51D ， BYT51G ， BYT51J ， BYT51K ， BYT51M
威世半导体
标准的雪崩二极管Sinterglass
特点
玻璃钝化结
密封包装
低反向电流
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
949539
机械数据
案例：
SOD-57
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
约。 369毫克
应用
整流二极管
零件表
部分
BYT51A
BYT51B
BYT51D
BYT51G
BYT51J
BYT51K
BYT51M
类型分化
V
R
= 50 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 100V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 200 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 400 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 600 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 800 V ;我
FAV
= 1.5 A
V
R
= 1000 V ;我
FAV
= 1.5 A
包
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
部分
BYT51A
BYT51B
BYT51D
反向电压=重复峰值
反向电压
请参阅电气特性
BYT51G
BYT51J
BYT51K
BYT51M
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
平均正向电流
结温和存储温度
范围
不重复反向雪崩
能源
l
（ BR ）R
= 1 A
在PC板
L = 10毫米
t
p
= 10毫秒，半正弦波
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
I
FAV
T
j
= T
英镑
E
R
价值
50
100
200
400
600
800
1000
50
9
1
1.5
- 55 + 175
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
°C
mJ
文档编号： 86028
修订版1.8 ， 25 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
153
BYT51A ， BYT51B ， BYT51D ， BYT51G ， BYT51J ， BYT51K ， BYT51M
威世半导体
标准雪崩Sinterglass
二极管
最大热阻
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
交界处的环境
测试条件
导线长度L = 10毫米，T
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
45
100
单位
K / W
K / W
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A，T
j
= 175 °C
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 150 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
R
= 0.25 A
部分
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
0.95
-
-
-
-
最大
1.1
1
1
100
4
单位
V
V
μA
μA
μs
典型特征
(T
AMB
= 25
°C,
除非另有规定编）
R
thJA
- 疗法。抗拒。结/环境（K / W）
120
1.6
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
l
100
80
l
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
R
thJA
= 100 K / W
PCB ： D = 25毫米
R
thJA
= 45 K / W
L = 10毫米
T
L
=常数
60
40
20
0
0
949101
5
10
15
20
25
30
16324
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
L - 引线长度（mm ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 典型。热敏电阻与导线长度
图。 3 - 马克斯。平均正向电流与
环境温度
10
1000
V
R
= V
RRM
1
T
j
= 175 °C
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
I
R
- 反向电流（ μA ）
1.6
2.0
I
F
- 正向电流（ A）
100
10
0.001
0
16323
1
0.4
0.8
1.2
25
16325
50
75
100
125
150
175
V
F
- 正向电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
图。 2 - 正向电流与正向电压
图。 4 - 反向电流与结温
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标准雪崩Sinterglass
二极管
威世半导体
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
350
V
R
= V
RRM
300
250
P
R
- 100 ％V极限
R
200
150
P
R
- 80 ％V极限
R
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
45
C
D
- 二极管电容（pF ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
F = 1 MHz的
100
16326
T
j
- 结温（ ° C）
16327
V
R
- 反向电压（ V）
图。 5 - 最大。反向功耗对比
结温
图。 6 - 二极管电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SOD-57
0.82（ 0.032 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
4 （ 0.157 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
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修订版1.8 ， 25 - 8 - 10
3.6 （ 0.142 ）最大。
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“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
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包括但不限于本文所述的保修。
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充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
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B25671A5002A520
BD616LV4017ACG55
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B43540B2477M060
BQ28550
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